电路,集成电路制造,集成电路器件,放电保护电路类技术资料
SY2114-0141-0001、 半导体器件的制造方法
摘要、 一种半导体器件的制造方法可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源—漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在ＤＲＡＭ单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在ＤＲＡＭ单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。
SY2114-0012-0002、 内熔丝保护的干式自愈式高压电容器元件
摘要、 一种电压等级高、击穿后可靠灭弧并迅速退出运行且损耗小、寿命长的内熔丝保护的干式自愈式高压电容器元件，它由内含金属化电容和铝箔电容的卷制元件、喷金层和电极引线构成元件体，元件体放置在外壳内，其间填充有树脂，在元件内放置有与该元件电极串联的内熔丝，其特征在于，所说的金属化电容内的金属膜为多串结构，构成至少二个内串式电容，所说的内熔丝周围填充有石英砂。
SY2114-0014-0003、 阴极移位式Ｘ光管
一种Ｘ光管，由封装在真空玻壳内的阳极、电子集束屏和阴极移位盘等构成，阴极固定在阴极移位盘上与阳极靶面相对并可随阴极移位盘旋动，玻壳外面装有电机定子，阴极移位盘本身为转子或附着在转子上，阳极靶面形状随要求Ｘ光的辐射方向不同而不同，当要求Ｘ光向心内辐射时，阳极靶面呈弧形或全周环形，当要求Ｘ光向外周辐射时，阳极靶面呈锥形，此种Ｘ光管可使光源移动，提供宽区Ｘ射线光源，可随阴极的移位区间来获得不同范围的各类径向平面为主的向心内或向心外辐射的Ｘ光束。此种Ｘ光管应用于ＣＴ机中可大大提高扫描速度。
SY2114-0008-0004、 燃料电池组输出电压调整方法及输出电压可调整的燃料电池组
摘要、 一种燃料电池组输出电压调整方法其特征在于：在整个电池组中加装１～６个单元的备用电池，每单元备用电池包括１～５个单电池；当总电压低于额定值的下限时，部分或全部备用电池接入电路工作；当电池组输出电压高于额定值上限时，再切除这些备用电池。本发明易于实现，可靠性高。
SY2114-0026-0005、 制造半导体器件的方法
摘要、 本发明提供了制造半导体器件的方法其中离子以不超过１×１０１５厘米－２的剂量注入到氮化硅膜中，离子的注入范围为氮化硅膜的厚度的百分之二十到六十。如果需要高生产率而又不想要硅基片有缺陷时，这种方法能使氮化物膜的应力降低。
SY2114-0134-0006、 多层安装衬底上的表面安装式半导体封装
摘要、 本发明提供了一种具有一个半导体芯片和一个能被安装到多层安装衬底上的安装表面，该安装表面至少有一个高度变换区域，在高度上向半导体封装的一个互连导出边下降，安装衬底的至少一部分互连通过半导体封装的互连导出边从多层安装衬底的一个安装区域向一个外部区域延伸，且其中高度变换区域有多个导电焊盘与多层至少一部分互连相连以使至少一部分多层互连在分别保持各自的高度的情况下从安装区域导出至外部区域。
SY2114-0113-0007、 柔性元件基片的制造方法及其制造装置
摘要、 一种在薄膜材料上印刷形成电阻体等作为制品的柔性元件基片制造方法目的在于提供能以卷筒状提供薄膜材料以提高生产率的方法。将印刷用掩模的全面积Ｓn等分成一定大小的面积Ｓ／n，在该Ｓ／n内设置２个以上加工用基准标记的图形，并在全面积Ｓ内设置２个以上对准标记的图形，同时在印刷机３的工作台埋设识别用构件，并用此进行图像识别以对准掩模的位置因而能进行高精度的印刷。
SY2114-0135-0008、 半导体集成电路装置
摘要、 振荡电路，提供低歪斜和低起伏的时钟信号和时钟分配电路或电路系统。因而可提供高速半导体集成电路装置。振荡器的振荡节点借助于闭合回路的导电布线共同连接。在连接点连接至导电布线，连接点之间的间距为基本相同的导电布线长度，以相同的相位和频率同步振荡。导电布线也可制备成网格状。振荡器为带有连接成环形的倒相器，至少一个倒相器的输出连接至导电布线。振荡器也可是延迟线。
SY2114-0070-0009、 在半导体晶片上形成电导接结构的方法
摘要、 一种在一半导体晶片上形成电导接结构的方法包括以下步骤：在该半导体晶片上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一钛金属层，作为粘着层；在该钛金属层上形成一氮化钛层，作为阻挡层；进行一快速热回火步骤；在该氮化钛层之上形成一钨金属层;以及进行等离子溅射，以去除在蚀刻室的晶片上的任何表面污染。根据本发明的方法可以避免氟化物的沉淀物的产生。
SY2114-0108-0010、 动态随机存取存储器的电容的制造方法
摘要、 一种制造ＭＩＭ结构的电容器的方法包括在基底上形成第一介电层；在介电层上形成接触开口；形成第一金属层覆盖于第一介电层上与接触开口之中；在此金属层上依次形成阻挡层、第二介电层、不连续的半球形颗粒的多晶硅层；蚀刻第二介电层；去除多晶硅层；蚀刻阻挡层与第一金属层；去除第二介电层；对已限定的阻挡层与第一金属层构图与蚀刻；形成第三介电层覆盖阻挡层、第一金属层与第一介电层；在第三介电层上形成第二金属层。
SY2114-0105-0011、 表面声波滤波器
SY2114-0155-0012、 机动两轮车的电池收容构造
SY2114-0010-0013、 质子交换膜燃料电池的双极板
SY2114-0021-0014、 一种便携式电子健美器
SY2114-0149-0015、 互补金属氧化物半导体静态随机存取存储器件
SY2114-0068-0016、 具有频率补偿的双重反馈控制电路
SY2114-0112-0017、 半导体器件及其制造方法
SY2114-0090-0018、 具有电致回缩制动元件的执行器
SY2114-0045-0019、 使用偶极辐射元件的高隔离度双极化天线系统
SY2114-0154-0020、 具有识别电路、实时时钟及鉴别能力的充电电池组
SY2114-0006-0021、 一种高精度高低温相变电阻测试方法
SY2114-0067-0022、 综合型集成电路高温动态老化装置
SY2114-0152-0023、 一种用于电压降低变换器中产生电流脉冲的改进装置
SY2114-0015-0024、 一种纳米晶体锆基拉维斯相贮氢电极材料
SY2114-0054-0025、 半导体器件测试装置
SY2114-0084-0026、 同步器
SY2114-0145-0027、 改进的清洗和干燥半导体晶片的装置及方法
SY2114-0034-0028、 改进的冗余电路及其方法
SY2114-0146-0029、 半导体集成电路
SY2114-0104-0030、 用于电力变换器的噪声削减滤波器
SY2114-0036-0031、 干法腐蚀半导体层的工艺和设备
SY2114-0098-0032、 可变频率振荡器
SY2114-0094-0033、 碱性蓄电池正电极的活性材料及其制备方法
SY2114-0028-0034、 ＭＩＳ半导体器件及其制造方法
SY2114-0123-0035、 信号传输电路、ＣＭＯＳ半导体器件以及线路板
SY2114-0024-0036、 接口电路
SY2114-0132-0037、 可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅－硅化物栅极叠层
SY2114-0144-0038、 半导体器件及其制造方法
SY2114-0069-0039、 电梯开关门内部电路的改进方法
SY2114-0147-0040、 运算放大器
SY2114-0030-0041、 非易失性半导体存储器
SY2114-0007-0042、 质子交换膜燃料电池的蒸发排热方法及燃料电池组
SY2114-0062-0043、 阴极射线管
SY2114-0055-0044、 薄型的电缆调制解调器和安装该调制解调器的支架
SY2114-0119-0045、 能够在更高速度下工作的发射级耦合逻辑电路
SY2114-0037-0046、 静电放电保护电路
SY2114-0102-0047、 用于一种电子装置的壳体组件
SY2114-0080-0048、 具有以亚模块方式集成的冷却器的功率半导体模块
SY2114-0072-0049、 阴极射线管管座和使用该管座的阴极射线管组件
SY2114-0101-0050、 光衰减器及分别有光衰减器的系统、光放大器和终端设备
SY2114-0156-0051、 钌酸钴热敏电阻
SY2114-0046-0052、 纺机用甬道元件
SY2114-0107-0053、 校正数字多载波信号相位和／或频率误差方法和电路装置
SY2114-0073-0054、 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
SY2114-0096-0055、 电子双路开关电路
SY2114-0017-0056、 磁效应充电器
SY2114-0153-0057、 具有识别电路、实时时钟及鉴别能力的充电电池组
SY2114-0085-0058、 同步器
SY2114-0089-0059、 与扩展模块一起使用的基础电路卡
SY2114-0038-0060、 减少了衬底缺陷的ＣＭＯＳ集成电路
SY2114-0092-0061、 半导体加工数据的集成管理
SY2114-0111-0062、 半导体集成电路和半导体器件以及两者的制造方法
SY2114-0130-0063、 断路器等模块化电气开关装置的装配和电连接器
SY2114-0100-0064、 动态随机存取存储器电容器的制造方法
SY2114-0043-0065、 有浅沟槽隔离的集成电路器件
SY2114-0064-0066、 微波元件
SY2114-0066-0067、 寻呼机电路的改进方法
SY2114-0061-0068、 梯形滤波器
SY2114-0079-0069、 时钟延迟电路和使用其的振荡电路、相位同步电路
SY2114-0148-0070、 碱性蓄电池
SY2114-0016-0071、 耐高温耐高压耐磨擦精密铸造合金感温元件保护头
SY2114-0039-0072、 封装的集成电路器件
SY2114-0126-0073、 在集成电路上形成电可熔断熔丝的制造方法
SY2114-0011-0074、 接触电容脉冲发电装置
SY2114-0005-0075、 一种高精度高低温相变电阻测试设备
SY2114-0056-0076、 声场校正电路
SY2114-0071-0077、 半导体装置及其制造方法
SY2114-0077-0078、 半导体组件和测试与运作一个半导体组件的方法
SY2114-0050-0079、 构成阴极射线管中红滤光膜的方法
SY2114-0125-0080、 半导体器件
SY2114-0020-0081、 一种带电容滤波的电磁炉电路
SY2114-0143-0082、 频率变换装置
SY2114-0103-0083、 具有高介电常数介质层的半导体器件电容器的制造方法
SY2114-0048-0084、 电池
SY2114-0053-0085、 平面化半导体基片的方法
SY2114-0049-0086、 用于电子元件组件的焊料结构及其应用方法
SY2114-0131-0087、 控制由加工半导体的沉积设备所形成的膜层厚度的方法
SY2114-0140-0088、 堆叠形动态随机存取存储器的电容器的制造方法
SY2114-0032-0089、 半导体基片的处理系统及处理方法
SY2114-0023-0090、 半导体集成电路器件
SY2114-0122-0091、 数字式模拟信号／数字信号的转换电路
SY2114-0009-0092、 一种采用分室结构的燃料电池组
SY2114-0088-0093、 同步器
SY2114-0087-0094、 销式同步器
SY2114-0018-0095、 电脉冲发生器
SY2114-0042-0096、 具有小宽／长比的闭合晶体管
SY2114-0081-0097、 基准电路及其方法
SY2114-0003-0098、 一种气体雾化微晶贮氢电极合金
SY2114-0074-0099、 存储单元数据内容计值的电路装置
SY2114-0001-0100、 红外辐射电热薄膜及其生产方法
SY2114-0082-0101、 半导体器件及其制造方法
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SY2114-0057-0103、 电连接器和其制造方法
SY2114-0127-0104、 功率放大器预失真校正装置与方法
SY2114-0013-0105、 干式自愈式高压电力电容器
SY2114-0139-0106、 用于彩色阴极射线管的孔障栅
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SY2114-0063-0109、 二次电池
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SY2114-0075-0112、 存储单元数据内容计值的电路装置
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SY2114-0097-0114、 电子开关
SY2114-0133-0115、 控制半导体制造设备的方法
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SY2114-0058-0117、 减少集成电路制造过程中侧壁堆积的金属蚀刻方法
SY2114-0065-0118、 微波元件
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SY2114-0129-0121、 集成电路制造方法及结构
SY2114-0083-0122、 同步器
SY2114-0091-0123、 绕线式电子部件
SY2114-0025-0124、 将内引线焊接到半导体器件电极的焊接结构
SY2114-0040-0125、 数字锁相环电路以及方法
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SY2114-0118-0127、 半导体器件及其制造方法
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SY2114-0019-0131、 至少使两个元件柔性连接的装置
SY2114-0027-0132、 电子元件的小片接合方法及其小片接合装置
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SY2114-0136-0134、 半导体器件
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SY2114-0124-0139、 峰值保持电路和包括它的红外线通信装置
SY2114-0060-0140、 电解电容器及其制造方法
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SY2114-0137-0143、 阴极射线管
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SY2114-0121-0145、 放大电路的线性调节装置
SY2114-0114-0146、 电容式传声器的一体型固定连接器
SY2114-0109-0147、 纵向晶体管
SY2114-0051-0148、 半导体器件用托盘取出兼收存装置
SY2114-0120-0149、 数控振荡电路和锁相环电路
SY2114-0078-0150、 具备电容器的半导体装置及其制造方法
SY2114-0076-0151、 电路断路器
SY2114-0117-0152、 适配滤波器和定时检测方法
SY2114-0086-0153、 同步器
SY2114-0115-0154、 多元件电容器
SY2114-0033-0155、 控制系统中半导体制造设备的预防性维护周期控制方法
SY2114-0116-0156、 驱动电路
SY2114-0157-0157、 音箱高中频声压可控低频多通道电路
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摘要、 一种半导体器件的制造方法可消除半导体器件制造时因对准偏差引起的工序缺陷，使工序简化。本方法包括工序：在衬底上形成栅电极，在栅电极两侧壁上形成隔离层，在栅电极两边侧衬底内部形成源—漏用有源区域，在衬底面上形成绝缘膜，对绝缘膜刻蚀处理、仅在ＤＲＡＭ单元形成部的栅电极间的有源区域表面自对准地留下绝缘膜，在ＤＲＡＭ单元形成部的栅电极表面及以外的任意区域的栅电极和有源区域表面分别形成硅化物膜。
SY2114-0012-0002、 内熔丝保护的干式自愈式高压电容器元件
摘要、 一种电压等级高、击穿后可靠灭弧并迅速退出运行且损耗小、寿命长的内熔丝保护的干式自愈式高压电容器元件，它由内含金属化电容和铝箔电容的卷制元件、喷金层和电极引线构成元件体，元件体放置在外壳内，其间填充有树脂，在元件内放置有与该元件电极串联的内熔丝，其特征在于，所说的金属化电容内的金属膜为多串结构，构成至少二个内串式电容，所说的内熔丝周围填充有石英砂。
SY2114-0014-0003、 阴极移位式Ｘ光管
一种Ｘ光管，由封装在真空玻壳内的阳极、电子集束屏和阴极移位盘等构成，阴极固定在阴极移位盘上与阳极靶面相对并可随阴极移位盘旋动，玻壳外面装有电机定子，阴极移位盘本身为转子或附着在转子上，阳极靶面形状随要求Ｘ光的辐射方向不同而不同，当要求Ｘ光向心内辐射时，阳极靶面呈弧形或全周环形，当要求Ｘ光向外周辐射时，阳极靶面呈锥形，此种Ｘ光管可使光源移动，提供宽区Ｘ射线光源，可随阴极的移位区间来获得不同范围的各类径向平面为主的向心内或向心外辐射的Ｘ光束。此种Ｘ光管应用于ＣＴ机中可大大提高扫描速度。
SY2114-0008-0004、 燃料电池组输出电压调整方法及输出电压可调整的燃料电池组
摘要、 一种燃料电池组输出电压调整方法其特征在于：在整个电池组中加装１～６个单元的备用电池，每单元备用电池包括１～５个单电池；当总电压低于额定值的下限时，部分或全部备用电池接入电路工作；当电池组输出电压高于额定值上限时，再切除这些备用电池。本发明易于实现，可靠性高。
SY2114-0026-0005、 制造半导体器件的方法
摘要、 本发明提供了制造半导体器件的方法其中离子以不超过１×１０１５厘米－２的剂量注入到氮化硅膜中，离子的注入范围为氮化硅膜的厚度的百分之二十到六十。如果需要高生产率而又不想要硅基片有缺陷时，这种方法能使氮化物膜的应力降低。
SY2114-0134-0006、 多层安装衬底上的表面安装式半导体封装
摘要、 本发明提供了一种具有一个半导体芯片和一个能被安装到多层安装衬底上的安装表面，该安装表面至少有一个高度变换区域，在高度上向半导体封装的一个互连导出边下降，安装衬底的至少一部分互连通过半导体封装的互连导出边从多层安装衬底的一个安装区域向一个外部区域延伸，且其中高度变换区域有多个导电焊盘与多层至少一部分互连相连以使至少一部分多层互连在分别保持各自的高度的情况下从安装区域导出至外部区域。
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摘要、 一种在薄膜材料上印刷形成电阻体等作为制品的柔性元件基片制造方法目的在于提供能以卷筒状提供薄膜材料以提高生产率的方法。将印刷用掩模的全面积Ｓn等分成一定大小的面积Ｓ／n，在该Ｓ／n内设置２个以上加工用基准标记的图形，并在全面积Ｓ内设置２个以上对准标记的图形，同时在印刷机３的工作台埋设识别用构件，并用此进行图像识别以对准掩模的位置因而能进行高精度的印刷。
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摘要、 振荡电路，提供低歪斜和低起伏的时钟信号和时钟分配电路或电路系统。因而可提供高速半导体集成电路装置。振荡器的振荡节点借助于闭合回路的导电布线共同连接。在连接点连接至导电布线，连接点之间的间距为基本相同的导电布线长度，以相同的相位和频率同步振荡。导电布线也可制备成网格状。振荡器为带有连接成环形的倒相器，至少一个倒相器的输出连接至导电布线。振荡器也可是延迟线。
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摘要、 一种在一半导体晶片上形成电导接结构的方法包括以下步骤：在该半导体晶片上形成一绝缘层；在该绝缘层上形成一钛金属层，作为粘着层；在该钛金属层上形成一氮化钛层，作为阻挡层；进行一快速热回火步骤；在该氮化钛层之上形成一钨金属层;以及进行等离子溅射，以去除在蚀刻室的晶片上的任何表面污染。根据本发明的方法可以避免氟化物的沉淀物的产生。
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