电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料
0014-0001、复合热释电薄膜
0010-0002、用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法
0021-0003、一种掺铌钛酸钡薄膜材料及其制备方法
0100-0004、一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法
0003-0005、一种高速生长硅基薄膜的低成本技术
0018-0006、尺寸可控的纳米级银颗粒镶嵌在钛酸钡薄膜中的制备方法
0052-0007、使薄膜容易控制的方法和夹紧装置
0107-0008、有机薄膜晶体管
0104-0009、N沟道薄膜晶体管及使用其的显示装置与电子器件
0031-0010、基于薄膜/多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法
0114-0011、脉冲激光扫描直接制备α-FeSi2薄膜的工艺
0016-0012、金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
0101-0013、光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
0048-0014、一种高热导性和高气密性的薄膜封装材料及其制备方法
0111-0015、一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件及其制备方法
0062-0016、氮化铝单晶薄膜及其制备方法
0057-0017、一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
0023-0018、一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品
0001-0019、用于装配电子器件的层叠薄膜和用于装配电子器件的薄膜载带
0039-0020、一种铬掺杂二氧化钛室温铁磁薄膜的制备方法
0113-0021、同步光泵浦的有机薄膜晶体管
0004-0022、有机金属化合物及其作为形成金属或金属衍生物薄膜和粉末前体的用途
0029-0023、电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺
0047-0024、制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法
0108-0025、作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐
0091-0026、一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法
0082-0027、一种钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法
0081-0028、纳米晶软磁合金薄膜材料及其制备方法
0096-0029、使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
0053-0030、薄膜晶体管及其制造方法、其电路、电子器件及电子设备
0072-0031、掺氮空*型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
0033-0032、一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法
0064-0033、铊系高温超导薄膜材料及其制备方法
0106-0034、一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制备方法
0068-0035、检查安装电子器件的薄膜载带的设备和方法
0015-0036、用扫描隧道显微技术聚合制备高分子微晶薄膜的方法
0084-0037、室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜的制备方法
0080-0038、用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法
0011-0039、高临界温度超导薄膜制备方法
0002-0040、含锑纳米复合薄膜及其制备方法
0028-0041、用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
0024-0042、用于倒装在表面上的超小型电阻器电容器薄膜网络
0055-0043、具有压力释放开口的薄膜包覆电子器件
0032-0044、介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法
0046-0045、在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜
0086-0046、用于制造薄膜的方法
0092-0047、一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法
0061-0048、包含薄膜晶体管的电子器件的制造方法
0090-0049、一种在Si(111、衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
0017-0050、高强度导电性聚噻吩薄膜、薄膜二极管及其制备方法
0043-0051、共聚物、有机绝缘层组合物、有机绝缘层及薄膜晶体管
0044-0052、薄膜袋的真空封启装置
0073-0053、电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器
0095-0054、芳香烯二炔衍生物、有机半导体薄膜、生产方法和电子器件
0059-0055、在铝酸镁衬底上高质量锌极性ZnO单晶薄膜的制备方法
0085-0056、一种金属和非金属多层薄膜结构的光热能量转换器件
0049-0057、一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法
0027-0058、低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜
0079-0059、一种钙钛矿结构镧锶锰氧半金属薄膜的制备方法
0070-0060、一种氮和铟共掺杂制备空*型氧化锌薄膜的方法
0006-0061、一种薄膜晶体管的制造方法
0102-0062、在，2衬底上生长ZnO薄膜的方法
0058-0063、薄膜晶体管电子器件及其制造
0022-0064、双型薄膜场效应晶体管及其应用
0109-0065、一种发光碳化硅薄膜的制备方法
0020-0066、稀土掺杂的半导体薄膜
0074-0067、具有功能薄膜的电子器件的制造方法
0105-0068、一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法
0094-0069、一种具有可逆电双稳信息存储功能的有机薄膜器件
0054-0070、一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法
0036-0071、表面活性剂法制备表面平整的高质量氧化锌外延薄膜
0115-0072、薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法
0076-0073、用于受控涂敷反应蒸气来制造薄膜和涂层的装置和方法
0083-0074、纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
0066-0075、安装电子器件的薄膜型载带及使用该载带的最后缺陷标记方法
0019-0076、生长氮氧硅薄膜的方法
0012-0077、分层优化新型薄膜电致发光器件
0030-0078、聚合物涂覆的薄玻璃薄膜衬底
0013-0079、精确刻蚀和去除薄膜的新装置和方法
0099-0080、一种共轭聚合物与纳米粒子的复合薄膜及制备方法
0051-0081、在(LaSr、(AlTa、O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
0040-0082、多层调制掺杂的ZnO-MgZnO透明导电氧化物薄膜
0077-0083、掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置
0098-0084、一种高有序聚噻吩薄膜及其制备方法
0041-0085、利用水热法原位制备PbTiO3纳米管阵列薄膜的方法
0045-0086、一种新型平面薄膜冷阴极器件
0110-0087、一种可重写无机薄膜电存储器件及其制备方法
0060-0088、包括薄膜电路元件的电子器件的制造
0037-0089、杂并苯化合物及包括它的有机薄膜以及包括该薄膜的电子器件
0056-0090、包含底栅极薄膜晶体管的电子器件及其制造方法
0063-0091、一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
0075-0092、包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置
0087-0093、*并*衍生物使用*并*衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法
0050-0094、薄膜晶体管器件及其制造方法
0069-0095、薄膜晶体管及其电子器件和制造方法
0009-0096、包括薄膜晶体管的电子器件及其制造
0065-0097、用于在其上安装电子器件的薄膜载带
0008-0098、导电性有机薄膜及其制造方法和使用其的电极与电缆
0103-0099、一种氧化锡单晶薄膜的制备方法
0112-0100、一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法
0038-0101、一种双合成反铁磁结构薄膜材料
0007-0102、包含薄膜晶体管的电子器件
0025-0103、一种电可擦写的分子基有机电双稳薄膜器件及其制作工艺
0067-0104、一种金属-有机络合物电双稳态薄膜的制备方法
0042-0105、在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
0026-0106、一种具有光电和电光转换的有机薄膜双功能器件
0097-0107、形成具有可控和新型微观结构的α和β钽薄膜的方法
0088-0108、低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜制备方法
0071-0109、一种可擦写电双稳薄膜器件及其制备方法
0035-0110、铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法
0078-0111、电子器件薄膜晶体管结构和使用该电子器件的平板显示器
0005-0112、用表面吸附自发聚合技术制备超薄聚合物薄膜的方法
0093-0113、一种具有非连续导电膜的薄膜晶体管
0089-0114、多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法
0034-0115、一种纳米硅薄膜的制备方法
免费送货☎13889286189 ，电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料 ，电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料
百创提供 电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料 ，电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料
购买以上《电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
0010-0002、用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法
0021-0003、一种掺铌钛酸钡薄膜材料及其制备方法
0100-0004、一种在硅晶片上制备高质量硅化镁薄膜的方法
0003-0005、一种高速生长硅基薄膜的低成本技术
0018-0006、尺寸可控的纳米级银颗粒镶嵌在钛酸钡薄膜中的制备方法
0052-0007、使薄膜容易控制的方法和夹紧装置
0107-0008、有机薄膜晶体管
0104-0009、N沟道薄膜晶体管及使用其的显示装置与电子器件
0031-0010、基于薄膜/多层膜纳米磁电子器件的无掩模制备方法
0114-0011、脉冲激光扫描直接制备α-FeSi2薄膜的工艺
0016-0012、金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
0101-0013、光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
0048-0014、一种高热导性和高气密性的薄膜封装材料及其制备方法
0111-0015、一种可擦写可读出的薄膜型电阻开关器件及其制备方法
0062-0016、氮化铝单晶薄膜及其制备方法
0057-0017、一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
0023-0018、一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品
0001-0019、用于装配电子器件的层叠薄膜和用于装配电子器件的薄膜载带
0039-0020、一种铬掺杂二氧化钛室温铁磁薄膜的制备方法
0113-0021、同步光泵浦的有机薄膜晶体管
0004-0022、有机金属化合物及其作为形成金属或金属衍生物薄膜和粉末前体的用途
0029-0023、电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺
0047-0024、制备反蛋白石光子晶体异质结薄膜的方法
0108-0025、作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐
0091-0026、一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法
0082-0027、一种钛酸锶钡铁电薄膜的制备方法
0081-0028、纳米晶软磁合金薄膜材料及其制备方法
0096-0029、使用固体激光器退火的多晶硅薄膜制备半导体器件的方法
0053-0030、薄膜晶体管及其制造方法、其电路、电子器件及电子设备
0072-0031、掺氮空*型氧化锌薄膜材料的喷雾热解制备方法
0033-0032、一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方法
0064-0033、铊系高温超导薄膜材料及其制备方法
0106-0034、一种可擦写、可读出的无机薄膜电双稳器件及其制备方法
0068-0035、检查安装电子器件的薄膜载带的设备和方法
0015-0036、用扫描隧道显微技术聚合制备高分子微晶薄膜的方法
0084-0037、室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜的制备方法
0080-0038、用于制备高质量氧化锌薄膜的蓝宝石衬底原位处理方法
0011-0039、高临界温度超导薄膜制备方法
0002-0040、含锑纳米复合薄膜及其制备方法
0028-0041、用于有机薄膜晶体管的取向聚合物
0024-0042、用于倒装在表面上的超小型电阻器电容器薄膜网络
0055-0043、具有压力释放开口的薄膜包覆电子器件
0032-0044、介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法
0046-0045、在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜
0086-0046、用于制造薄膜的方法
0092-0047、一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法
0061-0048、包含薄膜晶体管的电子器件的制造方法
0090-0049、一种在Si(111、衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
0017-0050、高强度导电性聚噻吩薄膜、薄膜二极管及其制备方法
0043-0051、共聚物、有机绝缘层组合物、有机绝缘层及薄膜晶体管
0044-0052、薄膜袋的真空封启装置
0073-0053、电子器件、薄膜晶体管结构和具有该结构的平板显示器
0095-0054、芳香烯二炔衍生物、有机半导体薄膜、生产方法和电子器件
0059-0055、在铝酸镁衬底上高质量锌极性ZnO单晶薄膜的制备方法
0085-0056、一种金属和非金属多层薄膜结构的光热能量转换器件
0049-0057、一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法
0027-0058、低温下用磁控溅射技术制备无应力氧氮硅薄膜
0079-0059、一种钙钛矿结构镧锶锰氧半金属薄膜的制备方法
0070-0060、一种氮和铟共掺杂制备空*型氧化锌薄膜的方法
0006-0061、一种薄膜晶体管的制造方法
0102-0062、在，2衬底上生长ZnO薄膜的方法
0058-0063、薄膜晶体管电子器件及其制造
0022-0064、双型薄膜场效应晶体管及其应用
0109-0065、一种发光碳化硅薄膜的制备方法
0020-0066、稀土掺杂的半导体薄膜
0074-0067、具有功能薄膜的电子器件的制造方法
0105-0068、一种高状态比的无机薄膜电双稳器件及其制作方法
0094-0069、一种具有可逆电双稳信息存储功能的有机薄膜器件
0054-0070、一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法
0036-0071、表面活性剂法制备表面平整的高质量氧化锌外延薄膜
0115-0072、薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法
0076-0073、用于受控涂敷反应蒸气来制造薄膜和涂层的装置和方法
0083-0074、纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
0066-0075、安装电子器件的薄膜型载带及使用该载带的最后缺陷标记方法
0019-0076、生长氮氧硅薄膜的方法
0012-0077、分层优化新型薄膜电致发光器件
0030-0078、聚合物涂覆的薄玻璃薄膜衬底
0013-0079、精确刻蚀和去除薄膜的新装置和方法
0099-0080、一种共轭聚合物与纳米粒子的复合薄膜及制备方法
0051-0081、在(LaSr、(AlTa、O3上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
0040-0082、多层调制掺杂的ZnO-MgZnO透明导电氧化物薄膜
0077-0083、掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置
0098-0084、一种高有序聚噻吩薄膜及其制备方法
0041-0085、利用水热法原位制备PbTiO3纳米管阵列薄膜的方法
0045-0086、一种新型平面薄膜冷阴极器件
0110-0087、一种可重写无机薄膜电存储器件及其制备方法
0060-0088、包括薄膜电路元件的电子器件的制造
0037-0089、杂并苯化合物及包括它的有机薄膜以及包括该薄膜的电子器件
0056-0090、包含底栅极薄膜晶体管的电子器件及其制造方法
0063-0091、一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
0075-0092、包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置
0087-0093、*并*衍生物使用*并*衍生物的有机薄膜晶体管和制造该晶体管的方法
0050-0094、薄膜晶体管器件及其制造方法
0069-0095、薄膜晶体管及其电子器件和制造方法
0009-0096、包括薄膜晶体管的电子器件及其制造
0065-0097、用于在其上安装电子器件的薄膜载带
0008-0098、导电性有机薄膜及其制造方法和使用其的电极与电缆
0103-0099、一种氧化锡单晶薄膜的制备方法
0112-0100、一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法
0038-0101、一种双合成反铁磁结构薄膜材料
0007-0102、包含薄膜晶体管的电子器件
0025-0103、一种电可擦写的分子基有机电双稳薄膜器件及其制作工艺
0067-0104、一种金属-有机络合物电双稳态薄膜的制备方法
0042-0105、在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
0026-0106、一种具有光电和电光转换的有机薄膜双功能器件
0097-0107、形成具有可控和新型微观结构的α和β钽薄膜的方法
0088-0108、低升华温度高沉积温度金属氧化物准一维纳米结构及其薄膜制备方法
0071-0109、一种可擦写电双稳薄膜器件及其制备方法
0035-0110、铁磁性铬氧化物纳米颗粒薄膜的低温低压气相制备方法
0078-0111、电子器件薄膜晶体管结构和使用该电子器件的平板显示器
0005-0112、用表面吸附自发聚合技术制备超薄聚合物薄膜的方法
0093-0113、一种具有非连续导电膜的薄膜晶体管
0089-0114、多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法
0034-0115、一种纳米硅薄膜的制备方法
免费送货☎13889286189 ，电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料 ，电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料
百创提供 电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料 ，电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料
购买以上《电子器件薄膜工艺技术资料-电薄膜-电子器件的薄膜-类资料》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
