硅基片工艺技术资料-处理基片-头基片-反射涂层基片类资料
0091-0001、硬盘新型玻璃基片的制作方法
0020-0002、磁盘用微晶玻璃基片
0037-0003、在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法
0054-0004、具有基片触点和多晶硅桥接单元的半导体只读存储装置
0002-0005、在硅基片上形成通孔或凹陷的方法
0032-0006、掺杂硅基片
0030-0007、除去基片的LED显示组件和其制造方法
0068-0008、陶瓷基片非晶硅薄膜太阳能电池
0075-0009、粘合基片及其制造方法、以及其中使用的晶片外周加压用夹具类
0081-0010、采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法
0062-0011、复合蓝色水晶衬底基片及其制备方法
0117-0012、供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
0034-0013、半导体基片及其制作方法
0018-0014、SOI基片及其制造方法
0097-0015、具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法
0056-0016、采用底座基片的发送器阵列的老化
0061-0017、用于向基片施加均匀薄液层的设备和方法
0104-0018、用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液
0126-0019、用于给基片进行表面处理的装置和方法
0063-0020、半导体基片
0129-0021、复合蓝色水晶衬底基片
0083-0022、基片、制备和用途
0047-0023、阵列印刷用基片
0074-0024、半导体基片及其制造方法
0128-0025、键盘电路单层薄膜基片及防水硅胶按键开关
0105-0026、基片湿处理过程中化学液加热方法及装置
0073-0027、光学元件安装用基片及其制造方法
0089-0028、一种醛基修饰的蛋白质芯片基片及其制作方法
0012-0029、氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
0066-0030、一种基片清洗装置
0004-0031、一种磁记录盘玻璃基片离子交换表面增强方法
0110-0032、薄膜集成电路的制造方法和元件基片
0010-0033、玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片
0043-0034、用于减少光学基片反射的涂层、方法和设备
0102-0035、玻璃基片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
0042-0036、感光绝缘膏和厚膜多层电路基片
0119-0037、玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
0051-0038、硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法
0082-0039、制造抗反射涂层基片的方法
0052-0040、一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
0125-0041、一种半导体基片热沉复合材料的制备方法
0093-0042、玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
0079-0043、有源矩阵基片及其制造方法
0003-0044、具有硅基片和/或溶胶-凝胶衍生的负载结构的燃料电池
0080-0045、基片缺陷修补装置
0015-0046、磁盘用基片、磁盘及磁盘用基片的制造方法
0094-0047、硅基片Ⅲ族氮基半导体生长方法
0064-0048、一种用于喷雕工艺的软基片
0121-0049、涂布的基片及其制备方法
0076-0050、玻璃基片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
0101-0051、在基片上形成的电子器件及其制造方法
0046-0052、在基片上成膜的方法和装置
0038-0053、具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
0005-0054、使用原子层沉积在基片上沉积高介电常数材料的方法
0008-0055、量子计算机的硅基片上的单分子阵列
0053-0056、表面等离子体共振响应基片的湿化学制备方法
0113-0057、太阳能电池基片绒面结构的形成方法
0016-0058、SOI基片的制造方法
0027-0059、腐蚀多孔硅用的腐蚀液、使用该腐蚀液的腐蚀方法及用该腐蚀液制作半导体基片的方法
0087-0060、光学研磨机及用其加工半导体用兰宝石晶体基片的方法
0106-0061、一种基片湿处理过程中化学液加热方法及装置
0078-0062、半导体基片的UV增强的氧氮化
0122-0063、使印墨图案固定在印刷基片/膜上的涂料制造方法
0044-0064、半导体基片及其制造方法
0049-0065、绝缘陶瓷、多层陶瓷基片和层叠的陶瓷电子部件
0123-0066、对外延基片减少高浓度参杂物外扩的方法
0077-0067、玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
0067-0068、陶瓷基片结晶硅薄膜太阳能电池
0099-0069、基片处理设备的清洁基片及其优选的耐热性树脂
0118-0070、在玻璃基片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
0033-0071、SOI基片及其制造方法
0050-0072、含硅锗层的互补金属氧化物半导体器件和基片及形成方法
0098-0073、从基片上除去残留物的组合物及其方法
0041-0074、感光绝缘膏和厚膜多层电路基片
0031-0075、半导体基片的制作方法
0086-0076、单晶硅基片表面自组装稀土纳米膜的制备方法
0124-0077、压容式传感器基片成腔方法
0011-0078、半导体基片及其制造方法
0120-0079、喷墨头基片和喷墨头及其制造方法
0040-0080、多晶硅的制造方法和装置以及太阳能电池用硅基片的制造方法
0029-0081、磁盘基片用的玻璃-陶瓷及其制法
0107-0082、玻璃基片表面自组装硅烷纳米膜的制备方法
0127-0083、含软塑料基片的硅胶按键
0028-0084、半导体基片的制作方法
0058-0085、在沿，1100，方向切割的基片上生长的碳化硅外延层
0103-0086、玻璃基片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
0069-0087、溅射法在硅基片上制备高巨磁电阻效应纳米多层膜及其制备方法
0055-0088、抛光存储器硬盘用基片的抛光组合物及抛光方法
0021-0089、补偿翘曲和形变的玻璃基片处理方法
0112-0090、硅SOI基片上制造检测磁场/压力MOSFET的方法
0095-0091、薄膜晶体管基片
0092-0092、玻璃基片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
0072-0093、一种在基片上固定化和伸展核酸的方法
0035-0094、用于信息存储媒体的玻璃陶瓷基片
0013-0095、复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法
0096-0096、硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法
0014-0097、用于处理含硅基片的混合物
0024-0098、对经液体处理后的基片进行干燥的方法和装置
0109-0099、在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
0023-0100、半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法
0114-0101、发光器件基片的蚀刻
0017-0102、SOI基片及其制造方法
0025-0103、复合聚酯胶片其制法及其作为最终应用涂层基片的应用
0108-0104、玻璃基片表面自组装硅烷稀土复合纳米膜的制备方法
0009-0105、糙化结合至基片的铜表面的方法
0001-0106、半导体基片制造方法、半导体基片、电光学装置及电子设备
0085-0107、一种金刚石涂层Al2O3电子陶瓷基片制备技术
0057-0108、薄膜晶体管基片及其制造方法
0006-0109、半导体器件的制造方法以及使用SOI基片的半导体芯片
0115-0110、一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法
0084-0111、在硅基片上制造Si1-xGex膜的方法
0019-0112、基片的洗涤方法
0100-0113、基片上形成的金属氧化物及其制造方法
0026-0114、在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备
0007-0115、透明涂膜基片、形成透明膜用的涂液及显示装置
0070-0116、用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统
0116-0117、一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器及其制备方法
0039-0118、组合基片只读存储器及其制造方法
0048-0119、结晶玻璃及其制法、磁盘用基片和磁盘
0060-0120、去除半导体基片上的残余物的方法和设备
0059-0121、多晶硅基片结晶度的测量方法及其应用
0088-0122、位于透明基片上的彩色图像传感器及其制造方法
0090-0123、通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法
0111-0124、电子元件铜基片、电子元件和电子元件铜基片制备方法
0045-0125、用于液晶显示装置的TFT阵列基片和其制造方法以及用该基片的液晶显示装置和其制造方法
0036-0126、硅基片及其制造方法
0022-0127、半导体基片
0065-0128、键盘电路薄膜基片与按键一体化软性键盘
0071-0129、硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法 ，
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0097-0015、具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法
0056-0016、采用底座基片的发送器阵列的老化
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0104-0018、用于计算机硬盘基片化学机械抛光的抛光液
0126-0019、用于给基片进行表面处理的装置和方法
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0129-0021、复合蓝色水晶衬底基片
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0047-0023、阵列印刷用基片
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0010-0033、玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片
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