单晶、单晶薄膜、铅单晶、单晶合成生产及应用技术
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2021/4/27
0016-0001、 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法
摘要、 一种具有γ-LiAlO,2,单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法，其步骤：先合成制备γ-LiAlO,2,靶材，然后利用射频磁控溅射方法在α-Al,2,O,3,或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO,2,单晶薄膜，本发明方法的工艺简单、易操作，此种具有γ-LiAlO,2,单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
0007-0002、 掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体
摘要、 本发明涉及人工晶体领域特别是涉及一种自倍频激光晶体材料掺镱硼酸钆钇氧钙[Yb，3+,，:Gd,1-x,Y,x,Ca,4,O(BO,3,),3,、及其制备方法。该晶体属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为a＝8.080，b＝16.014，c＝3.539，β＝101.18°，V＝449.2，3,，折射率为1.69。采用提拉法生长掺镱硼酸钆钇氧钙单晶，其生长温度为1481℃～1550℃，拉速为0.5～3mm/h，晶转15～40rmp，可生长出高质量、大尺寸的掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体。
0104-0003、 掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法
掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，在1065℃温度下，以10-35转/分钟的晶体转伲?.5-0.6毫米/小时的拉速生长。该晶体属四方晶系，I4(1)/a(C,4h，6,，)空间群，密度为3.152g/cm，3,，折射率2.0。该晶体在805nm处有一强的吸收峰，吸收截面1.88×10，-20,，cm，2,，半峰宽18nm，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦，在波长1062nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为21.7×10，-20,，cm，2,，易于产生波长为1062nm的激光输出有望获得实际应用。
0128-0004、 一种石英晶体生产中用的籽晶固定架
摘要、 本实用新型涉及一种新型的压电石英晶体生产工艺中用的籽晶固定架，克服了现有技术中籽晶分布不均的缺陷提高了石英晶体的品位和产量。其特征是孪生框是由二根定位板，二根支柱在其端部相互连接的长方形框，在定位板上的二侧对称相背的以均匀间隔固定着用来夹持籽晶的夹持块。
0112-0005、 双籽晶夹具
摘要、 一种双籽晶夹具,属于从熔体中拉制单晶设备中的晶种夹持器.它由连接两个籽晶夹头的籽晶顶杆、弹簧片、翻转支承架等构成的翻转机构和两个籽晶夹头构成.使用这种双籽晶夹具可用炉内机械手方便地在炉内翻转籽晶夹头,更换籽晶.在晶体生长时或新型晶体研制中,避免了由于籽晶熔化、脱落、折断或熔体出现“浮渣”等造成晶体生长的失败,提高了成晶率和实验成功率.
0159-0006、 蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室
摘要、 本实用新型属于生物化学仪器设备，所提供的一种蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室，包括结晶室体和结晶室座。结晶室体上有一蛋白质池，蛋白质池的底面为圆柱面的一部分，结晶室座上有两个外液池，一中空的汽室板盖在结晶室座上使蛋白质池和外液池空间相通形成汽室，外液池上部设有金属电极，底部连通进出液管。结晶室座上还有垂直交叉的测温孔和通光槽。本实用新型具有结构新颖紧凑、功能齐全、便于调整和更换的优点。
0171-0007、 一种籽晶杆
摘要、 一种籽晶杆，包括上段杆和下段杆，其特点是，所述的下段杆为：其下部设有一高度与籽晶体相当的径向贯穿的长孔，其尾端设有轴向通孔。由于采用了上述的技术解决方案，使得由于下段杆上设有径向贯穿的长孔和尾端设有轴向通孔，降低了价格较贵的下段杆的材料用量，使得籽晶杆的成本降低，并且籽晶体通过进入长孔进行固定，籽晶体生长中不会掉落，从而保证生长过程的稳定，适应规模生产的需要，并可根据需要调整下段杆尾端通孔的形状来应变各种籽晶体形状，达到一良好的固定效果。
0024-0008、 一种三元NaV6O15单晶纳...
摘要、 本发明提出了一种三元NaV,6,O,15,单晶纳米针的大规模原位制备方法，简称“原位反应-结晶-刻蚀”方法。该方法以V,2,O,5,粉末和聚苯乙烯间断马来酸钠盐(poly(styrene-alt-maleicacid，sodium salt)30wt.％水溶液，平均重均分子量为～120000)(简称PSMA-Na)为原材料，HF为催化剂，在120～200℃水热处理5～48小时后，分离产物，并分别用馏蒸水和*洗涤，最后真空干燥即得到所需的三元NaV,6,O,15,单晶纳米针。在水热反应过程中，HF不仅是NaV,6,O,15,纳米线形成的催化剂，而且，它促进了纳米线向纳米针的转变。试验证明可以用聚苯乙烯磺酸钠和聚丙烯酸钠代替PSMA-Na制备三元NaV,6,O,15,单晶纳米针。该方法十分简单，不需要任何昂贵的设备，即可大量合成三元NaV,6,O,15,单晶纳米针。
0108-0009、 着色的金刚石
摘要、 提供了一种生产具有枰实牡ゾVD金刚石的方法，该方法包 括如下步骤：提供着色的单晶CVD金刚石，和在适合于产生所需色彩的 条件下热处理所述的金刚石。可以产生的颜色有例如在粉红-绿色范围 的那些。
0019-0010、 近化学计量比钽酸锂晶片的制备方法
摘要、 一种近化学计量比钽酸锂晶片的制备方法，在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiTaO,3,和Li,3,TaO,4,混合料块；将同成分钽酸锂晶片置放或悬挂于铂金丝上，加上覆盖有LiTaO,3,和Li,3,TaO,4,混合粉料和热电偶的铂金片，坩埚顶部加铂金盖密闭后置于电阻炉中；电阻炉加热升温至1000～1400℃，恒温1～200小时，通过锂离子的扩散，使晶体的组成达到近化学计量比。本发明的近化学计量比钽酸锂晶片的制备工艺简单、易操作，该晶片在光波导、电光开关、周期极化、光电器件集成等方面具有十分广泛的应用前景。
0056-0011、 祖母绿激光晶体的合成体系与合成方法
0094-0012、 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
0074-0013、 红宝石晶体的水热法生长
0190-0014、 生长球冠形异型晶体用组合式坩埚
0047-0015、 用于生长Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶体的装置
0122-0016、 浮区熔化单晶体材料制备装置
0200-0017、 扩散系统中的悬臂式推拉装置
0070-0018、 生产III族氮化物晶体的方法
0048-0019、 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
0005-0020、 新型CuI晶体及其生长方法
0134-0021、 生产金刚石单晶的新型构件
0167-0022、 籽晶杆居中调节器
0169-0023、 方便组装的多功能真空晶体生长装置
0162-0024、 晶体生长炉
0182-0025、 液相外延生长薄膜的衬底夹具
0123-0026、 制备六硼化镧单晶用区域熔炼炉
0093-0027、 一种负热膨胀材料ZrW2O8...
0124-0028、 上三下三六面顶超高压装置
0038-0029、 一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法
0088-0030、 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
0085-0031、 Er3+,Yb3+,Ce
0150-0032、 单晶生产投料装置
0165-0033、 籽晶杆动态热密封装置
0177-0034、 一种双控温晶体生长炉
0142-0035、 气垫式衬底旋转装置
0035-0036、 降低掺镱氟化钙晶体中Yb2+浓度的方法
0095-0037、 纳米结构及其制造方法
0065-0038、 n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石
0003-0039、 用于拉晶机的热屏蔽组件
0138-0040、 真空系统用石英活性气体发生装置
0147-0041、 一种石英坩埚
0023-0042、 一种制备棒状、线状及六角形C60单晶的方法
0136-0043、 电磁驱动液淬定向凝固结晶器
0154-0044、 高温氧化物晶体的生长炉
0002-0045、 熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法
0044-0046、 一种文石型碳酸钙晶须的制备方法
0126-0047、 制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置
0183-0048、 溶液法晶体生长的磁力搅拌装置
0129-0049、 红色发光磷化镓液相外延舟
0073-0050、 外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法
0186-0051、 籽晶杆
0176-0052、 一种双区加热真空感应单晶炉
0172-0053、 单晶炉的多管式结构
0072-0054、 多孔基板及其制造方法、GaN系半导体叠层基板及其制造方法
0004-0055、 生产金钢石的装置和方法
0068-0056、 一种偏硼酸盐激光晶体及其制备方法和用途
0017-0057、 掺钕硼酸钇锶激光晶体
0033-0058、 在γ-LiAlO2衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法
0133-0059、 间隔温差法合成0.5～1mm金刚石单晶的结构
0034-0060、 共掺钠和镱氟化钙激光晶体及其生长方法
0078-0061、 纳米材料可控生长真空管式反应设备
0054-0062、 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法
0121-0063、 生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽
0113-0064、 适用于半导体晶体生长的双温加热炉
0204-0065、 一种耐高温的晶体退火装置
0084-0066、 上转换激光晶体Er3+,Yb3+
0185-0067、 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
0151-0068、 批量生产CVD金刚石片的灯丝工装
0135-0069、 合成0.5～1mm金刚石单晶的新方案
0184-0070、 一种单晶高温合金电场定向凝固设备
0042-0071、 一种具有内吸杂功能的掺碳硅片及其制备方法
0099-0072、 掺钛铝酸锂晶片的制备方法
0189-0073、 大面积晶体的温梯法生长装置
0137-0074、 一种鼠笼式Y棒石英晶体生长架
0174-0075、 用于晶体生长工艺中的籽晶方位的控制装置
0060-0076、 两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法
0040-0077、 生长硅晶体用的坩埚及生长硅晶体的方法
0157-0078、 一种空间晶体生长炉
0164-0079、 坩埚杆动态热密封装置
0086-0080、 一种高长径比氧化镁晶须的制备方法
0168-0081、 低氧碳单晶硅复投料自卸机构
0194-0082、 增强长晶效率的长晶装置
0015-0083、 脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底...
0180-0084、 一种晶体生长用热场装置
0096-0085、 单晶金刚石
0127-0086、 四槽循环流动晶体生长装置
0131-0087、 叶腊石远红外焙烧炉
0118-0088、 碘化汞单晶体的生长装置
0146-0089、 一种薄膜晶体生长装置
0032-0090、 用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法
0059-0091、 大尺寸高质量铝酸锂晶片的制备方法
0083-0092、 ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品及其制备工艺
0009-0093、 一种非线性光学晶体材料五钒酸钾
0055-0094、 拉制单晶的装置
0052-0095、 金刚石单晶合成衬底及其制造方法
0111-0096、 氮化硅涂层坩埚
0130-0097、 一种碲镉汞晶体热处理装置
0144-0098、 快速退火装置
0103-0099、 一种蓝宝石(Al2O3单晶)...
0008-0100、 一种双折射功能材料五钒酸钾晶体
0062-0101、 从碲粉快速制备一维纳米结构单晶碲的方法
0031-0102、 一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
0181-0103、 控制高温结晶炉内熔硅结晶速度的水冷却装置
0101-0104、 化合物半导体单晶体生长用容器以及使用其的化合物半导体单晶体的制造方法
0109-0105、 单晶连续生长装置
0199-0106、 扩散系统中的双杆式推拉装置
0097-0107、 针状硅结晶及其制造方法
0116-0108、 制备单晶用的带过滤器的坩埚
0179-0109、 籽晶杆接头器
0161-0110、 制备单晶体的提纯、生长安瓿
0082-0111、 氮化硅的模型配件和制造这种模型配件的方法
0148-0112、 用于快速生长大截面磷酸二氢钾晶体的载晶架
0039-0113、 具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
0041-0114、 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片
0152-0115、 晶体生长过程实时显示诊断装置
0192-0116、 热处理装置
0026-0117、 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
0140-0118、 一种自补给汞源装置
0013-0119、 着色的金刚石
0125-0120、 晶体退火装置
0025-0121、 落下管型粒状结晶体制造装置
0089-0122、 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
0202-0123、 一种用于单晶炉上的轴向集线器
0087-0124、 一种利用菱镁矿生产氧化镁晶须的方法
0141-0125、 金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器
0106-0126、 形成外延层的方法和设备
0195-0127、 一种生长长尺寸半绝缘*化镓单晶的装置
0110-0128、 一种密封式单晶炉
0010-0129、 快速热处理系统排气压力控制方法
0153-0130、 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器
0196-0131、 一种生长氧化锌晶体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
0012-0132、 硼掺杂的金刚石
0201-0133、 用于减少硅单晶棒截断崩边的工具
0043-0134、 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
0058-0135、 *化镓单晶的生长方法
0107-0136、 Ⅲ-V化合物半导体晶体
0149-0137、 下开平动式直拉单晶炉
0156-0138、 空间低温溶液法晶体生长结晶器
0197-0139、 一种化合物半导体材料多晶合成的装置
0069-0140、 一种钨酸盐激光晶体及其制备方法和用途
0053-0141、 单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
0175-0142、 大型溶液法晶体培养缸
0187-0143、 直拉单晶生长装置
0090-0144、 结晶核的制造方法及结晶条件的筛选方法
0115-0145、 单晶炉等径提拉装置
0006-0146、 太阳能级硅单晶生产工艺方法
0030-0147、 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
0203-0148、 改善薄氧化层均一性的炉管装置
0100-0149、 直拉单晶硅用*掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法
0079-0150、 提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
0080-0151、 Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶
0076-0152、 激光生长蓝宝石晶体的方法及其装置
0098-0153、 一种制备纤维状氧化锌晶须的方法及其装置
0049-0154、 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
0066-0155、 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法
0102-0156、 高温超导材料氧化镁单晶的生产方法和制备设备
0173-0157、 生长低位错非掺杂半绝缘*化镓单晶的装置
0063-0158、 结晶用基板及其制造方法
0061-0159、 用含碳坩埚处理氯化稀土或溴化稀土或碘化稀土的方法
0132-0160、 一种三室结构的真空液态源
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摘要、 一种具有γ-LiAlO,2,单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法，其步骤：先合成制备γ-LiAlO,2,靶材，然后利用射频磁控溅射方法在α-Al,2,O,3,或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO,2,单晶薄膜，本发明方法的工艺简单、易操作，此种具有γ-LiAlO,2,单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
0007-0002、 掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体
摘要、 本发明涉及人工晶体领域特别是涉及一种自倍频激光晶体材料掺镱硼酸钆钇氧钙[Yb，3+,，:Gd,1-x,Y,x,Ca,4,O(BO,3,),3,、及其制备方法。该晶体属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为a＝8.080，b＝16.014，c＝3.539，β＝101.18°，V＝449.2，3,，折射率为1.69。采用提拉法生长掺镱硼酸钆钇氧钙单晶，其生长温度为1481℃～1550℃，拉速为0.5～3mm/h，晶转15～40rmp，可生长出高质量、大尺寸的掺镱硼酸钆钇氧钙自倍频激光晶体。
0104-0003、 掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法
掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，在1065℃温度下，以10-35转/分钟的晶体转伲?.5-0.6毫米/小时的拉速生长。该晶体属四方晶系，I4(1)/a(C,4h，6,，)空间群，密度为3.152g/cm，3,，折射率2.0。该晶体在805nm处有一强的吸收峰，吸收截面1.88×10，-20,，cm，2,，半峰宽18nm，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦，在波长1062nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为21.7×10，-20,，cm，2,，易于产生波长为1062nm的激光输出有望获得实际应用。
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摘要、 一种双籽晶夹具,属于从熔体中拉制单晶设备中的晶种夹持器.它由连接两个籽晶夹头的籽晶顶杆、弹簧片、翻转支承架等构成的翻转机构和两个籽晶夹头构成.使用这种双籽晶夹具可用炉内机械手方便地在炉内翻转籽晶夹头,更换籽晶.在晶体生长时或新型晶体研制中,避免了由于籽晶熔化、脱落、折断或熔体出现“浮渣”等造成晶体生长的失败,提高了成晶率和实验成功率.
0159-0006、 蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室
摘要、 本实用新型属于生物化学仪器设备，所提供的一种蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室，包括结晶室体和结晶室座。结晶室体上有一蛋白质池，蛋白质池的底面为圆柱面的一部分，结晶室座上有两个外液池，一中空的汽室板盖在结晶室座上使蛋白质池和外液池空间相通形成汽室，外液池上部设有金属电极，底部连通进出液管。结晶室座上还有垂直交叉的测温孔和通光槽。本实用新型具有结构新颖紧凑、功能齐全、便于调整和更换的优点。
0171-0007、 一种籽晶杆
摘要、 一种籽晶杆，包括上段杆和下段杆，其特点是，所述的下段杆为：其下部设有一高度与籽晶体相当的径向贯穿的长孔，其尾端设有轴向通孔。由于采用了上述的技术解决方案，使得由于下段杆上设有径向贯穿的长孔和尾端设有轴向通孔，降低了价格较贵的下段杆的材料用量，使得籽晶杆的成本降低，并且籽晶体通过进入长孔进行固定，籽晶体生长中不会掉落，从而保证生长过程的稳定，适应规模生产的需要，并可根据需要调整下段杆尾端通孔的形状来应变各种籽晶体形状，达到一良好的固定效果。
0024-0008、 一种三元NaV6O15单晶纳...
摘要、 本发明提出了一种三元NaV,6,O,15,单晶纳米针的大规模原位制备方法，简称“原位反应-结晶-刻蚀”方法。该方法以V,2,O,5,粉末和聚苯乙烯间断马来酸钠盐(poly(styrene-alt-maleicacid，sodium salt)30wt.％水溶液，平均重均分子量为～120000)(简称PSMA-Na)为原材料，HF为催化剂，在120～200℃水热处理5～48小时后，分离产物，并分别用馏蒸水和*洗涤，最后真空干燥即得到所需的三元NaV,6,O,15,单晶纳米针。在水热反应过程中，HF不仅是NaV,6,O,15,纳米线形成的催化剂，而且，它促进了纳米线向纳米针的转变。试验证明可以用聚苯乙烯磺酸钠和聚丙烯酸钠代替PSMA-Na制备三元NaV,6,O,15,单晶纳米针。该方法十分简单，不需要任何昂贵的设备，即可大量合成三元NaV,6,O,15,单晶纳米针。
0108-0009、 着色的金刚石
摘要、 提供了一种生产具有枰实牡ゾVD金刚石的方法，该方法包 括如下步骤：提供着色的单晶CVD金刚石，和在适合于产生所需色彩的 条件下热处理所述的金刚石。可以产生的颜色有例如在粉红-绿色范围 的那些。
0019-0010、 近化学计量比钽酸锂晶片的制备方法
摘要、 一种近化学计量比钽酸锂晶片的制备方法，在铂金坩埚内，放置有带气孔的LiTaO,3,和Li,3,TaO,4,混合料块；将同成分钽酸锂晶片置放或悬挂于铂金丝上，加上覆盖有LiTaO,3,和Li,3,TaO,4,混合粉料和热电偶的铂金片，坩埚顶部加铂金盖密闭后置于电阻炉中；电阻炉加热升温至1000～1400℃，恒温1～200小时，通过锂离子的扩散，使晶体的组成达到近化学计量比。本发明的近化学计量比钽酸锂晶片的制备工艺简单、易操作，该晶片在光波导、电光开关、周期极化、光电器件集成等方面具有十分广泛的应用前景。
0056-0011、 祖母绿激光晶体的合成体系与合成方法
0094-0012、 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
0074-0013、 红宝石晶体的水热法生长
0190-0014、 生长球冠形异型晶体用组合式坩埚
0047-0015、 用于生长Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶体的装置
0122-0016、 浮区熔化单晶体材料制备装置
0200-0017、 扩散系统中的悬臂式推拉装置
0070-0018、 生产III族氮化物晶体的方法
0048-0019、 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
0005-0020、 新型CuI晶体及其生长方法
0134-0021、 生产金刚石单晶的新型构件
0167-0022、 籽晶杆居中调节器
0169-0023、 方便组装的多功能真空晶体生长装置
0162-0024、 晶体生长炉
0182-0025、 液相外延生长薄膜的衬底夹具
0123-0026、 制备六硼化镧单晶用区域熔炼炉
0093-0027、 一种负热膨胀材料ZrW2O8...
0124-0028、 上三下三六面顶超高压装置
0038-0029、 一种用于制造由单晶半导体材料制成的无支撑衬底的方法
0088-0030、 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
0085-0031、 Er3+,Yb3+,Ce
0150-0032、 单晶生产投料装置
0165-0033、 籽晶杆动态热密封装置
0177-0034、 一种双控温晶体生长炉
0142-0035、 气垫式衬底旋转装置
0035-0036、 降低掺镱氟化钙晶体中Yb2+浓度的方法
0095-0037、 纳米结构及其制造方法
0065-0038、 n型半导体金刚石的制造方法及半导体金刚石
0003-0039、 用于拉晶机的热屏蔽组件
0138-0040、 真空系统用石英活性气体发生装置
0147-0041、 一种石英坩埚
0023-0042、 一种制备棒状、线状及六角形C60单晶的方法
0136-0043、 电磁驱动液淬定向凝固结晶器
0154-0044、 高温氧化物晶体的生长炉
0002-0045、 熔体法生长的碲镉汞材料N型热处理方法
0044-0046、 一种文石型碳酸钙晶须的制备方法
0126-0047、 制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置
0183-0048、 溶液法晶体生长的磁力搅拌装置
0129-0049、 红色发光磷化镓液相外延舟
0073-0050、 外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法
0186-0051、 籽晶杆
0176-0052、 一种双区加热真空感应单晶炉
0172-0053、 单晶炉的多管式结构
0072-0054、 多孔基板及其制造方法、GaN系半导体叠层基板及其制造方法
0004-0055、 生产金钢石的装置和方法
0068-0056、 一种偏硼酸盐激光晶体及其制备方法和用途
0017-0057、 掺钕硼酸钇锶激光晶体
0033-0058、 在γ-LiAlO2衬底上制备ZnO单晶薄膜的方法
0133-0059、 间隔温差法合成0.5～1mm金刚石单晶的结构
0034-0060、 共掺钠和镱氟化钙激光晶体及其生长方法
0078-0061、 纳米材料可控生长真空管式反应设备
0054-0062、 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法
0121-0063、 生长磷酸二氘钾单晶的恒温培养槽
0113-0064、 适用于半导体晶体生长的双温加热炉
0204-0065、 一种耐高温的晶体退火装置
0084-0066、 上转换激光晶体Er3+,Yb3+
0185-0067、 一种直拉法生长单晶硅用硅籽晶夹持器
0151-0068、 批量生产CVD金刚石片的灯丝工装
0135-0069、 合成0.5～1mm金刚石单晶的新方案
0184-0070、 一种单晶高温合金电场定向凝固设备
0042-0071、 一种具有内吸杂功能的掺碳硅片及其制备方法
0099-0072、 掺钛铝酸锂晶片的制备方法
0189-0073、 大面积晶体的温梯法生长装置
0137-0074、 一种鼠笼式Y棒石英晶体生长架
0174-0075、 用于晶体生长工艺中的籽晶方位的控制装置
0060-0076、 两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法
0040-0077、 生长硅晶体用的坩埚及生长硅晶体的方法
0157-0078、 一种空间晶体生长炉
0164-0079、 坩埚杆动态热密封装置
0086-0080、 一种高长径比氧化镁晶须的制备方法
0168-0081、 低氧碳单晶硅复投料自卸机构
0194-0082、 增强长晶效率的长晶装置
0015-0083、 脉冲激光沉积制备γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底...
0180-0084、 一种晶体生长用热场装置
0096-0085、 单晶金刚石
0127-0086、 四槽循环流动晶体生长装置
0131-0087、 叶腊石远红外焙烧炉
0118-0088、 碘化汞单晶体的生长装置
0146-0089、 一种薄膜晶体生长装置
0032-0090、 用于生长单晶半导体材料的拉晶机和方法
0059-0091、 大尺寸高质量铝酸锂晶片的制备方法
0083-0092、 ZnO纳米晶柱/纳米晶丝复合结构产品及其制备工艺
0009-0093、 一种非线性光学晶体材料五钒酸钾
0055-0094、 拉制单晶的装置
0052-0095、 金刚石单晶合成衬底及其制造方法
0111-0096、 氮化硅涂层坩埚
0130-0097、 一种碲镉汞晶体热处理装置
0144-0098、 快速退火装置
0103-0099、 一种蓝宝石(Al2O3单晶)...
0008-0100、 一种双折射功能材料五钒酸钾晶体
0062-0101、 从碲粉快速制备一维纳米结构单晶碲的方法
0031-0102、 一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
0181-0103、 控制高温结晶炉内熔硅结晶速度的水冷却装置
0101-0104、 化合物半导体单晶体生长用容器以及使用其的化合物半导体单晶体的制造方法
0109-0105、 单晶连续生长装置
0199-0106、 扩散系统中的双杆式推拉装置
0097-0107、 针状硅结晶及其制造方法
0116-0108、 制备单晶用的带过滤器的坩埚
0179-0109、 籽晶杆接头器
0161-0110、 制备单晶体的提纯、生长安瓿
0082-0111、 氮化硅的模型配件和制造这种模型配件的方法
0148-0112、 用于快速生长大截面磷酸二氢钾晶体的载晶架
0039-0113、 具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
0041-0114、 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片
0152-0115、 晶体生长过程实时显示诊断装置
0192-0116、 热处理装置
0026-0117、 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
0140-0118、 一种自补给汞源装置
0013-0119、 着色的金刚石
0125-0120、 晶体退火装置
0025-0121、 落下管型粒状结晶体制造装置
0089-0122、 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
0202-0123、 一种用于单晶炉上的轴向集线器
0087-0124、 一种利用菱镁矿生产氧化镁晶须的方法
0141-0125、 金属有机化合物气相沉积技术倒置式生长反应器
0106-0126、 形成外延层的方法和设备
0195-0127、 一种生长长尺寸半绝缘*化镓单晶的装置
0110-0128、 一种密封式单晶炉
0010-0129、 快速热处理系统排气压力控制方法
0153-0130、 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器
0196-0131、 一种生长氧化锌晶体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置
0012-0132、 硼掺杂的金刚石
0201-0133、 用于减少硅单晶棒截断崩边的工具
0043-0134、 单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片
0058-0135、 *化镓单晶的生长方法
0107-0136、 Ⅲ-V化合物半导体晶体
0149-0137、 下开平动式直拉单晶炉
0156-0138、 空间低温溶液法晶体生长结晶器
0197-0139、 一种化合物半导体材料多晶合成的装置
0069-0140、 一种钨酸盐激光晶体及其制备方法和用途
0053-0141、 单晶硅晶片及外延片以及单晶硅的制造方法
0175-0142、 大型溶液法晶体培养缸
0187-0143、 直拉单晶生长装置
0090-0144、 结晶核的制造方法及结晶条件的筛选方法
0115-0145、 单晶炉等径提拉装置
0006-0146、 太阳能级硅单晶生产工艺方法
0030-0147、 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
0203-0148、 改善薄氧化层均一性的炉管装置
0100-0149、 直拉单晶硅用*掺杂剂及其制造方法以及使用该掺杂剂的单晶硅的制造方法
0079-0150、 提拉单晶硅用石英玻璃坩埚和制造该坩埚的方法
0080-0151、 Ⅲ族元素氮化物单晶的制造方法及由此制得的Ⅲ族元素氮化物透明单晶
0076-0152、 激光生长蓝宝石晶体的方法及其装置
0098-0153、 一种制备纤维状氧化锌晶须的方法及其装置
0049-0154、 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
0066-0155、 晶体的可视小角度倾斜区熔生长装置及其生长方法
0102-0156、 高温超导材料氧化镁单晶的生产方法和制备设备
0173-0157、 生长低位错非掺杂半绝缘*化镓单晶的装置
0063-0158、 结晶用基板及其制造方法
0061-0159、 用含碳坩埚处理氯化稀土或溴化稀土或碘化稀土的方法
0132-0160、 一种三室结构的真空液态源
0077-0161、 一种半导体材料生长系统的滑动机构
0092-0162、 脉冲激光法制备β-FeSi2单晶的方法
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0170-0164、 双坩埚区熔连续漏注装置
0064-0165、 石英玻璃坩埚及其制造方法
0001-0166、 La1-xCaxMnO
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0119-0168、 直立多片挤压式液相外延石墨舟
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0067-0172、 一种用控温电弧炉制备氧化镁晶体的方法
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0081-0176、 非线性光学晶体Nb2O5: ...
0029-0177、 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
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0020-0183、 铌酸锂基板及其制造方法
0145-0184、 新型多孔推板煤烧结窑
0027-0185、 掺Yb3+和Cr4+离子的钇...
0105-0186、 改进衬底上薄膜区域内诸区及其边缘区内均一性以及这种薄膜区域之结构的激光结...
0163-0187、 籽晶杆装置
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0050-0189、 掺铈二硅酸镥闪烁晶体的生长方法
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0011-0195、 定向压电膜
0021-0196、 自变频激光晶体稀土离子激活的稀土钼酸盐
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0046-0198、 SiC结晶的制造方法以及SiC结晶
0139-0199、 磷酸二氢钾大单晶生长用的载晶架及其籽晶
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0193-0204、 内层透明电弧石英坩埚熔制机
0191-0205、 立式热处理装置
0206-0206、 水平式离子注入碳化硅高温退火装置
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