(CD30060-0142-0001)相变存储器器件单元测试系统及测试方法
(CD30060-0239-0002)相变存储单元结构及其制造方法
(CD30060-0261-0003)相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法
(CD30060-0276-0004)高速互补单元相变存储器
(CD30060-0226-0005)用于制造柱状相变存储元件的方法
(CD30060-0063-0006)对相变存储器进行编程的方法和装置
(CD30060-0154-0007)具有可变驱动电压电路的相变随机存取存储器设备
(CD30060-0109-0008)相变存储器装置
(CD30060-0015-0009)具有宽广相变化元素与小面积电极接点的存储器装置
(CD30060-0215-0010)GeSbTe薄膜的制造方法、相变随机访问存储器及其制造方法
(CD30060-0228-0011)铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100-x及其制备方法
(CD30060-0043-0012)用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法
(CD30060-0209-0013)相变存储单元的热隔绝
(CD30060-0235-0014)一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法
(CD30060-0013-0015)相变随机访问存储器与相关操作方法
(CD30060-0294-0016)驱动相变存储设备的方法
(CD30060-0194-0017)热效率下降最小化的相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0270-0018)相变化存储器
(CD30060-0117-0019)操作相变随机存取存储器的方法
(CD30060-0118-0020)用于相变存储器的加热电极材料及制备方法
(CD30060-0272-0021)相变化存储器装置及其制造方法
(CD30060-0025-0022)制造相变存储器的方法及形成相变层的方法
(CD30060-0096-0023)垂直上升孔相变存储器
(CD30060-0254-0024)相变存储装置
(CD30060-0071-0025)扫描探针相变存储方法及其装置
(CD30060-0246-0026)使用锑-硒金属合金的相变存储装置及其制作方法
(CD30060-0089-0027)多值相变存储器的实现方法
(CD30060-0189-0028)管型相变存储器
(CD30060-0306-0029)用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体
(CD30060-0188-0030)一种以自对准方式制造薄膜熔丝相变化随机存取存储器的方法
(CD30060-0250-0031)相变存储器单元器件的结构的改进
(CD30060-0308-0032)具有相变化元件及非对称热边界的多级存储单元
(CD30060-0031-0033)含扩散势垒层的存储节点、相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0222-0034)相变存储单元的热隔绝
(CD30060-0312-0035)具有不同晶粒尺寸的相变化存储装置及其形成方法
(CD30060-0255-0036)相变层及其形成方法相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0032-0037)用锗前体形成相变层的方法及用其制造相变存储器的方法
(CD30060-0064-0038)用于对相变材料存储器器件执行写操作的技术和装置
(CD30060-0289-0039)4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器
(CD30060-0105-0040)一种纳米相变存储器单元的制备方法
(CD30060-0195-0041)具有热隔离结构的Ⅰ型相变化存储单元
(CD30060-0297-0042)一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案
(CD30060-0038-0043)相变化存储器元件及其制造方法
(CD30060-0045-0044)相变存储器及其制造方法
(CD30060-0094-0045)将MOS选择门用于相变存储器
(CD30060-0217-0046)相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法
(CD30060-0190-0047)热绝缘相变存储元件及其制造方法
(CD30060-0072-0048)用于相变存储阵列的置位编程方法和写入驱动器电路
(CD30060-0081-0049)具有恢复功能的相变存储器和方法
(CD30060-0248-0050)使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法
(CD30060-0014-0051)相变存储器及其制造方法
(CD30060-0112-0052)纳电子相变存储器器件单元的制备方法
(CD30060-0153-0053)相变存储器件及其操作和制造方法
(CD30060-0099-0054)相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法
(CD30060-0258-0055)具有二极管隔离元件的相变化存储单元
(CD30060-0233-0056)包含纳米复合材料绝缘体的相变存储单元
(CD30060-0304-0057)一种纳米级相变存储单元阵列制备方法
(CD30060-0225-0058)具有不同相变材料的小功率相变存储单元
(CD30060-0249-0059)相变化存储器写入的驱动方法与系统
(CD30060-0174-0060)半导体存储元件、相变存储元件及其制造方法
(CD30060-0207-0061)利用自对准工艺制造的相变存储器
(CD30060-0242-0062)相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0067-0063)对于由电极孔的侧壁限定的相可变材料具有接触表面面积的相变存储器件及其形成方法
(CD30060-0198-0064)非易失性相变存储设备和相关的编程-挂起-读取操作
(CD30060-0193-0065)用于阈值压控相变随机存取存储器的编程方法
(CD30060-0019-0066)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0220-0067)用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
(CD30060-0262-0068)相变存储装置及其制造方法和操作方法
(CD30060-0192-0069)相变随机存取存储器及其制造和操作方法
(CD30060-0283-0070)相变存储器
(CD30060-0200-0071)相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法
(CD30060-0264-0072)4F平方自对准侧壁主动相变化存储器
(CD30060-0291-0073)一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
(CD30060-0004-0074)用于相变介质存储装置的低热耗小接触面积复合电极
(CD30060-0253-0075)相变存储器装置
(CD30060-0046-0076)多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法
(CD30060-0001-0077)制造原子分辨存储器件的光滑表面的结晶相变层的方法
(CD30060-0302-0078)相变存储器的感测电路及方法
(CD30060-0023-0079)包含相变层表面处理工艺的制造相变存储装置的方法
(CD30060-0070-0080)读取结构相变存储器的方法
(CD30060-0227-0081)相变材料层及其形成方法、相变存储装置及其形成方法
(CD30060-0260-0082)相变存储器驱动电路
(CD30060-0166-0083)相变化存储元件及其制造方法
(CD30060-0315-0084)提升相变存储器编程速度的方法及实现方法
(CD30060-0055-0085)一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
(CD30060-0093-0086)具有相变存储单元的半导体器件、使用它的电子系统和其制造方法
(CD30060-0148-0087)相变存储装置及其编程方法
(CD30060-0042-0088)用于相变存储器的过渡层
(CD30060-0128-0089)用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法
(CD30060-0037-0090)相变存储元件及其制造方法
(CD30060-0141-0091)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0218-0092)基于镓掺杂Ga3Sb8Te1相变存储单元及其制备方法
(CD30060-0274-0093)相变化存储器
(CD30060-0314-0094)a01"，
(CD30060-0205-0095)具有相变存储单元的集成电路和对相变存储单元寻址的方法
(CD30060-0178-0096)具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法
(CD30060-0035-0097)具有侧壁接触的相变存储器
(CD30060-0022-0098)一种硫属相变存储器CRAM存储元
(CD30060-0298-0099)高速写入相变存储器及其高速写入方法
(CD30060-0049-0100)柱形相变存储单元
(CD30060-0232-0101)具有阶梯式编程特性的相变存储单元
(CD30060-0299-0102)多位相变化存储器阵列及多位相变化存储器
(CD30060-0101-0103)能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法
(CD30060-0231-0104)具有阶梯式编程特性的相变存储单元
(CD30060-0005-0105)具有多层可重写相变记录层的光学数据存储系统
(CD30060-0009-0106)基于相变材料的多阶存储光盘信号的相位检测法及其装置
(CD30060-0095-0107)形成相变存储器
(CD30060-0286-0108)一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法
(CD30060-0138-0109)相变化存储元件及其形成方法
(CD30060-0296-0110)相变存储器装置及其制造方法
(CD30060-0155-0111)访问相变存储器
(CD30060-0065-0112)基于相变调制发光的存储装置
(CD30060-0127-0113)读相变存储器
(CD30060-0050-0114)三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法
(CD30060-0074-0115)编程相变材料存储器
(CD30060-0214-0116)相变存储器元件及其制造方法
(CD30060-0179-0117)相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元
(CD30060-0305-0118)相变化存储器元件及其制造方法
(CD30060-0060-0119)一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法
(CD30060-0041-0120)相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法
(CD30060-0279-0121)相变化存储器装置及其制造方法
(CD30060-0307-0122)相变存储器的感测电路
(CD30060-0287-0123)一种高读取速度、低操作干扰的相变存储单元存储器及其操作方法
(CD30060-0259-0124)用于相变存储器封装的方法、装置和系统
(CD30060-0165-0125)对一主动侧壁相变存储单元改善热绝缘的结构及方法
(CD30060-0191-0126)相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法
(CD30060-0111-0127)一种减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法
(CD30060-0018-0128)相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0311-0129)相变化存储器
(CD30060-0024-0130)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0196-0131)相变随机存储器及其制造方法
(CD30060-0047-0132)高密度相变存储器的结构与制备的工艺
(CD30060-0017-0133)包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统
(CD30060-0278-0134)相变存储设备
(CD30060-0288-0135)多级相变存储器器件和相关方法
(CD30060-0131-0136)相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法
(CD30060-0075-0137)位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
(CD30060-0199-0138)管状电极相变化存储器的制造方法
(CD30060-0020-0139)薄膜相变存储单元及其制造方法
(CD30060-0090-0140)一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
(CD30060-0057-0141)在相变存储器件中的用于脉冲宽度控制的器件和方法
(CD30060-0208-0142)用自对准工艺制造的相变存储器
(CD30060-0300-0143)相变化存储桥
(CD30060-0106-0144)相变存储装置
(CD30060-0048-0145)相变存储装置及其制造方法
(CD30060-0186-0146)相变存储器件及其编程方法
(CD30060-0213-0147)自我对准的嵌入式相变存储器及其制造方法
(CD30060-0129-0148)减小相变存储器加热电极面积的方法
(CD30060-0173-0149)间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0120-0150)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0159-0151)隔离的相变存储器单元及其制造方法
(CD30060-0039-0152)具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品
(CD30060-0144-0153)薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法
(CD30060-0221-0154)基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法
(CD30060-0265-0155)存储节点及其制造方法相变存储器件及其制造和操作方法
(CD30060-0003-0156)自对准可编程相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0083-0157)相变存储器单元器件的制备方法
(CD30060-0256-0158)形成包括碲的相变材料层的方法和使用该相变材料层来制造相变存储器的方法
(CD30060-0275-0159)一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
(CD30060-0252-0160)相变存储器单元及形成的方法
(CD30060-0203-0161)相变型存储器用溅射靶的制造方法
(CD30060-0206-0162)具有真空侧壁子的相变存储单元
(CD30060-0132-0163)不用触发重置单元阈值装置读取相变存储器
(CD30060-0230-0164)具有阶梯式编程特性的相变存储单元
(CD30060-0114-0165)一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路
(CD30060-0130-0166)相变随机存取存储器及其操作方法
(CD30060-0219-0167)用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
(CD30060-0002-0168)相变材料电子存储器结构及其成形方法
(CD30060-0011-0169)用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
(CD30060-0053-0170)具有较低电流相变化元件的存储元件
(CD30060-0113-0171)一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法
(CD30060-0116-0172)相变随机存取存储器及其制造方法
(CD30060-0237-0173)以低功率操作的具有高读取裕量的相变存储单元
(CD30060-0183-0174)相变化存储元件及其制造方法
(CD30060-0010-0175)基于相变材料的多阶存储光盘读写系统
(CD30060-0284-0176)控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构
(CD30060-0182-0177)自对准并平坦化的下电极相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0290-0178)相变存储器材料、装置和方法
(CD30060-0211-0179)相变存储单元、相变存储器件、电子系统及其制造方法
(CD30060-0008-0180)具有贵金属反射层的相变光盘和光数据存储系统
(CD30060-0170-0181)具有电极层处理的相变随机存取存储器的制造方法
(CD30060-0100-0182)形成通路结构的方法以及制造具有了该结构的相变存储器件的方法
(CD30060-0172-0183)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0238-0184)一种使用相变存储器的计算机主板快速挂起和恢复装置
(CD30060-0293-0185)相变材料信息存储方法
(CD30060-0066-0186)相变型存储器用溅射靶、使用所述靶形成的相变型存储器用膜及所述靶的制造方法
(CD30060-0078-0187)横向相变存储器及其制造方法
(CD30060-0040-0188)相变层、存储节点、以及相变存储器的制造方法
(CD30060-0316-0189)功耗降低的相变存储器及其形成方法
(CD30060-0152-0190)用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法
(CD30060-0147-0191)改善相变化存储器特性的方法及结构
(CD30060-0158-0192)隔离片电极小管脚相变随机存取存储器及其制造方法
(CD30060-0185-0193)形成相变材料薄膜的方法及制造相变存储器件的方法
(CD30060-0277-0194)一种提高相变存储器编程速度的系统及方法
(CD30060-0268-0195)半导体结构、尤其具有均一高度加热体的相变存储器件
(CD30060-0069-0196)相变尖端存储单元
(CD30060-0313-0197)用于形成具有底电极的相变存储器件的方法
(CD30060-0263-0198)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0251-0199)一种管状相变存储器单元结构及制作方法
(CD30060-0171-0200)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0085-0201)一种制备相变存储器纳米加热电极的方法
(CD30060-0044-0202)用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构
(CD30060-0121-0203)实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法
(CD30060-0224-0204)用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件
(CD30060-0140-0205)相变存储设备以及对其进行编程的方法
(CD30060-0051-0206)利用渗透算法对相变存储器单元进行多电平编程的方法
(CD30060-0080-0207)低电流和高速相变存储设备及用于驱动这种设备的方法
(CD30060-0210-0208)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0036-0209)存储器件特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件以及用于制造存储器件的方法
(CD30060-0123-0210)一种基于电加工技术的相变存储器单元制备方法
(CD30060-0187-0211)相变存储器件及制造相变存储器件的方法
(CD30060-0212-0212)单掩模相变化存储元件
(CD30060-0108-0213)锑前体、使用该锑前体的相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0244-0214)具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0241-0215)相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0056-0216)多层相变存储器
(CD30060-0201-0217)相变存储器装置与编程方法
(CD30060-0202-0218)使用自对准处理制造的相变存储器
(CD30060-0026-0219)具双存取元件的相变化存储单元
(CD30060-0033-0220)具有热障的相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0301-0221)相变存储器器件及其制造方法
(CD30060-0098-0222)相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法
(CD30060-0136-0223)具有单元二极管和互相自对准的底电极的相变存储单元及其制造方法
(CD30060-0240-0224)用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料
(CD30060-0073-0225)相变存储器件和写相变存储器件的方法
(CD30060-0282-0226)相变存储器的写入电路
(CD30060-0016-0227)使用相变存储器的内容可寻址存储单元和存储器
(CD30060-0139-0228)一种新型的沟槽结构相变存储器
(CD30060-0006-0229)电可擦相变存储器
(CD30060-0097-0230)可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
(CD30060-0175-0231)用于相变存储器件的多位操作方法
(CD30060-0245-0232)用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料
(CD30060-0295-0233)相变存储器件
(CD30060-0102-0234)降低相变存储器编程电流的单元结构
(CD30060-0007-0235)具有多个写一次相变记录层的光学数据存储系统
(CD30060-0122-0236)使用单元二极管的相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0162-0237)并联多值相变存储器的制备方法
(CD30060-0234-0238)用于相变存储器的读干扰传感器
(CD30060-0030-0239)用于偏置相变存储阵列以进行可靠写入的结构和方法
(CD30060-0157-0240)工字型相变存储单元
(CD30060-0181-0241)相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0160-0242)管型相变化存储器
(CD30060-0145-0243)相变化型光盘存储控制方法
(CD30060-0247-0244)双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法
(CD30060-0126-0245)相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法
(CD30060-0151-0246)利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法
(CD30060-0135-0247)相变随机存取存储器器件
(CD30060-0058-0248)一种纳米相变存储器器件单元的制备方法
(CD30060-0134-0249)制造熔丝相变随机存取存储器的方法
(CD30060-0124-0250)多层相变存储器
(CD30060-0061-0251)可用于相变存储器多级存储的相变材料
(CD30060-0243-0252)相变化存储器
(CD30060-0281-0253)相变化存储单元结构及其制造方法
(CD30060-0229-0254)降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
(CD30060-0267-0255)增加相变存储器列平台裕量
(CD30060-0029-0256)可编程相变存储器及其方法
(CD30060-0027-0257)用于珀耳帖控制的相变存储器的方法和结构
(CD30060-0236-0258)柱形相变存储单元
(CD30060-0115-0259)采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法
(CD30060-0266-0260)存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法
(CD30060-0273-0261)动态相变存储器
(CD30060-0012-0262)相变随机存取存储器设备及相关的操作方法
(CD30060-0092-0263)编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路
(CD30060-0163-0264)具有真空夹层的相变存储器元件
(CD30060-0269-0265)相变存储装置及其制造方法
(CD30060-0310-0266)相变化存储器元件及其制造方法
(CD30060-0167-0267)一种相变存储元件的真空室热隔离
(CD30060-0161-0268)前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备
(CD30060-0216-0269)含有掺杂相变层的相变随机存取型存储器及其操作方法
(CD30060-0107-0270)形成具有小接触面积的相变存储器件的方法
(CD30060-0150-0271)相变存储器装置及其制造方法
(CD30060-0146-0272)在相变存储单元中形成相变层
(CD30060-0062-0273)用于相变存储器的含碳分界表面层
(CD30060-0088-0274)相变存储器及其制造方法
(CD30060-0125-0275)相变存储器的读取偏置方案
(CD30060-0197-0276)用于相变存储器器件的电极和方法
(CD30060-0169-0277)相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0104-0278)采用控制电流方法的相变存储元件驱动电路及其控制方法
(CD30060-0303-0279)具有参考单元阵列的相变存储器件
(CD30060-0156-0280)非易失性相变存储装置及其读取方法
(CD30060-0168-0281)相变随机存取存储器及控制其读取操作的方法
(CD30060-0079-0282)相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法
(CD30060-0149-0283)相变存储器存储单元及其制备方法
(CD30060-0119-0284)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0087-0285)相变存储单元和形成其的方法
(CD30060-0021-0286)相变存储器件及相关编程方法
(CD30060-0068-0287)场致发射的相变二极管存储器
(CD30060-0034-0288)相变存储装置及其制造方法
(CD30060-0317-0289)相变化存储器阵列及其制造方法
(CD30060-0052-0290)用于相变存储器的粘附层材料及制备方法
(CD30060-0086-0291)一种相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0137-0292)具有可变驱动电压的相变随机存取存储器
(CD30060-0133-0293)薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法
(CD30060-0280-0294)相变化存储器装置及其制造方法
(CD30060-0176-0295)制造相变随机存取存储器的方法
(CD30060-0204-0296)用以制造柱状相变化存储元件的方法
(CD30060-0076-0297)一个相变材料存储设备的刷新存储器单元
(CD30060-0271-0298)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0292-0299)一种新型的相变存储器的读操作方法
(CD30060-0054-0300)相变存储器件及其制造方法
☞ 15542181913 相变存储工艺生产工艺及应用 相变存储工艺生产工艺及应用
百创提供 相变存储工艺生产工艺及应用 相变存储工艺生产工艺及应用
(CD30060-0239-0002)相变存储单元结构及其制造方法
(CD30060-0261-0003)相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法
(CD30060-0276-0004)高速互补单元相变存储器
(CD30060-0226-0005)用于制造柱状相变存储元件的方法
(CD30060-0063-0006)对相变存储器进行编程的方法和装置
(CD30060-0154-0007)具有可变驱动电压电路的相变随机存取存储器设备
(CD30060-0109-0008)相变存储器装置
(CD30060-0015-0009)具有宽广相变化元素与小面积电极接点的存储器装置
(CD30060-0215-0010)GeSbTe薄膜的制造方法、相变随机访问存储器及其制造方法
(CD30060-0228-0011)铝掺杂相变存储薄膜材料Alx(Ge2Sb2Te5)100-x及其制备方法
(CD30060-0043-0012)用于降低相变存储器单元功耗的氧化物隔热层及实现方法
(CD30060-0209-0013)相变存储单元的热隔绝
(CD30060-0235-0014)一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法
(CD30060-0013-0015)相变随机访问存储器与相关操作方法
(CD30060-0294-0016)驱动相变存储设备的方法
(CD30060-0194-0017)热效率下降最小化的相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0270-0018)相变化存储器
(CD30060-0117-0019)操作相变随机存取存储器的方法
(CD30060-0118-0020)用于相变存储器的加热电极材料及制备方法
(CD30060-0272-0021)相变化存储器装置及其制造方法
(CD30060-0025-0022)制造相变存储器的方法及形成相变层的方法
(CD30060-0096-0023)垂直上升孔相变存储器
(CD30060-0254-0024)相变存储装置
(CD30060-0071-0025)扫描探针相变存储方法及其装置
(CD30060-0246-0026)使用锑-硒金属合金的相变存储装置及其制作方法
(CD30060-0089-0027)多值相变存储器的实现方法
(CD30060-0189-0028)管型相变存储器
(CD30060-0306-0029)用于制造相变存储器材料的碲(Te)前驱体
(CD30060-0188-0030)一种以自对准方式制造薄膜熔丝相变化随机存取存储器的方法
(CD30060-0250-0031)相变存储器单元器件的结构的改进
(CD30060-0308-0032)具有相变化元件及非对称热边界的多级存储单元
(CD30060-0031-0033)含扩散势垒层的存储节点、相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0222-0034)相变存储单元的热隔绝
(CD30060-0312-0035)具有不同晶粒尺寸的相变化存储装置及其形成方法
(CD30060-0255-0036)相变层及其形成方法相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0032-0037)用锗前体形成相变层的方法及用其制造相变存储器的方法
(CD30060-0064-0038)用于对相变材料存储器器件执行写操作的技术和装置
(CD30060-0289-0039)4F平方自对准鳍底电极场效应晶体管驱动相变化存储器
(CD30060-0105-0040)一种纳米相变存储器单元的制备方法
(CD30060-0195-0041)具有热隔离结构的Ⅰ型相变化存储单元
(CD30060-0297-0042)一种新型的高密度多值相变存储器的存储方案
(CD30060-0038-0043)相变化存储器元件及其制造方法
(CD30060-0045-0044)相变存储器及其制造方法
(CD30060-0094-0045)将MOS选择门用于相变存储器
(CD30060-0217-0046)相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法
(CD30060-0190-0047)热绝缘相变存储元件及其制造方法
(CD30060-0072-0048)用于相变存储阵列的置位编程方法和写入驱动器电路
(CD30060-0081-0049)具有恢复功能的相变存储器和方法
(CD30060-0248-0050)使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法
(CD30060-0014-0051)相变存储器及其制造方法
(CD30060-0112-0052)纳电子相变存储器器件单元的制备方法
(CD30060-0153-0053)相变存储器件及其操作和制造方法
(CD30060-0099-0054)相变存储单元阵列写电流的对称位线补偿方法
(CD30060-0258-0055)具有二极管隔离元件的相变化存储单元
(CD30060-0233-0056)包含纳米复合材料绝缘体的相变存储单元
(CD30060-0304-0057)一种纳米级相变存储单元阵列制备方法
(CD30060-0225-0058)具有不同相变材料的小功率相变存储单元
(CD30060-0249-0059)相变化存储器写入的驱动方法与系统
(CD30060-0174-0060)半导体存储元件、相变存储元件及其制造方法
(CD30060-0207-0061)利用自对准工艺制造的相变存储器
(CD30060-0242-0062)相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0067-0063)对于由电极孔的侧壁限定的相可变材料具有接触表面面积的相变存储器件及其形成方法
(CD30060-0198-0064)非易失性相变存储设备和相关的编程-挂起-读取操作
(CD30060-0193-0065)用于阈值压控相变随机存取存储器的编程方法
(CD30060-0019-0066)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0220-0067)用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
(CD30060-0262-0068)相变存储装置及其制造方法和操作方法
(CD30060-0192-0069)相变随机存取存储器及其制造和操作方法
(CD30060-0283-0070)相变存储器
(CD30060-0200-0071)相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法
(CD30060-0264-0072)4F平方自对准侧壁主动相变化存储器
(CD30060-0291-0073)一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
(CD30060-0004-0074)用于相变介质存储装置的低热耗小接触面积复合电极
(CD30060-0253-0075)相变存储器装置
(CD30060-0046-0076)多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法
(CD30060-0001-0077)制造原子分辨存储器件的光滑表面的结晶相变层的方法
(CD30060-0302-0078)相变存储器的感测电路及方法
(CD30060-0023-0079)包含相变层表面处理工艺的制造相变存储装置的方法
(CD30060-0070-0080)读取结构相变存储器的方法
(CD30060-0227-0081)相变材料层及其形成方法、相变存储装置及其形成方法
(CD30060-0260-0082)相变存储器驱动电路
(CD30060-0166-0083)相变化存储元件及其制造方法
(CD30060-0315-0084)提升相变存储器编程速度的方法及实现方法
(CD30060-0055-0085)一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法
(CD30060-0093-0086)具有相变存储单元的半导体器件、使用它的电子系统和其制造方法
(CD30060-0148-0087)相变存储装置及其编程方法
(CD30060-0042-0088)用于相变存储器的过渡层
(CD30060-0128-0089)用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法
(CD30060-0037-0090)相变存储元件及其制造方法
(CD30060-0141-0091)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0218-0092)基于镓掺杂Ga3Sb8Te1相变存储单元及其制备方法
(CD30060-0274-0093)相变化存储器
(CD30060-0314-0094)a01"，
(CD30060-0205-0095)具有相变存储单元的集成电路和对相变存储单元寻址的方法
(CD30060-0178-0096)具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法
(CD30060-0035-0097)具有侧壁接触的相变存储器
(CD30060-0022-0098)一种硫属相变存储器CRAM存储元
(CD30060-0298-0099)高速写入相变存储器及其高速写入方法
(CD30060-0049-0100)柱形相变存储单元
(CD30060-0232-0101)具有阶梯式编程特性的相变存储单元
(CD30060-0299-0102)多位相变化存储器阵列及多位相变化存储器
(CD30060-0101-0103)能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法
(CD30060-0231-0104)具有阶梯式编程特性的相变存储单元
(CD30060-0005-0105)具有多层可重写相变记录层的光学数据存储系统
(CD30060-0009-0106)基于相变材料的多阶存储光盘信号的相位检测法及其装置
(CD30060-0095-0107)形成相变存储器
(CD30060-0286-0108)一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法
(CD30060-0138-0109)相变化存储元件及其形成方法
(CD30060-0296-0110)相变存储器装置及其制造方法
(CD30060-0155-0111)访问相变存储器
(CD30060-0065-0112)基于相变调制发光的存储装置
(CD30060-0127-0113)读相变存储器
(CD30060-0050-0114)三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法
(CD30060-0074-0115)编程相变材料存储器
(CD30060-0214-0116)相变存储器元件及其制造方法
(CD30060-0179-0117)相变化存储层及其制造方法及相变化存储单元
(CD30060-0305-0118)相变化存储器元件及其制造方法
(CD30060-0060-0119)一种相变微、纳电子存储器器件及制作方法
(CD30060-0041-0120)相变层及其制造方法和相变存储器件及其制造和操作方法
(CD30060-0279-0121)相变化存储器装置及其制造方法
(CD30060-0307-0122)相变存储器的感测电路
(CD30060-0287-0123)一种高读取速度、低操作干扰的相变存储单元存储器及其操作方法
(CD30060-0259-0124)用于相变存储器封装的方法、装置和系统
(CD30060-0165-0125)对一主动侧壁相变存储单元改善热绝缘的结构及方法
(CD30060-0191-0126)相变化存储器的垂直侧壁有效引脚结构及其制造方法
(CD30060-0111-0127)一种减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法
(CD30060-0018-0128)相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0311-0129)相变化存储器
(CD30060-0024-0130)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0196-0131)相变随机存储器及其制造方法
(CD30060-0047-0132)高密度相变存储器的结构与制备的工艺
(CD30060-0017-0133)包括具有不同相变材料的存储器单元的相变存储器件以及相关方法和系统
(CD30060-0278-0134)相变存储设备
(CD30060-0288-0135)多级相变存储器器件和相关方法
(CD30060-0131-0136)相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法
(CD30060-0075-0137)位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
(CD30060-0199-0138)管状电极相变化存储器的制造方法
(CD30060-0020-0139)薄膜相变存储单元及其制造方法
(CD30060-0090-0140)一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺
(CD30060-0057-0141)在相变存储器件中的用于脉冲宽度控制的器件和方法
(CD30060-0208-0142)用自对准工艺制造的相变存储器
(CD30060-0300-0143)相变化存储桥
(CD30060-0106-0144)相变存储装置
(CD30060-0048-0145)相变存储装置及其制造方法
(CD30060-0186-0146)相变存储器件及其编程方法
(CD30060-0213-0147)自我对准的嵌入式相变存储器及其制造方法
(CD30060-0129-0148)减小相变存储器加热电极面积的方法
(CD30060-0173-0149)间隙壁电极侧接式相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0120-0150)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0159-0151)隔离的相变存储器单元及其制造方法
(CD30060-0039-0152)具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品
(CD30060-0144-0153)薄膜板相变随机存取存储器电路及其制造方法
(CD30060-0221-0154)基于二极管单元选通的相变存储器及其制造方法
(CD30060-0265-0155)存储节点及其制造方法相变存储器件及其制造和操作方法
(CD30060-0003-0156)自对准可编程相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0083-0157)相变存储器单元器件的制备方法
(CD30060-0256-0158)形成包括碲的相变材料层的方法和使用该相变材料层来制造相变存储器的方法
(CD30060-0275-0159)一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法
(CD30060-0252-0160)相变存储器单元及形成的方法
(CD30060-0203-0161)相变型存储器用溅射靶的制造方法
(CD30060-0206-0162)具有真空侧壁子的相变存储单元
(CD30060-0132-0163)不用触发重置单元阈值装置读取相变存储器
(CD30060-0230-0164)具有阶梯式编程特性的相变存储单元
(CD30060-0114-0165)一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路
(CD30060-0130-0166)相变随机存取存储器及其操作方法
(CD30060-0219-0167)用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
(CD30060-0002-0168)相变材料电子存储器结构及其成形方法
(CD30060-0011-0169)用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
(CD30060-0053-0170)具有较低电流相变化元件的存储元件
(CD30060-0113-0171)一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法
(CD30060-0116-0172)相变随机存取存储器及其制造方法
(CD30060-0237-0173)以低功率操作的具有高读取裕量的相变存储单元
(CD30060-0183-0174)相变化存储元件及其制造方法
(CD30060-0010-0175)基于相变材料的多阶存储光盘读写系统
(CD30060-0284-0176)控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构
(CD30060-0182-0177)自对准并平坦化的下电极相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0290-0178)相变存储器材料、装置和方法
(CD30060-0211-0179)相变存储单元、相变存储器件、电子系统及其制造方法
(CD30060-0008-0180)具有贵金属反射层的相变光盘和光数据存储系统
(CD30060-0170-0181)具有电极层处理的相变随机存取存储器的制造方法
(CD30060-0100-0182)形成通路结构的方法以及制造具有了该结构的相变存储器件的方法
(CD30060-0172-0183)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0238-0184)一种使用相变存储器的计算机主板快速挂起和恢复装置
(CD30060-0293-0185)相变材料信息存储方法
(CD30060-0066-0186)相变型存储器用溅射靶、使用所述靶形成的相变型存储器用膜及所述靶的制造方法
(CD30060-0078-0187)横向相变存储器及其制造方法
(CD30060-0040-0188)相变层、存储节点、以及相变存储器的制造方法
(CD30060-0316-0189)功耗降低的相变存储器及其形成方法
(CD30060-0152-0190)用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法
(CD30060-0147-0191)改善相变化存储器特性的方法及结构
(CD30060-0158-0192)隔离片电极小管脚相变随机存取存储器及其制造方法
(CD30060-0185-0193)形成相变材料薄膜的方法及制造相变存储器件的方法
(CD30060-0277-0194)一种提高相变存储器编程速度的系统及方法
(CD30060-0268-0195)半导体结构、尤其具有均一高度加热体的相变存储器件
(CD30060-0069-0196)相变尖端存储单元
(CD30060-0313-0197)用于形成具有底电极的相变存储器件的方法
(CD30060-0263-0198)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0251-0199)一种管状相变存储器单元结构及制作方法
(CD30060-0171-0200)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0085-0201)一种制备相变存储器纳米加热电极的方法
(CD30060-0044-0202)用于多阶相变化存储器的电流顺从感测架构
(CD30060-0121-0203)实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法
(CD30060-0224-0204)用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件
(CD30060-0140-0205)相变存储设备以及对其进行编程的方法
(CD30060-0051-0206)利用渗透算法对相变存储器单元进行多电平编程的方法
(CD30060-0080-0207)低电流和高速相变存储设备及用于驱动这种设备的方法
(CD30060-0210-0208)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0036-0209)存储器件特别是具有晶体管的相变随机存取存储器件以及用于制造存储器件的方法
(CD30060-0123-0210)一种基于电加工技术的相变存储器单元制备方法
(CD30060-0187-0211)相变存储器件及制造相变存储器件的方法
(CD30060-0212-0212)单掩模相变化存储元件
(CD30060-0108-0213)锑前体、使用该锑前体的相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0244-0214)具有填充侧壁存储元件的相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0241-0215)相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0056-0216)多层相变存储器
(CD30060-0201-0217)相变存储器装置与编程方法
(CD30060-0202-0218)使用自对准处理制造的相变存储器
(CD30060-0026-0219)具双存取元件的相变化存储单元
(CD30060-0033-0220)具有热障的相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0301-0221)相变存储器器件及其制造方法
(CD30060-0098-0222)相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法
(CD30060-0136-0223)具有单元二极管和互相自对准的底电极的相变存储单元及其制造方法
(CD30060-0240-0224)用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料
(CD30060-0073-0225)相变存储器件和写相变存储器件的方法
(CD30060-0282-0226)相变存储器的写入电路
(CD30060-0016-0227)使用相变存储器的内容可寻址存储单元和存储器
(CD30060-0139-0228)一种新型的沟槽结构相变存储器
(CD30060-0006-0229)电可擦相变存储器
(CD30060-0097-0230)可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
(CD30060-0175-0231)用于相变存储器件的多位操作方法
(CD30060-0245-0232)用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料
(CD30060-0295-0233)相变存储器件
(CD30060-0102-0234)降低相变存储器编程电流的单元结构
(CD30060-0007-0235)具有多个写一次相变记录层的光学数据存储系统
(CD30060-0122-0236)使用单元二极管的相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0162-0237)并联多值相变存储器的制备方法
(CD30060-0234-0238)用于相变存储器的读干扰传感器
(CD30060-0030-0239)用于偏置相变存储阵列以进行可靠写入的结构和方法
(CD30060-0157-0240)工字型相变存储单元
(CD30060-0181-0241)相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0160-0242)管型相变化存储器
(CD30060-0145-0243)相变化型光盘存储控制方法
(CD30060-0247-0244)双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元及方法
(CD30060-0126-0245)相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法
(CD30060-0151-0246)利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法
(CD30060-0135-0247)相变随机存取存储器器件
(CD30060-0058-0248)一种纳米相变存储器器件单元的制备方法
(CD30060-0134-0249)制造熔丝相变随机存取存储器的方法
(CD30060-0124-0250)多层相变存储器
(CD30060-0061-0251)可用于相变存储器多级存储的相变材料
(CD30060-0243-0252)相变化存储器
(CD30060-0281-0253)相变化存储单元结构及其制造方法
(CD30060-0229-0254)降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
(CD30060-0267-0255)增加相变存储器列平台裕量
(CD30060-0029-0256)可编程相变存储器及其方法
(CD30060-0027-0257)用于珀耳帖控制的相变存储器的方法和结构
(CD30060-0236-0258)柱形相变存储单元
(CD30060-0115-0259)采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法
(CD30060-0266-0260)存储器装置的制造方法和相变化层的蚀刻方法
(CD30060-0273-0261)动态相变存储器
(CD30060-0012-0262)相变随机存取存储器设备及相关的操作方法
(CD30060-0092-0263)编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路
(CD30060-0163-0264)具有真空夹层的相变存储器元件
(CD30060-0269-0265)相变存储装置及其制造方法
(CD30060-0310-0266)相变化存储器元件及其制造方法
(CD30060-0167-0267)一种相变存储元件的真空室热隔离
(CD30060-0161-0268)前体、包含该前体制备的薄层、制备该薄层的方法和相变存储设备
(CD30060-0216-0269)含有掺杂相变层的相变随机存取型存储器及其操作方法
(CD30060-0107-0270)形成具有小接触面积的相变存储器件的方法
(CD30060-0150-0271)相变存储器装置及其制造方法
(CD30060-0146-0272)在相变存储单元中形成相变层
(CD30060-0062-0273)用于相变存储器的含碳分界表面层
(CD30060-0088-0274)相变存储器及其制造方法
(CD30060-0125-0275)相变存储器的读取偏置方案
(CD30060-0197-0276)用于相变存储器器件的电极和方法
(CD30060-0169-0277)相变化存储单元及其制造方法
(CD30060-0104-0278)采用控制电流方法的相变存储元件驱动电路及其控制方法
(CD30060-0303-0279)具有参考单元阵列的相变存储器件
(CD30060-0156-0280)非易失性相变存储装置及其读取方法
(CD30060-0168-0281)相变随机存取存储器及控制其读取操作的方法
(CD30060-0079-0282)相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法
(CD30060-0149-0283)相变存储器存储单元及其制备方法
(CD30060-0119-0284)相变存储器件及其制造方法
(CD30060-0087-0285)相变存储单元和形成其的方法
(CD30060-0021-0286)相变存储器件及相关编程方法
(CD30060-0068-0287)场致发射的相变二极管存储器
(CD30060-0034-0288)相变存储装置及其制造方法
(CD30060-0317-0289)相变化存储器阵列及其制造方法
(CD30060-0052-0290)用于相变存储器的粘附层材料及制备方法
(CD30060-0086-0291)一种相变化存储器及其制造方法
(CD30060-0137-0292)具有可变驱动电压的相变随机存取存储器
(CD30060-0133-0293)薄膜熔丝相变随机存取存储器及其制造方法
(CD30060-0280-0294)相变化存储器装置及其制造方法
(CD30060-0176-0295)制造相变随机存取存储器的方法
(CD30060-0204-0296)用以制造柱状相变化存储元件的方法
(CD30060-0076-0297)一个相变材料存储设备的刷新存储器单元
(CD30060-0271-0298)相变化存储装置及其制造方法
(CD30060-0292-0299)一种新型的相变存储器的读操作方法
(CD30060-0054-0300)相变存储器件及其制造方法
☞ 15542181913 相变存储工艺生产工艺及应用 相变存储工艺生产工艺及应用
百创提供 相变存储工艺生产工艺及应用 相变存储工艺生产工艺及应用
打印本文 
关闭窗口