电路,半导体集成电路器件,集成电路静电,处理电路类技术资料
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电路,半导体集成电路器件,集成电路静电,处理电路类技术资料
作者:技术顾问    电子机械来源:百创科技    点击数:    更新时间:2021/3/25
SY2104-0002-0001、 自动更新电子交通地图的方法及系统
摘要、 本发明公开了一种自动更新电子交通地图的方法及其所用系统。该方法及系统借助于GPS车载定位系统,自动完成对电子交通地图的更新和修改,从而可以及时地对动态变化的交通线路进行跟踪并对原有的电子交通地图进行动态更新,同时这种系统还可以大大减少对人工干预的需要,并且可以更好地体现地图使用者的意愿。
SY2104-0023-0002、 制造混合线路的方法
摘要、 为了加工具有厚度为400微米和35微米的导体的混合线路,其制造方法从用一种常规的钻孔操作来事先加工介电底板开始,该钻孔操作是根据印刷线路的最终设计来编程的。然后是在孔中进行石墨沉积并且进行所要求线路负片的印剂印刷。接着,通过腐蚀掉电解铜沉淀来形成印刷线路。一旦35微米的导体完全腐蚀,该面由抗腐层或印剂来保护以防止其被进一步腐蚀,且腐蚀继续进行直到完成较厚的400微米层的腐蚀。
SY2104-0173-0003、 制造半导体器件的清洗组合物和用其制备该器件的方法
一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物:0.01%~10%(重量)的HF、1%~10%(重量)的H2O2、0.01%~30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。
SY2104-0144-0004、 输出信号重复周期不同于输入信号的钳形运动延迟电路
摘要、 一种延迟电路具有一个沿一方向逐级传送输入脉冲(CLK10)的第一延迟线(11);一个沿相反方向逐级传送前述输入脉冲的第二延迟线(12);一个可有效实现对第一延迟线中有关各级的输出电位与第二延迟线中有关各级的输出电位进行比较的比较器,以检查各输出电位对是否在逻辑位上相互协合,当输出电位相互协合时,产生一输出定时信号,该输出定时信号的脉冲重复周期正好为输入脉冲信号的一半。
SY2104-0188-0005、 半导体器件的制作方法
摘要、 在制作半导体器件过程中,在形成于硅衬底之上的氧化硅膜上,形成具有预定厚度且与硅衬底电连接的非晶态硅层。当非晶态硅层在第一退火温度下退火时,通过辐射预定材料,在非晶态硅层表面形成成核体。把有成核体的非晶态硅层进行退火时,退火温度比第一退火温度低,同时在非晶态硅表面形成以成核体为中心的凸起。
SY2104-0099-0006、 环扣型手持电控装置
摘要、 一种环扣型手持电控装置是在其壳体表面设置一主控滚球及一显示屏,并在壳体横向贯设一个或一个以上的环型扣指孔,其内部则视功能需要提供电源、电机或电子电路或相关软件构成功能电路的结合设置还可依功能需要而设置一种或一种以上的可选介面装置藉此与主控滚球所产生的数字或模拟信号及显示屏进行相对互动,以利于悬空扣持操作。
SY2104-0060-0007、 视频信号重放电路
摘要、 本发明的目的在于提供一种采用铌酸锂基片制作的表面声波滤波器2并对其温度-频率特性进行补偿,且整体结构简单、生产成本低廉的视频信号重放电路。其具有接收播放信号并将其变换成中频信号的调谐部分1;连接在调谐部分1的输出端上的表面声波滤波器2,使调谐部分1或者调谐部分1和视频均衡电路4分别具有温度-频率特性,产利用此特性,来抵消表面声波滤波器2的温度-频率特性。
SY2104-0056-0008、 芯片型半导体装置的制造方法
摘要、 一种芯片型半导体装置的制造方法是在半导体晶片表面形成多个半导体元件的电极上形成了金属补片后,粘合在印刷电极图形的绝缘性基片的表面,使半导体元件的金属补片和绝缘性基片的电极图形接合。绝缘性基片和半导体晶片的尺寸、形状相同。接着,仅将半导体晶片按半导体元件的尺寸切断分别。然后,在切割成小方块切口灌入密封树脂,遮蔽被分割的半导体元件,使树脂硬化后,将树脂随着绝缘性基片按每个器件切断、分割。
SY2104-0122-0009、 具有端面对分通孔和内区通孔的半导体器件组件
摘要、 一种半导体器件组件,包括一电路衬底,安装于电路衬底上的半导体器件芯片,在电路衬底的一个端面上形成的按沿通孔中心轴对分的方法得到的多个端面对分通孔,其一个内侧面涂覆有导体膜,在电路衬底的一面上形成并与所述端面对分通孔连接的多个布线导体,在电路衬底的另一面形成并与所述端面对分通孔连接的多个外部电极,和用于部分覆盖所述外部电极以将外部电极导体一端与端面对分通孔分开。
SY2104-0137-0010、 半导体器件及其制造方法
摘要、 一种如BiCMOS的半导体器件,它包括一个至少有一发射区的双极晶体管。在发射区上形成一发射极电极。另外,在该发射区上方形成一个布线图形。以这样的结构形成多个接触头使发射极电极与布线图形电连接。在此情况下,接触头被部分地埋入发射极电极内以防止双极晶体管的电流放大系数下降。
SY2104-0162-0011、 水性墨用喷/涂/印刷基材表面处理剂组合物
SY2104-0127-0012、 加工电池卷绕体的装置及传送电池卷绕体的装置和方法
SY2104-0017-0013、 具有新布图的半导体器件
SY2104-0079-0014、 写控制驱动器电路
SY2104-0049-0015、 半导体器件制造工艺
SY2104-0197-0016、 高频电子仪器
SY2104-0121-0017、 用于直接点燃电站煤粉锅炉的等离子点火装置
SY2104-0132-0018、 场效应管和含有场效应管的功率放大器
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SY2104-0118-0020、 停电应急照明的逆变电源
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