0012-0001、在动态随机存取存储器中制作半导体存储单元的方法
0020-0002、半导体器件和形成半导体器件的方法
0009-0003、一种半导体存储器件
0039-0004、互补式金属氧化物半导体图像传感器及其制作方法
0034-0005、半导体存储器件及其布设信号和电源线的方法
0033-0006、带有**一级位线的高性能嵌入式半导体存储装置
0031-0007、电压提升电路及静态随机存取存储器、半导体装置
0035-0008、半导体存储器器件及其操作方法
0021-0009、半导体元件
0015-0010、半导体装置
0045-0011、半导体器件及其形成方法
0003-0012、包含降低占用面积的输出控制电路的同步半导体存储器
0024-0013、集成电路、双端口静态随机存取存储器单元及半导体架构
0053-0014、具有低功耗的自刷新半导体集成电路
0041-0015、半导体装置
0026-0016、形成半导体器件的位线的方法
0027-0017、半导体器件的非易失性电容器、半导体存储器及工作方法
0052-0018、具有复位功能的半导体存储器
0002-0019、半导体集成电路器件及其制造方法
0043-0020、具有隔离区的用于DRAM单元的半导体结构和制造方法
0007-0021、半导体存储器件
0028-0022、半导体器件中的节点接触结构及其制造方法
0025-0023、自识别堆叠晶粒半导体组件
0018-0024、半导体器件及其制造方法
0032-0025、半导体集成电路及其制造方法
0022-0026、半导体装置、动态随机存取存储器的存储单元及制造方法
0017-0027、半导体装置与动态随机存取存储器的制造方法
0023-0028、动态随机存取存储器、半导体装置及其形成方法
0042-0029、半导体存储器及其制造方法
0030-0030、半导体集成电路
0037-0031、半导体管芯所占面积减小的运动估计的所有差异和(SAD、阵列
0011-0032、半导体存储器
0005-0033、半导体存储器件的电流检测电路
0044-0034、半导体结构及其制造方法
0004-0035、具有多个行地址选通信号的半导体存储装置
0008-0036、阵列的单元布局相同且周边电路对称的半导体存储器件
0040-0037、半导体结构及其制造方法
0006-0038、能预激励的升压电路器件和半导体存储器
0010-0039、半导体存储器件及其制造方法
0016-0040、含有电容器的半导体存储器件的制造方法
0014-0041、半导体集成电路器件以及制造该器件的方法
0029-0042、磁阻随机存取存储器装置及构成该装置的铁磁性半导体的铁磁性转移温度的控制方法
0050-0043、半导体存储装置
0048-0044、半导体器件和形成该半导体器件的方法
0049-0045、半导体存储装置
0036-0046、利用反馈金属氧化物半导体场效应晶体管的抗单击扰动的静态随机存取存储器
0013-0047、有输入/输出掩码功能且不破坏数据位的半导体存储器件
0046-0048、半导体架构及静态随机存取存储器存储单元
0019-0049、半导体结构
0001-0050、用于成组存取的半导体存储装置
0051-0051、半导体存储装置
0047-0052、具有嵌入式电容的半导体装置及其制造方法
0038-0053、单栅电极对应一对沟道区的半导体器件和随机存取存储器
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