编程存储器生产加工工艺技术及制造大全
1、 含有电可编程非易失存储器单元的布置的半导体装置
2、 用熔丝抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器
3、 可擦写可编程只读存储器
4、 薄膜磁性体存储器及其信息编程方法
5、 双位多值弹道MONOS存储器及其制造方法和该存储器的编程以及动作过程
6、 非易失性半导体存储器的编程方法
7、 用于基于二极管的固态存储器的可编程地址逻辑
8、 可随机编程的非挥发半导体存储器
9、 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路
10、 存储在非易失可重新编程半导体存储器中的文件数据的访问
11、 减少非易失性存储器的编程和读取干扰的操作技术
12、 高抗辐射的电可擦去可编程只读存储器晶胞
13、 具有一次性可编程只读存储器的数字存储媒体
14、 一种可重复使用的固态一次性可编程只读存储器
15、 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
16、 自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法
17、 自对准可编程相变存储器件及其制造方法
18、 大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法
19、 作为可编程逻辑控制器的可重编程快速擦写存储器微控制器
20、 改进编程的非易失性存储器及为此的方法
21、 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
22、 非易失性半导体存储器件中的自动编程电路
23、 可编程存储器存取接口类型的集成电路微处理器及方法
24、 非易失存储器及其编程方法
25、 具有快擦写类存储器芯体的电可擦可编程只读存储器阵列
26、 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
27、 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器
28、 用于给多电平快速存储器编程的高精度电压调整电路
29、 现场可编程存储器阵列
30、 将软件程序载入电可擦可编程只读存储器的方法
31、 低压电可编程序只读存储器
32、 串行接口型可编程序只读存储器写入装置
33、 具有磁泡存储器的可编程序测试仪
34、 非易失性半导体存储器件及其所用的优化编程方法
35、 具错误检验和校正电路的电可擦可编程只读存储器
36、 电可擦可编程只读存储器有其之存储器件和集成电路板
37、 紫外线擦除电编程只读存储器同线编程读出装置及其用途
38、 非易失性半导体存储器及其数据编程方法
39、 用于微控制器的可遥控改编程序的程序存储器
40、 在电可擦编程只读存储器中形成薄隧穿窗口的方法
41、 受保护的可编程盒式存储器及使用它们的计算机系统
42、 制造特快电可擦除和编程的只读存储器单元的方法
43、 电可擦可编程序只读存储器及其制造方法
44、 可编程调控交插存取存储器管理系统
45、 对可擦除非易失性存储器完全新编程的方法
46、 制造快速电子可擦可编程只读存储器的源漏结构的方法
47、 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
48、 可编程逻辑控制器的串行访问盒式存储器
49、 激光磁盘可编程只读存储器
50、 具有嵌入式可编程控制器的非易失存储器
51、 存储器数据编程装置
52、 可远程编程的存储器材料及其应用
53、 非易失存储器的选择编程方法
54、 电可编程存储器、编程方法以及读方法
55、 有闪速电可擦可编程只读存储器单元的非易失性存储设备
56、 只读存储器的分页模式编程电路
57、 电可擦除可编程存储器的感测电路
58、 用于自行确定电可擦可编程只读存储器的编程擦除所需高电压的方法和装置
59、 可编程的非易失性存储器装置和使用该装置的微型计算机
60、 可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法
61、 改进了存取时间的可编程只读存储器
62、 用于使一个可存储器编程的控制装置的组件与一个母线连接的接口方法及母线接口
63、 抗电源故障的电可擦除和可编程非易失性存储器
64、 电视的可电擦除和编程只读存储器自动设置方法
65、 具有一个编程区域的非易失性半导体存储器件
66、 只读存储器单元装置的编程的方法
67、 用于编程非易失存储器的系统和方法
68、 用分布式学习方法对闪速存储器编程
69、 无线电台存储器的自动编程
70、 具有芯片错误恢复电路的可编程只读存储器
71、 存储器中的可编程延迟控制
72、 具有非易失性存储器的信号处理装置及非易失性存储器的编程方法
73、 非易失性存储器单元的精确编程
74、 减小编程易变性的闪速存储器VDS补偿技术
75、 具改进可测内置电可擦可编程只读存储器的单片微计算机
76、 高密度或非型快擦写存储器件及其编程方法
77、 快闪存储器装置中的可编程存取保护
78、 用于半导体存储器的芯片内可编程数据模式发生器
79、 编写电可擦可编程只读存储器的方法、装置和系统
80、 采用可编程延迟来控制地址缓冲器的存储器
81、 采用可编程非易失存储器作为其程序存储器的智能卡
82、 改进的存储器单元编程方法
83、 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
84、 带有改进的接触点的电可编程存储器元件
85、 利用超薄介质击穿现象的可再编程不挥发性存储器
86、 磁阻存储器装置中避免不希望编程的方法
87、 具交织读出和编程能力的改进集成电路存储器及工作方法
88、 一次可编程半导体非易失性存储器件及其制造方法
89、 用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路
90、 对存储在非易失性可重编程半导体存储器中的信息进行组织
91、 电可编程序只读存储器仲裁器及其操作方法
92、 可电除和可编程序的只读存储器单元的制造方法
93、 电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
94、 电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
95、 为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
96、 用于电可擦可编程只读存储器的高温氧化物沉积方法
97、 带可编程存储器单元的集成电路
98、 分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法
99、 垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法
100、 利用来自存取器件的电流编程的存储器单元
101、 闪速存储器装置及其编程方法
102、 闪速存储器中的直接文件数据编程及删除
103、 数据锁存器在非易失性存储器的多阶段编程中的使用
104、 编程电阻存储器件的方法
105、 相变存储器件及相关编程方法
106、 存储器件的页面缓冲器电路及编程方法
107、 用于编程快闪存储器件的方法
108、 三状态一次可编程存储器元件
109、 2
通过I
110、 非易失性存储器件以及对其编程的方法
111、 对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法
112、 用以快速编程非易失性存储器的方法与装置
113、 非易失性存储器件及其编程、读取和擦除方法
114、 多级单元快闪存储器中较高级状态的较快编程
115、 编程存储器装置
116、 具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列
117、 具有节省功率的读取和编程检验操作的非易失性存储器和方法
118、 可编程相变存储器及其方法
119、 一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
120、 用于编程存储器阵列的方法和设备
121、 一次性可编程只读存储器
122、 非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用
123、 用于可编程存储器设备安全的方法和系统
124、 一种对多层非易失性存储器设备编程的方法
125、 快闪存储器装置中的选择性慢编程会聚
126、 快闪存储器设备及其编程方法
127、 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法
128、 对多层单元编程的方法及包括该单元的非易失性存储器件
129、 一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
130、 对虚拟接地存储器的可变编程及编程验证的方法
131、 借助非易失性存储器的循环的开始编程电压偏移
132、 可编程非挥发存储器的单元布图结构及其制造方法
133、 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
134、 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
135、 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
136、 利用个别验证来软编程非易失性存储器和额外软编程存储器单元的子组
137、 具有预留空间的掩膜编程存储器
138、 在闪速存储器件中对数据进行编程的方法
139、 索引直接存储数据文件的可重新编程的非易失性存储器中的文件数据
140、 对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法
141、 利用渗透算法对相变存储器单元进行多电平编程的方法
142、 具有用于增强的擦除编程检验操作的高级主位线分割电路的存储器结构
143、 高编程速度的多阶单元存储器
144、 一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
145、 双稳态可编程电阻式随机存取存储器
146、 电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法
147、 可擦可编程序存储器仿真装置
148、 串行电可擦可编程只读存储器的复制器
149、 带附加存储器的可编程逻辑控制器
150、 包括已编程及可编程可擦除存储单元的集成电路存储器件
151、 具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法
152、 非易失存储器，及其制造和编程方法
153、 半导体记忆元件及其记忆胞编程方法和罩幕式只读存储器
154、 一种电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法
155、 一种电可擦除可编程只读存储器及其制造方法
156、 编程一次性可编程的存储器器件的装置和方法
157、 具有快擦写类存储器芯体的电可擦可编程只读存储器阵列
02826334 对相变存储器进行编程的方法和装置
159、 编程非易失存储器器件
160、 用于在测试低压非易失性存储器时提高编程速度的双模式高压电源
161、 具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法
162、 可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法
163、 带有可编程接收器以改善性能的存储器件
164、 P沟道电可擦可编程只读存储器的编程方法
165、 一种电可擦写存储器编程电路
166、 制作高紫外-临界电位电可擦除可编程只读取存储器的方法
167、 具有加强编程和擦除功能的与非闪速存储器及其制造方法
168、 非易失性存储器系统中的流水线并行编程操作
169、 可编程导体随机存取存储器以及用于检测它的方法
170、 可编程遥控器和用于编程可编程遥控器的方法、可读存储器和程序
171、 在断电状态下保持使能电可擦除可编程只读存储器的系统
172、 基于可电场编程的薄膜的存储器件
173、 在模拟多端口存储器中编程访问等待时间
174、 编程相变材料存储器
175、 存储器编程用的行译码器电路
176、 多级存储器的编程方法
177、 具有OTP存储器的半导体集成电路器件及对该OTP存储器编程的方法
178、 具有增强的编程和擦除连接的闪速存储器及其制造方法
179、 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器
180、 以快闪存储器模拟电子抹除式可编程只读存储器的系统及方法
181、 具有在系统及离系统上的可编程非易失性存储器的芯片
182、 铁电存储器件及其编程方法
183、 具有多阶输出电流的非易失存储器编程、读取与擦除方法
184、 电编程三维集成存储器
185、 基于电编程三维存储器的集成电路自测试方法
186、 可选择位元组的快闪电可擦可编程只读存储器阵列
187、 电编程三维存储器之设计
188、 具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
189、 形成电可编程只读存储器的方法
190、 非易失性存储器中的部分分块数据编程和读取操作
191、 电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法
192、 一种测试电可擦除电可编程存储器的性能及其故障的方法
193、 可编程控制器单元及存储器自动复原方法
194、 用于宽编程的双金属多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
195、 嵌入式电力可编程只读存储器
196、 一种有效利用现场可编程门阵列中的存储器的方法
197、 可抹除可编程只读存储器的结构
198、 确实编程程序单元的冗余控制电路及使用它的半导体存储器
199、 非易失存储器件和使用列的子集的编程方法
200、 将软件再次加载到可编程可读存储器的自引导区中的方法
201、 在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法
202、 具有分立电荷存储元件的存储器的编程
203、 增强电可擦除可编程只读存储器数据错误校验的方法
204、 可编程磁性存储器器件FP-MRAM
205、 小型电可擦可编程只读存储器矩阵结构
206、 垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法
207、 电可擦编程只读存储器单元的制造方法
208、 编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路
209、 一次性可编程存储器单元
210、 可编程并行查找存储器
211、 用减少的相邻场误差编程非易失性存储器及方法
212、 自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器
213、 可编程非易失性半导体存储器件
214、 非易失性存储器件的页面缓冲器及其编程和读取方法
215、 一次可编程存储器件
216、 相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法
217、 降低相变存储器编程电流的单元结构
218、 制作分离编程虚拟接地SONOS型存储器的方法
219、 用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路及升压方法
220、 可编程阻抗存储器器件
221、 编程非易失性集成存储器装置中单元的系统和方法
222、 在非易失存储器设备中对用户数据和确认信息编程的方法
223、 电荷捕获非易失性存储器的编程操作方法
224、 编程双单元存储器件以在各单元中储存多个数据状态的方法
225、 增强电可擦除可编程只读存储器数据保护的方法
226、 只读存储器及只读存储单元阵列及其编程与擦除方法
227、 具有用于HCI编程的源电极偏压的非易失性存储器
228、 非易失性存储器件及其编程方法
229、 一次编程存储器的制造方法
230、 通用可访问完全可编程的存储器内置自测系统和方法
231、 非易失性存储器装置及其编程与读取方法
232、 静态随机存储器可编程门阵列芯片的加密装置及加密方法
233、 一种改进存储器单元编程的工艺
234、 具有多个组件浮置栅极的电可擦可编程只读存储器
235、 单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
236、 检测过度编程的存储器
237、 反熔丝一次可编程的非易失存储器单元及其制造方法与编程方法
238、 支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法
239、 一种电可擦洗可编程只读存储器及其☎15542181913
240、 载带和可编程只读存储器的安装方法
241、 可编程只读存储器数据防窜改方法及系统
242、 铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法
243、 用于提供用于磁性存储器的可编程电流源的方法和系统
244、 页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
245、 快闪存储器装置的编程方法
246、 基于非易失性存储器单元的行为的编程方法
247、 编程硅氧化物氮化物氧化物半导体存储器件的方法
248、 电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法
249、 具有快速访问时序的低功率编译器可编程的存储器
250、 防止对磁阻存储器元件错误编程的方法和器件
251、 用于在磁阻存储器件编程期间进行有源场补偿的方法和装置
252、 N进制掩膜编程存储器
253、 用于对非易失性存储器阵列编程的方法、系统和电路
254、 非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法
255、 提高编程速度的非易失性存储器及相关编程方法
256、 具有阶段性编程失败处置的非易失性存储器和方法
257、 编程和读取更新数据的非易失性存储器系统和方法
258、 编程非易失性存储器
259、 具有可编程巷宽的存储器集线器结构
260、 用于非易失性存储器的粗略精细编程的可变电流吸收
261、 用于非易失性存储器的粗略精细编程的有效验证
262、 用于非易失性存储器的粗略精细编程的电荷包计量
263、 具有多面结构的非易失性存储器件的编程方法
264、 使用由栅极引起的接面泄漏电流的快闪存储器编程
265、 同时编程与编程验证的非易失性存储器
266、 用于嵌入式EEPROM中的一次可编程存储器器件的结构与方法
267、 具有改进的部分页编程能力的非易失性存储器和控制
268、 具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管
269、 对存储器元件进行编程的系统及方法
270、 一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器
271、 电场可编程薄膜和基于该电场可编程薄膜的存储器件
272、 可编程存储器单元和操作方法
273、 电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元
274、 用于编程集成电路存储器的方法
275、 非易失性半导体存储器及为其编程的方法
276、 升压以控制非易失性存储器的编程
277、 用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法
278、 对存储器进行的锁存编程及方法
279、 非易失性可编程存储器
280、 低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
281、 电可擦除和可编程只读存储器及其制造方法
282、 现场可编程门阵列集成电路器件的分布式存储器
283、 可编程半熔丝连接只读存储器及其极限测试方法
284、 基于减小的面积、减小的编程电压的互补金属氧化物半导体电子熔丝的可扫描式非易失性存储器位单元
285、 具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法
286、 一种非易失性存储器的编程与擦除方法
287、 编程非易失性存储器的方法及装置
288、 能够补偿状态间读取裕度减小的闪速存储器编程方法
289、 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
290、 可编程电阻存储器及其制造方法
291、 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
292、 相变存储器件及其编程方法
293、 非易失性存储器的可变编程
294、 用于快闪存储器件的编程方法
295、 电可擦除可编程只读存储器及其制造和操作方法
296、 对车辆闪速存储器进行远程重编程的方法
297、 基于现场可编程门阵列验证同步存储器控制器的装置、方法
298、 用于阈值压控相变随机存取存储器的编程方法
299、 具有编程时间控制的非易失性存储器系统
300、 用于可编程存储器的自适应编程延迟电路，
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2、 用熔丝抗熔丝和垂直取向熔丝的单位存储单元的一次可编程存储器
3、 可擦写可编程只读存储器
4、 薄膜磁性体存储器及其信息编程方法
5、 双位多值弹道MONOS存储器及其制造方法和该存储器的编程以及动作过程
6、 非易失性半导体存储器的编程方法
7、 用于基于二极管的固态存储器的可编程地址逻辑
8、 可随机编程的非挥发半导体存储器
9、 利用超薄介质击穿现象的半导体存储器单元和存储器阵列的编程方法及其电路
10、 存储在非易失可重新编程半导体存储器中的文件数据的访问
11、 减少非易失性存储器的编程和读取干扰的操作技术
12、 高抗辐射的电可擦去可编程只读存储器晶胞
13、 具有一次性可编程只读存储器的数字存储媒体
14、 一种可重复使用的固态一次性可编程只读存储器
15、 一种单层多晶硅可电擦除可编程只读存储器
16、 自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法
17、 自对准可编程相变存储器件及其制造方法
18、 大容量快速可电擦写可编程只读存储器系统中的数据处理方法
19、 作为可编程逻辑控制器的可重编程快速擦写存储器微控制器
20、 改进编程的非易失性存储器及为此的方法
21、 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
22、 非易失性半导体存储器件中的自动编程电路
23、 可编程存储器存取接口类型的集成电路微处理器及方法
24、 非易失存储器及其编程方法
25、 具有快擦写类存储器芯体的电可擦可编程只读存储器阵列
26、 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
27、 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器
28、 用于给多电平快速存储器编程的高精度电压调整电路
29、 现场可编程存储器阵列
30、 将软件程序载入电可擦可编程只读存储器的方法
31、 低压电可编程序只读存储器
32、 串行接口型可编程序只读存储器写入装置
33、 具有磁泡存储器的可编程序测试仪
34、 非易失性半导体存储器件及其所用的优化编程方法
35、 具错误检验和校正电路的电可擦可编程只读存储器
36、 电可擦可编程只读存储器有其之存储器件和集成电路板
37、 紫外线擦除电编程只读存储器同线编程读出装置及其用途
38、 非易失性半导体存储器及其数据编程方法
39、 用于微控制器的可遥控改编程序的程序存储器
40、 在电可擦编程只读存储器中形成薄隧穿窗口的方法
41、 受保护的可编程盒式存储器及使用它们的计算机系统
42、 制造特快电可擦除和编程的只读存储器单元的方法
43、 电可擦可编程序只读存储器及其制造方法
44、 可编程调控交插存取存储器管理系统
45、 对可擦除非易失性存储器完全新编程的方法
46、 制造快速电子可擦可编程只读存储器的源漏结构的方法
47、 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
48、 可编程逻辑控制器的串行访问盒式存储器
49、 激光磁盘可编程只读存储器
50、 具有嵌入式可编程控制器的非易失存储器
51、 存储器数据编程装置
52、 可远程编程的存储器材料及其应用
53、 非易失存储器的选择编程方法
54、 电可编程存储器、编程方法以及读方法
55、 有闪速电可擦可编程只读存储器单元的非易失性存储设备
56、 只读存储器的分页模式编程电路
57、 电可擦除可编程存储器的感测电路
58、 用于自行确定电可擦可编程只读存储器的编程擦除所需高电压的方法和装置
59、 可编程的非易失性存储器装置和使用该装置的微型计算机
60、 可擦除可编程只读存储器隧穿氧化物单元的制造方法
61、 改进了存取时间的可编程只读存储器
62、 用于使一个可存储器编程的控制装置的组件与一个母线连接的接口方法及母线接口
63、 抗电源故障的电可擦除和可编程非易失性存储器
64、 电视的可电擦除和编程只读存储器自动设置方法
65、 具有一个编程区域的非易失性半导体存储器件
66、 只读存储器单元装置的编程的方法
67、 用于编程非易失存储器的系统和方法
68、 用分布式学习方法对闪速存储器编程
69、 无线电台存储器的自动编程
70、 具有芯片错误恢复电路的可编程只读存储器
71、 存储器中的可编程延迟控制
72、 具有非易失性存储器的信号处理装置及非易失性存储器的编程方法
73、 非易失性存储器单元的精确编程
74、 减小编程易变性的闪速存储器VDS补偿技术
75、 具改进可测内置电可擦可编程只读存储器的单片微计算机
76、 高密度或非型快擦写存储器件及其编程方法
77、 快闪存储器装置中的可编程存取保护
78、 用于半导体存储器的芯片内可编程数据模式发生器
79、 编写电可擦可编程只读存储器的方法、装置和系统
80、 采用可编程延迟来控制地址缓冲器的存储器
81、 采用可编程非易失存储器作为其程序存储器的智能卡
82、 改进的存储器单元编程方法
83、 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
84、 带有改进的接触点的电可编程存储器元件
85、 利用超薄介质击穿现象的可再编程不挥发性存储器
86、 磁阻存储器装置中避免不希望编程的方法
87、 具交织读出和编程能力的改进集成电路存储器及工作方法
88、 一次可编程半导体非易失性存储器件及其制造方法
89、 用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路
90、 对存储在非易失性可重编程半导体存储器中的信息进行组织
91、 电可编程序只读存储器仲裁器及其操作方法
92、 可电除和可编程序的只读存储器单元的制造方法
93、 电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
94、 电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
95、 为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法
96、 用于电可擦可编程只读存储器的高温氧化物沉积方法
97、 带可编程存储器单元的集成电路
98、 分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法
99、 垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法
100、 利用来自存取器件的电流编程的存储器单元
101、 闪速存储器装置及其编程方法
102、 闪速存储器中的直接文件数据编程及删除
103、 数据锁存器在非易失性存储器的多阶段编程中的使用
104、 编程电阻存储器件的方法
105、 相变存储器件及相关编程方法
106、 存储器件的页面缓冲器电路及编程方法
107、 用于编程快闪存储器件的方法
108、 三状态一次可编程存储器元件
109、 2
通过I
110、 非易失性存储器件以及对其编程的方法
111、 对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法
112、 用以快速编程非易失性存储器的方法与装置
113、 非易失性存储器件及其编程、读取和擦除方法
114、 多级单元快闪存储器中较高级状态的较快编程
115、 编程存储器装置
116、 具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列
117、 具有节省功率的读取和编程检验操作的非易失性存储器和方法
118、 可编程相变存储器及其方法
119、 一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
120、 用于编程存储器阵列的方法和设备
121、 一次性可编程只读存储器
122、 非易失性存储器中的编程抑制方案的选择性应用
123、 用于可编程存储器设备安全的方法和系统
124、 一种对多层非易失性存储器设备编程的方法
125、 快闪存储器装置中的选择性慢编程会聚
126、 快闪存储器设备及其编程方法
127、 非易失性存储器及在非易失性存储器中编程的方法
128、 对多层单元编程的方法及包括该单元的非易失性存储器件
129、 一次性可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
130、 对虚拟接地存储器的可变编程及编程验证的方法
131、 借助非易失性存储器的循环的开始编程电压偏移
132、 可编程非挥发存储器的单元布图结构及其制造方法
133、 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
134、 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
135、 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
136、 利用个别验证来软编程非易失性存储器和额外软编程存储器单元的子组
137、 具有预留空间的掩膜编程存储器
138、 在闪速存储器件中对数据进行编程的方法
139、 索引直接存储数据文件的可重新编程的非易失性存储器中的文件数据
140、 对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法
141、 利用渗透算法对相变存储器单元进行多电平编程的方法
142、 具有用于增强的擦除编程检验操作的高级主位线分割电路的存储器结构
143、 高编程速度的多阶单元存储器
144、 一种可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法
145、 双稳态可编程电阻式随机存取存储器
146、 电可擦可编程只读存储器的制造工艺方法
147、 可擦可编程序存储器仿真装置
148、 串行电可擦可编程只读存储器的复制器
149、 带附加存储器的可编程逻辑控制器
150、 包括已编程及可编程可擦除存储单元的集成电路存储器件
151、 具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法
152、 非易失存储器，及其制造和编程方法
153、 半导体记忆元件及其记忆胞编程方法和罩幕式只读存储器
154、 一种电可擦除可编程只读存储器单元的制造方法
155、 一种电可擦除可编程只读存储器及其制造方法
156、 编程一次性可编程的存储器器件的装置和方法
157、 具有快擦写类存储器芯体的电可擦可编程只读存储器阵列
02826334 对相变存储器进行编程的方法和装置
159、 编程非易失存储器器件
160、 用于在测试低压非易失性存储器时提高编程速度的双模式高压电源
161、 具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程方法
162、 可编程导体随机存取存储器以及向其中写入的方法
163、 带有可编程接收器以改善性能的存储器件
164、 P沟道电可擦可编程只读存储器的编程方法
165、 一种电可擦写存储器编程电路
166、 制作高紫外-临界电位电可擦除可编程只读取存储器的方法
167、 具有加强编程和擦除功能的与非闪速存储器及其制造方法
168、 非易失性存储器系统中的流水线并行编程操作
169、 可编程导体随机存取存储器以及用于检测它的方法
170、 可编程遥控器和用于编程可编程遥控器的方法、可读存储器和程序
171、 在断电状态下保持使能电可擦除可编程只读存储器的系统
172、 基于可电场编程的薄膜的存储器件
173、 在模拟多端口存储器中编程访问等待时间
174、 编程相变材料存储器
175、 存储器编程用的行译码器电路
176、 多级存储器的编程方法
177、 具有OTP存储器的半导体集成电路器件及对该OTP存储器编程的方法
178、 具有增强的编程和擦除连接的闪速存储器及其制造方法
179、 集成逻辑电路和电可擦可编程只读存储器
180、 以快闪存储器模拟电子抹除式可编程只读存储器的系统及方法
181、 具有在系统及离系统上的可编程非易失性存储器的芯片
182、 铁电存储器件及其编程方法
183、 具有多阶输出电流的非易失存储器编程、读取与擦除方法
184、 电编程三维集成存储器
185、 基于电编程三维存储器的集成电路自测试方法
186、 可选择位元组的快闪电可擦可编程只读存储器阵列
187、 电编程三维存储器之设计
188、 具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
189、 形成电可编程只读存储器的方法
190、 非易失性存储器中的部分分块数据编程和读取操作
191、 电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法
192、 一种测试电可擦除电可编程存储器的性能及其故障的方法
193、 可编程控制器单元及存储器自动复原方法
194、 用于宽编程的双金属多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
195、 嵌入式电力可编程只读存储器
196、 一种有效利用现场可编程门阵列中的存储器的方法
197、 可抹除可编程只读存储器的结构
198、 确实编程程序单元的冗余控制电路及使用它的半导体存储器
199、 非易失存储器件和使用列的子集的编程方法
200、 将软件再次加载到可编程可读存储器的自引导区中的方法
201、 在非易失性半导体存储器件中驱动编程操作的方法
202、 具有分立电荷存储元件的存储器的编程
203、 增强电可擦除可编程只读存储器数据错误校验的方法
204、 可编程磁性存储器器件FP-MRAM
205、 小型电可擦可编程只读存储器矩阵结构
206、 垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法
207、 电可擦编程只读存储器单元的制造方法
208、 编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路
209、 一次性可编程存储器单元
210、 可编程并行查找存储器
211、 用减少的相邻场误差编程非易失性存储器及方法
212、 自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器
213、 可编程非易失性半导体存储器件
214、 非易失性存储器件的页面缓冲器及其编程和读取方法
215、 一次可编程存储器件
216、 相变存储器和使用连续复位控制编程相变存储器的方法
217、 降低相变存储器编程电流的单元结构
218、 制作分离编程虚拟接地SONOS型存储器的方法
219、 用于可抹除可编程唯读存储器装置的升压电路及升压方法
220、 可编程阻抗存储器器件
221、 编程非易失性集成存储器装置中单元的系统和方法
222、 在非易失存储器设备中对用户数据和确认信息编程的方法
223、 电荷捕获非易失性存储器的编程操作方法
224、 编程双单元存储器件以在各单元中储存多个数据状态的方法
225、 增强电可擦除可编程只读存储器数据保护的方法
226、 只读存储器及只读存储单元阵列及其编程与擦除方法
227、 具有用于HCI编程的源电极偏压的非易失性存储器
228、 非易失性存储器件及其编程方法
229、 一次编程存储器的制造方法
230、 通用可访问完全可编程的存储器内置自测系统和方法
231、 非易失性存储器装置及其编程与读取方法
232、 静态随机存储器可编程门阵列芯片的加密装置及加密方法
233、 一种改进存储器单元编程的工艺
234、 具有多个组件浮置栅极的电可擦可编程只读存储器
235、 单层多晶硅电可擦可编程只读存储器
236、 检测过度编程的存储器
237、 反熔丝一次可编程的非易失存储器单元及其制造方法与编程方法
238、 支持虚拟页存储的非易失性存储器件及其编程方法
239、 一种电可擦洗可编程只读存储器及其☎15542181913
240、 载带和可编程只读存储器的安装方法
241、 可编程只读存储器数据防窜改方法及系统
242、 铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法
243、 用于提供用于磁性存储器的可编程电流源的方法和系统
244、 页缓冲器电路、快闪存储器器件及其编程操作方法
245、 快闪存储器装置的编程方法
246、 基于非易失性存储器单元的行为的编程方法
247、 编程硅氧化物氮化物氧化物半导体存储器件的方法
248、 电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法
249、 具有快速访问时序的低功率编译器可编程的存储器
250、 防止对磁阻存储器元件错误编程的方法和器件
251、 用于在磁阻存储器件编程期间进行有源场补偿的方法和装置
252、 N进制掩膜编程存储器
253、 用于对非易失性存储器阵列编程的方法、系统和电路
254、 非易失存储器件及其多页编程、读取和复制编程的方法
255、 提高编程速度的非易失性存储器及相关编程方法
256、 具有阶段性编程失败处置的非易失性存储器和方法
257、 编程和读取更新数据的非易失性存储器系统和方法
258、 编程非易失性存储器
259、 具有可编程巷宽的存储器集线器结构
260、 用于非易失性存储器的粗略精细编程的可变电流吸收
261、 用于非易失性存储器的粗略精细编程的有效验证
262、 用于非易失性存储器的粗略精细编程的电荷包计量
263、 具有多面结构的非易失性存储器件的编程方法
264、 使用由栅极引起的接面泄漏电流的快闪存储器编程
265、 同时编程与编程验证的非易失性存储器
266、 用于嵌入式EEPROM中的一次可编程存储器器件的结构与方法
267、 具有改进的部分页编程能力的非易失性存储器和控制
268、 具有表面下台阶式浮栅的双电可擦可编程只读存储器型存储晶体管
269、 对存储器元件进行编程的系统及方法
270、 一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器
271、 电场可编程薄膜和基于该电场可编程薄膜的存储器件
272、 可编程存储器单元和操作方法
273、 电源电平升高的可编程逻辑器件存储器单元
274、 用于编程集成电路存储器的方法
275、 非易失性半导体存储器及为其编程的方法
276、 升压以控制非易失性存储器的编程
277、 用于非易失性存储器的编程控制的双调谐管理方法
278、 对存储器进行的锁存编程及方法
279、 非易失性可编程存储器
280、 低电压单层多晶硅电可擦编程只读存储器(EEPROM)存储单元
281、 电可擦除和可编程只读存储器及其制造方法
282、 现场可编程门阵列集成电路器件的分布式存储器
283、 可编程半熔丝连接只读存储器及其极限测试方法
284、 基于减小的面积、减小的编程电压的互补金属氧化物半导体电子熔丝的可扫描式非易失性存储器位单元
285、 具有直径控制的接触的多位相变随机存取存储器(PRAM)及其制造和编程方法
286、 一种非易失性存储器的编程与擦除方法
287、 编程非易失性存储器的方法及装置
288、 能够补偿状态间读取裕度减小的闪速存储器编程方法
289、 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
290、 可编程电阻存储器及其制造方法
291、 可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
292、 相变存储器件及其编程方法
293、 非易失性存储器的可变编程
294、 用于快闪存储器件的编程方法
295、 电可擦除可编程只读存储器及其制造和操作方法
296、 对车辆闪速存储器进行远程重编程的方法
297、 基于现场可编程门阵列验证同步存储器控制器的装置、方法
298、 用于阈值压控相变随机存取存储器的编程方法
299、 具有编程时间控制的非易失性存储器系统
300、 用于可编程存储器的自适应编程延迟电路，
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