电晶体工艺技术资料-晶体管汽车-效电晶体-改变晶体类资料
sy13056-0591-0001、薄膜晶体管及其电子器件和制造方法
0845-0002、利用光子晶体异质结提高有机电致发光器件色纯度的方法
0829-0003、具有静电防护的薄膜晶体管的阵列基板
0125-0004、桥式开关晶体管回扫变压器的驱动电路
0197-0005、逆变电路绝缘栅双极型晶体管的三重保**
0251-0006、集电极朝上的射频功率晶体管
0088-0007、用晶体管作偏置元件的共基极放大电路
0576-0008、薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法
0872-0009、具有用于阵列晶体管的外延SiC和/或碳化的沟道的低暗电流图像传感器
0726-0010、晶体管、其制造方法及电光学装置用基板
0416-0011、一种超声探头压电晶体防损耗装置
0063-0012、采用SiC开关晶体管的车辆用交流发电机
0109-0013、晶体管稳压开关整流电路
0508-0014、薄膜晶体管、布线基板、显示装置以及电子设备
0052-0015、具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管
0141-0016、一种晶体三极管并联使用电路
0409-0017、点接触平面栅型单电子晶体管
0342-0018、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器
0009-0019、超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
0269-0020、铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用
0758-0021、光敏树脂组合物、使用该光敏树脂组合物制造薄膜晶体管基板的方法和制造共电极基板的方法
0760-0022、导电性薄膜和薄膜晶体管
0283-0023、一种使红外发光二极管和光敏晶体管在水中使用的电路
0447-0024、静电放电保护装置的晶体管制造方法
0687-0025、薄膜晶体管阵列基板、液晶显示面板及其静电防护方法
0229-0026、供晶体生长装置内电阻加热器用的电极装配
0605-0027、具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法
0207-0028、一种纳米晶体锆基拉维斯相贮氢电极材料
0667-0029、导电态聚*/纳米晶体TiO2异质结二极管及制备方法
0016-0030、用于高频晶体管工作点调整的电路布置和放大器电路
0510-0031、一种输入级晶体管EB间带有电阻的达林顿开关晶体管
0020-0032、具减低捕捉之三族氮化物基础场效晶体管和高电子移动晶体管及其制造方法
0234-0033、用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法
0117-0034、晶体管输出电流检测器
0465-0035、电性程序化的金属氧化半导体晶体管源极/漏极串联电阻
0146-0036、具有两个晶体管和两个变压器的电子镇流器
0578-0037、具有多数载流子累积层作为子集电极的双极晶体管
0268-0038、铁电晶体管
0472-0039、水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
0583-0040、薄膜元件制造方法、薄膜晶体管电路板、有源矩阵型显示装置
0509-0041、使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合物绝缘体、以及使用该化合物半导体和化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和储存器
0728-0042、包括LDMOS晶体管的电子器件
0068-0043、晶体性半导体膜的形成方法、薄膜晶体管的制造方法、太阳电池的制造方法及其有源阵列型液晶装置
0346-0044、一种片上两路电源自动切换低功耗晶体振荡器
0490-0045、水平电场型薄膜晶体管基板及使其中缺陷像素变暗的方法
0516-0046、电可配置光子晶体
0693-0047、包含用于高频应用的场效应晶体管的电子器件
0161-0048、击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管
0064-0049、万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法
0614-0050、具有绝缘沟槽栅电极的横向场效应晶体管
0649-0051、金氧半导体电晶体以及记忆体元件的制造方法
0285-0052、具有在金属氧化物介质层中的电荷存储纳米晶体的集成电路器件栅结构及其制造方法
0403-0053、压电晶体传感器
0761-0054、*化镓基增强/耗尽型膺配高电子迁移率晶体管材料
0911-0055、双面透光的全有机场效应光电晶体管及其制备方法
0714-0056、人工合成电气石结晶体及其制备方法
0335-0057、高电压垂直晶体管的分段式柱布局
0246-0058、具有含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器
0256-0059、铁电场效应晶体管及其制备方法
0225-0060、用于多极单块晶体滤波器的电连接结构和方法
0317-0061、包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层
0040-0062、薄膜电晶体液晶显示器的背光模组
0165-0063、藉前置光-电转换元件驱动的绝缘栅双极晶体管
0298-0064、四端晶体管衬底电阻网络模型
0602-0065、以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置
0138-0066、包含功率晶体管过电流保护电路的负载驱动装置
0124-0067、具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
0419-0068、一种主开关电源专用的开关晶体管
0233-0069、薄膜晶体管的电学性能模型
0284-0070、薄膜晶体管型液晶显示屏源驱动芯片的电荷回收电路
0131-0071、镓铟*(GaInAs、横向光电晶体管及其集成技术
0588-0072、函数发生电路及温度补偿型晶体振荡器
0167-0073、薄膜晶体管的制造方法、使用该方法的液晶显示装置和电子设备
0982-0074、可稳定架设晶片的电晶体
0690-0075、用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法
0359-0076、汽车交流发电机晶体管电压调节器
0150-0077、复原非晶硅薄膜晶体管器件阈值电压漂移的装置
0524-0078、具有带NMOS晶体管的像素的电致发光显示装置
0348-0079、晶体管恒压充电电源
0180-0080、减少寄生电阻和电容的场效应晶体管
0431-0081、一种利用压电石英晶体传感器检测微生物的方法及装置
0618-0082、晶体管电平移位电路
0306-0083、超大晶体硅太阳能电池组件连续式固化炉
0300-0084、内含单一类型晶体管的逻辑电路及相关应用电路
0069-0085、抑制晶体缺陷、降低漏电流的器件隔离膜形成方法
0071-0086、控制导通带绝缘栅电极的双极晶体管的方法及装置
0561-0087、铁电存储晶体管及其形成方法
0968-0088、电荷平衡的绝缘栅双极晶体管
0005-0089、以薄膜晶体管所完成的低操作电压电平移位器
0983-0090、可隔绝电气干扰的电晶体结构
0861-0091、具有辐射结构和隔离效果的高电压和低导通电阻晶体管
0488-0092、单片式压电铁电晶体多功能**湿度传感器
0919-0093、EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构及制作方法
0309-0094、具有高精度阈值电压的MOS晶体管的制造方法
0946-0095、P型功率晶体管控制电路
0312-0096、以有机晶体管为基础的印刷电路单元
0266-0097、用于控制一个电感负载的功率晶体管的过压保护电路
0157-0098、有最佳静电放电保护的输入/输出晶体管
0482-0099、场效应晶体管集成电路以及形成集成电路的方法
0429-0100、具多个共通电压驱动电路的多晶硅薄膜晶体管液晶显示器
0832-0101、采用门电路击穿现象的3.5晶体管非逸失性存储单元
0542-0102、两端垂直结构的碳纳米管晶体管做的单电子存储器及制法
0732-0103、电极基板、薄膜晶体管、显示装置、及其制造方法
0835-0104、驱动开关电源变换器中的双极晶体管的系统与方法
0766-0105、一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法
0054-0106、包含薄膜晶体管的电子器件
0353-0107、压电晶体检测式涡街流量变送器
0370-0108、汽车发电机晶体管调节器
0747-0109、用于增强的晶体管驱动的电荷恢复
0771-0110、具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管
0927-0111、铝基晶体硅颗粒太阳电池及其制备方法
0681-0112、晶体管集成电路装置及其制造方法
0347-0113、场效应晶体管数字量输出电路
0862-0114、Ⅲ-V族高电子迁移率晶体管器件
0226-0115、数码阵列晶体管焊接电源
0794-0116、电阻内置型双极晶体管
0903-0117、一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法
0332-0118、晶体硅太阳能电池的热处理方法
0473-0119、水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
0289-0120、用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺
0838-0121、低硅高钙单晶体电熔镁砂熔炼方法
0754-0122、具有一隔离结构的高电压LDMOS晶体管
0763-0123、电子功能材料的取向处理方法和薄膜晶体管
0733-0124、半导体元件有机晶体管发光器件和电子器件
0819-0125、由XⅢ族元素氮化物层制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法
0559-0126、具有稳定开关特性的单电子晶体管
0438-0127、薄膜晶体管、有源矩阵基板、显示装置和电子设备
0937-0128、四晶格位结构压电晶体
0188-0129、带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管
0648-0130、包含电容器及较佳平面式晶体管的集成电路装置及制造方法
0398-0131、插接桥式端子的晶体电路插槽
0673-0132、使用多个选通晶体管的具有改进线性的有源电路
0735-0133、图案形成方法有机场效应晶体管的制造方法以及柔性印刷电路板的制造方法
0782-0134、薄膜晶体管及薄膜晶体管基板及它们的制造方法及使用了它们的液晶显示装置及相关的装置及方法以及溅射靶及使用它成膜的透明导电膜及透明电极及相关的装置及方法
0639-0135、晶体振荡电路
0177-0136、绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
0672-0137、晶体管和半导体电路的制造方法
0930-0138、作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐
0039-0139、高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺
0849-0140、复合隔离层氮化物高电子迁移率晶体管外延结构及制造方法
0653-0141、一种用于降低集成电路中晶体管内电流密度的布局
0120-0142、负载电流无直流漂移或信号反相的可控增益晶体管放大器
0836-0143、对互补金属氧化物半导体集成电路的NMOS和PMOS晶体管使用不同栅电介质
0679-0144、电光双折射晶体的傅立叶合成器及其制备方法
0035-0145、局部改变晶体材料的电子和光电性能的方法以及由这种材料制造的器件
0209-0146、具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
0795-0147、薄膜晶体管阵列基板、其静电放电保护元件及其制造方法
0788-0148、石英晶体振动器、振荡器以及电子设备
0573-0149、单片光电集成电路的调制掺杂闸流管和互补晶体管组合
0343-0150、用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
0799-0151、晶体管的电极结构和包括该结构的像素结构及显示装置
0301-0152、利用改进的NPN双极晶体管基极接入电阻的方法和器件
0511-0153、具有隔离结构的高电压LDMOS晶体管
0749-0154、具有三个电气隔离的电极的晶体管及形成方法
0439-0155、晶体管制造方法和电光装置以及电子仪器
0729-0156、基于微光机电系统的可调节人工晶体
0494-0157、集成电路元件与晶体管元件以及微电子元件及其制造方法
0896-0158、介电层与薄膜晶体管
0127-0159、电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固、材料制备方法
0793-0160、横向双扩散场效应晶体管及含有它的集成电路
0870-0161、由MOS晶体管进行开关的电容器阵列
0647-0162、氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
0089-0163、晶体管直流电压变换电路
0962-0164、使用低压晶体管的高压电源开关
1013-0165、具有高稳定性支架的晶体罩继电器
0776-0166、铟镓磷增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
0323-0167、层压一体式晶体硅太阳能光电装置及其生产方法
0420-0168、一种晶体硅太阳能电池组件冷却装置
0356-0169、一种小型晶体管稳流充电装置
0546-0170、抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
0598-0171、一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法
0839-0172、薄膜晶体管液晶显示器面板栅极驱动电路的电源电路
0339-0173、晶体发光电子照明灯
0363-0174、晶体管电脉冲捕鱼装置
0978-0175、场效电晶体的散热装置
0676-0176、电子器件薄膜晶体管结构和使用该电子器件的平板显示器
1023-0177、电磁炉功率晶体管的检测保护电路
0223-0178、具有垂直晶体管的集成电路布置结构和该布置结构的制造方法
0478-0179、低开启电压*化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
0781-0180、欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置
0264-0181、全耗尽型集电极硅绝缘体双极晶体管
0575-0182、晶体管电路、显示面板和电子装置
0925-0183、一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
0311-0184、由低压VCC供电的差分晶体管对电流开关
0821-0185、横向双载子接面电晶体及其形成方法
0128-0186、多元阵列压电晶体嗅觉生物感测装置
0137-0187、蓝宝石平面上的氧化锌压电晶体膜
0110-0188、一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管
0190-0189、通过具不同击穿电压的场效应晶体管释放电流的保护电路
0783-0190、包括自对准栅电极的有机晶体管及其制造方法
0670-0191、一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
0784-0192、一种电阻加热垂直多坩埚晶体下降法生长系统
0897-0193、N型衬底的单面引出电极晶体硅电池及制造方法
0644-0194、具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法
0631-0195、薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的有机电致发光显示器
0059-0196、压电曲片式水声器晶体装置
0118-0197、晶体管正反馈开关电路
0162-0198、金属氧化物场效应管与双极静电感应晶体管复合结构器件
0030-0199、电源单元晶体管驱动方法及记录媒质
0425-0200、具有备用信号线的薄膜电晶体阵列
0665-0201、铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
0547-0202、纤维素和电气石纳米晶体复合材料及其制备方法和及其用途
0295-0203、晶体振荡器电路
0010-0204、电流控制的金属氧化物半导体晶体管放大电路
0047-0205、无晶体管结崩溃效应的电位转换电路
0916-0206、晶体硅太阳能电池背电极
0001-0207、带抵消阈电压变化的补偿驱动晶体管的电流驱动光电部件如有机场致发光显示器
0073-0208、晶体管—晶体管逻辑型门高到低跃变加速电路
0290-0209、可提升静电放电耐受力的晶体管与其布局方法
0451-0210、晶体管电路和升压电路
0778-0211、光电晶体管
0176-0212、晶体震荡器的温度补偿电路
0787-0213、晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置
0875-0214、薄膜电晶体的制造方法
0895-0215、全N型晶体管高端电流镜
0534-0216、金属氧化物半导体电晶体的制造方法
0514-0217、近似n次函数发生装置和温度补偿晶体振荡电路
0144-0218、晶体谐振式小型数显电子秤
0661-0219、薄膜晶体管的制造方法、电光学装置和电子仪器
0126-0220、晶体管功放电路的附加电路
0711-0221、基于碳纳米管的单电子晶体管制备方法
0773-0222、微细结构、微机械、有机晶体管、电器及其制造方法
0818-0223、静电放电保护结构及包括其的薄膜晶体管基板
0774-0224、电路板及防止电路板上晶体振荡器电磁干扰的方法
0148-0225、一种薄膜电晶体制作改进方法
0918-0226、用于制备取向的PZT电容器的晶体构造电极的方法
0967-0227、基于硅酸稼镧晶体1.3μm电光开关的人眼安全拉曼激光器
0904-0228、一种硅基平面侧栅单电子晶体管及其制作方法
0636-0229、晶体消光比半波电压及波片相位延迟的智能综合测量仪
0812-0230、压电氧化物单晶体的电荷抑制方法及设备
0550-0231、电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
0924-0232、一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法
0369-0233、电子定时预热启动的晶体管镇流器
0854-0234、薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
0015-0235、透明导电膜前电极晶体硅太阳能电池
0238-0236、用于晶体生长装置的电阻加热器及其使用方法
0562-0237、双极型晶体管、振荡电路及电压控制型振荡器
0375-0238、无回位弹簧的晶体管电磁泵
0517-0239、含有场效应晶体管的集成电路及其制造方法
0090-0240、集成双板晶体管的集电极接触
0011-0241、包含有导电珠粒的薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
0453-0242、高电阻率碳化硅单晶体及制造方法
0481-0243、负微分电阻场效应晶体管及其电路
0189-0244、晶体振荡器的温度补偿电路及其方法
0979-0245、晶体管开关电源
0570-0246、使用栅极耦合金氧半场效晶体管的静电保护电路
0691-0247、纵向双极晶体管的制造方法和集成电路
0533-0248、包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置
0998-0249、晶体硅太阳电池组件用接线盒的导电体结构
0850-0250、有机绝缘体组合物、有机绝缘膜、有机薄膜晶体管和电子设备以及形成这些产品的方法
0371-0251、电力晶体三极管
0980-0252、电晶体测试模组的压入装置
0956-0253、绝缘栅型晶体管以及逆变器电路
0762-0254、具有多层电极的有机薄膜晶体管
0093-0255、开关晶体管的保护电路结构
0200-0256、函数发生电路、晶体振荡装置以及晶体振荡装置的调整方法
0646-0257、在电场下确定晶体取向的压电陶瓷及其制造方法
0938-0258、金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法
0060-0259、采用偏置和端接的PNP晶体管链的静电放电保护电路
0296-0260、制造受应力电晶体结构的集成制程
0350-0261、晶体管、厚膜集成电路混合式电子调节器
0390-0262、改进的电晶体填胶模具
0986-0263、集成电路晶体管
0632-0264、具有异向性高介电值栅极介电构造的晶体管组件
0095-0265、减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
0744-0266、薄膜晶体管液晶显示器的驱动电路及其降低功耗方法
0512-0267、在高纯碳化硅晶体中产生半绝缘电阻率的方法
0248-0268、静电控制的隧道晶体管
0282-0269、纳米碳素晶体材料及其制备电热板的方法
0579-0270、面向工艺移植的晶体管级集成电路优化方法
0239-0271、场效应晶体管控制之交直流电源转换电路及其应用
0305-0272、晶体硅太阳能电池
0505-0273、具有铅直晶体管及渠沟电容内存胞元之动态随机存取内存及其制造方法
0454-0274、使用负向到正向电压摆动转换晶体管的主动式像素单元
0206-0275、晶体管“共集-共基”、“共集-共基-共集”放大电路
0399-0276、音像器材交流电源晶体管滤波器
0017-0277、一种高强度高导电性纳米晶体铜材料及制备方法
0019-0278、晶体管的光能对电能转换驱动电路
0408-0279、单电子晶体管
0530-0280、翅片场效应晶体管及电路
0708-0281、P-沟道功率MIS场效应晶体管和开关电路
0367-0282、耐高电压的场效应功率晶体管固体组件、
0767-0283、静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法
0901-0284、一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法
0692-0285、金属氧化物半导体晶体管电路
0208-0286、具有直接耦合级的晶体管电路
0574-0287、具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
0210-0288、具有薄膜晶体管的电子器件、矩阵器件、光电显示器件和半导体存贮器
0368-0289、一种汽车发电机晶体管调节器
0755-0290、设有浮置扩散栅电容的四晶体管CMOS图像传感器
0539-0291、具有三维光子带隙的周期金属/介电结构光子晶体及制备方法
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