镓的提炼与回收（含制作方法加工工艺）
1 CN02141658.3 氮化镓半导体激光器
2 CN02150783.1 谐振腔增强的n型*化镓远红外探测器的反射镜
3 CN02156898.7 一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
4 CN02145468.1 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
5 CN02112310.X 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗方法
6 CN02112310.1 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7 CN02112412.4 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8 CN03118955.5 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
9 CN03110256.5 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
10 CN03112340.4 一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
11 CN03110199.2 以氮化镓为基底的半导体发光装置
12 CN96116400.1 *化镓及其器件表面钝化保护膜制备方法
13 CN85100163 一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓方法
14 CN85102460 电解—结晶联合法生产高纯镓
15 CN85104180 _具有倒台面支承结构的铟镓*磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
16 CN85103711 强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
17 CN87100526 镓的回收方法
18 CN87106967 利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
19 CN88102672 液-液萃取回收镓方法
20 CN88103282 从拜耳液中萃取并提纯镓方法
21 CN87101375.4 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
22 CN88106935.3 用液体-液体提取法回收镓方法
23 CN88107717.8 磷化镓液相外延方法及装置
24 CN88107405.5 一种高发光效率的磷化镓外延材料
25 CN89100435.X 溶解法自氧化铝生产中回收镓
26 CN88105238.8 镓在硅台面管生产中的应用技术
27 CN89104310.X 通过部分凝固提纯镓方法
28 CN88104435.0 磷化镓发光二极管电极制备工艺
29 CN89102308.9 *化镓／磷化铟异质气相外延技术
30 CN88107424.X 一种从含镓渣中提取镓方法
31 CN90106318.5 一种开管铝镓扩散工艺
32 CN92111467.2 低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM-5催化剂
33 CN92109780.6 一种从含镓的钒渣中提取镓方法
34 CN94194480.6 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
35 CN96108850.8 一种具有MFI结构含镓沸石制备方法
36 CN97129713.4 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
37 CN98106378.0 氮化镓结晶的制造方法
38 CN98106206.7 氮化镓晶体制备方法
39 CN99106909.9 氮化镓单晶衬底及其制造方法
40 CN97180082.0 基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
41 CN98103568.1 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
42 CN99126436.3 通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
43 CN99119719.4 一种氮化镓单晶的热液生长方法
44 CN00129633.7 一种制备氮化镓基 LED的新方法
45 CN00131158.X 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
46 CN01107152.4 一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
47 CN00103907.5 从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
48 CN01113733.9 用于塑封的*化镓芯片钝化方法
49 CN00136184.8 镓酸锂晶体制备方法
50 CN01131440.0 一种放射性同位素镓－67制备工艺
51 CN00131322.3 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
52 CN01129995.9 一种含镓矿物中镓的提取方法
53 CN02102460.1 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
54 CN02104073.7 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
55 CN01107269.5 从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓方法
56 CN02105907.X 往氮化镓结晶掺杂氧方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
57 CN200610112885.1 一种*化镓PIN二极管及其制作方法
58 CN200710133982.X 一种制造变异势垒氮化镓场效应管方法
59 CN200610152200.9 一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓方法
60 CN200710058315.X 直拉法生长掺镓硅单晶方法和装置
61 CN200710009645.X 一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
62 CN200710009646.6 一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
63 CN200680007694.5 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
64 CN200680008040.4 金刚石上的氮化镓发光装置
65 CN200610140756.X 氮化镓表面低损伤蚀刻
66 CN200610140757.6 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
67 CN200710181938.8 *化镓晶片的激光加工方法
68 CN200710171389.6 铟镓*台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
69 CN200710193089.8 一种生产4N金属镓方法
70 CN200710009956.8 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
71 CN200710301960.X 从镓酸钠溶液中回收*
72 CN200710179644.X 一种镓提纯电解废液的净化处理方法
73 CN200610070380.6 铌酸镓镧系列纳米粉体制备方法
74 CN200610144305.5 提高氮化镓材料载流子迁移率方法
75 CN200810055710.9 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
76 CN200610165547.2 一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓方法
77 CN200710114784.0 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
78 CN200680023378.7 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
79 CN200680023390.2 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
80 CN200680024176.4 氮化镓基化合物半导体发光器件
81 CN200710173625.8 钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
82 CN200710063375.2 高速*化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
83 CN200710193582.1 用，lN制作大功率镓*/铝镓*激光器非吸收窗口方法
84 CN200810018940.2 形成氮化镓器件和电路中接地通孔方法
85 CN200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列方法
86 CN200810033719.1 一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度方法
87 CN200710062978.0 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
88 CN200810006957.X 一种镓铝合金、制备方法及其在制氢领域的应用
89 CN200680028774.9 氮化镓基化合物半导体发光器件
90 CN200710195806.0 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片方法
91 CN200710173512.8 背照射铟镓*微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
92 CN200810052489.X 多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜方法
93 CN200810070780.X 一种氮化镓基外延膜制备方法
94 CN200810070780.6 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
95 CN200480009773.0 基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
96 CN200810014780.1 高纯氧化镓制备方法
97 CN02247763.2 铟镓*红外探测器
98 CN02292590.0 氮化镓基LED的发光装置
99 CN88215650.9 磷化镓发光二极管
100 CN88216049.4 磷化镓液相外延装置
101 CN95244685.5 红色发光磷化镓液相外延舟
102 CN98209986.1 异质面*化镓背场太阳能电池
103 CN01214236.0 一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
104 CN200720140729.4 2-3英寸*化镓定向划线尺
105 CN200720096818.3 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
106 CN03138736.5 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
107 CN03147948.0 氮化镓系异质结构光二极体
108 CN200410022508.8 碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
109 CN03139103.6 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
110 CN200410053350.5 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
111 CN200410066479.5 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
112 CN200410040272.0 一种从*化镓工业废料中综合回收镓和*方法
113 CN03151054.1 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
114 CN200410067985.6 一种无损检测磷化铟与*化镓基材料直接键合质量方法
115 CN200310104770.7 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
116 CN200410065180.2 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
117 CN200410088165.5 氮化镓基半导体器件及其制造方法
118 CN200310115208.1 超高纯金属镓制备方法
119 CN200410067129.0 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
120 CN200410089448.X 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
121 CN200410031246.X 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
122 CN200310121160.8 一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
123 CN200310121794.9 中浓度P型掺杂透射式*化镓光阴极材料及其制备方法
124 CN200510023173.6 采用*化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
125 CN200510000296.8 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
126 CN200410000138.8 含镓烟尘的处理方法
127 CN200410000200.8 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
128 CN200410084640.X 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
129 CN200410084640.6 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
130 CN03812890.8 氮化镓(GaN、类化合物半导体装置及其制造方法
131 CN200410006382.5 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离方法
132 CN03813924.3 富镓氮化镓薄膜的制造方法
133 CN200410013593.X 一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料制备方法
134 CN200410098373.3 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
135 CN200410031469.8 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
136 CN02145890.X 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
137 CN02146269.0 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
138 CN200310119925.1 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
139 CN02149350.0 制备氮化镓单晶薄膜方法
140 CN02808020.3 氮化镓系列化合物半导体元件
141 CN200310108066.4 提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性方法
142 CN03800646.4 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片方法
143 CN02814526.7 基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
144 CN02802023.5 获得整体单晶性含镓氮化物方法及装置
145 CN03121823.7 一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法
146 CN03121877.6 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
147 CN200310109249.8 光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
148 CN03128017.1 铝镓铟*多量子阱超辐射发光二极管
149 CN03137828.5 自组织*化铟/*化镓盘状量子点材料的制作方法
150 CN200310109268.0 一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性方法
151 CN03158766.6 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
152 CN200310121092.0 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
153 CN02817912.9 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
154 CN02817829.7 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
155 CN200510128772.4 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
156 CN200510104602.2 金属镓电解生产中电解原液的脱钒方法
157 CN200380100487.0 基于氮化镓的装置和制造方法
158 CN200510031530.8 从*化镓工业废料中回收镓和*方法
159 CN200510026306.5 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
160 CN200410048228.4 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
161 CN200510011859.3 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法
162 CN200380105620.6 块状单晶含镓氮化物制造方法
163 CN200410058033.8 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
164 CN200410058034.2 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
165 CN200410058035.7 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
166 CN200410058037.6 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
167 CN200510021536.2 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
168 CN200510036162.X 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
169 CN200510028370.7 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
170 CN200410073928.9 氮化镓系发光二极管结构
171 CN200410073930.0 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
172 CN200410073932.5 氮化镓系发光二极管的制作方法
173 CN200380109710.2 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
174 CN200410078346.1 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
175 CN200410078343.6 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
176 CN200410078345.5 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
177 CN200410078347.4 氮化镓发光二极管结构
178 CN200410078348.9 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
179 CN200410080143.4 氮化镓系发光二极管
180 CN200510098704.8 一种*镓制备方法
181 CN200510108383.5 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
182 CN200510044842.8 磷酸镓晶体的助熔剂生长法
183 CN200410086456.0 添加硅的*化镓单结晶基板
184 CN200410036170.6 用于铟镓*/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
185 CN200510030319.1 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜方法
186 CN200510030320.2 铟镓铝氮发光器件
187 CN200510115278.4 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶方法
188 CN200510122730.1 含镓、铟和铈的无镉银钎料
189 CN200510032520.X 用萃取-电解法从冶炼铅锌矿尾渣中提取金属镓的技术
190 CN200410097276.2 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
191 CN200410009922.5 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
192 CN200410098518.1 高亮度氮化镓类发光二极体结构
193 CN200480009774.5 使用基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体方法及装置
194 CN200510048197.7 一种高纯度氮化镓纳米线制备生成方法
195 CN200480013908.0 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
196 CN200480015116.7 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
197 CN200510023162.8 掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
198 CN200510095658.6 一种提高氮化镓(GaN、基半导体材料发光效率方法
199 CN200510003404.7 稀土镓合金及其制造方法
200 CN200510064400.4 氮化镓系发光二极管
201 CN200610042023.4 制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
202 CN200610023694.6 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
203 CN200610033365.1 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
204 CN200610018594.4 *镓制备方法
205 CN200610024155.4 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性方法
206 CN200610039697.9 一种含镓和铈的无镉银钎料
207 CN200510128773.9 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
208 CN200610035583.7 一种*化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
209 CN200610025740.0 铟镓*焦平面探测器的列阵微台面制备方法
210 CN200610035320.0 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
211 CN200510124620.X 氮化镓基化合物半导体器件
212 CN200510072427.3 氮化镓基蓝光发光二极管
213 CN200610074303.3 氮化镓类半导体元件及其制造方法
214 CN200610087785.6 氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
215 CN200510011812.7 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
216 CN200510011813.X 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
217 CN200610089338.4 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
218 CN200610092944.X 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
219 CN200510046596.1 三甲基镓生产方法及设备
220 CN200510046594.0 三甲基镓制备和提纯方法
221 CN200480031798.0 氮化镓半导体衬底及其制造方法
222 CN200510011898.3 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
223 CN200380110945.9 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
224 CN200610093660.4 往氮化镓结晶掺杂氧方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
225 CN200610086059.2 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管方法
226 CN200480039693.1 镓抑制生物膜形成
227 CN200610105960.4 氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
228 CN200610099595.6 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
229 CN200610068575.2 从氧化铝生产流程中提取金属镓方法
230 CN200580003365.9 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
231 CN200480041760.X 镓在治疗炎性关节炎中的用途
232 CN200580004358.0 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
233 CN200580004938.1 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
234 CN200580007887.6 在平板玻璃上沉积氧化镓涂层方法
235 CN200610053869.8 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能方法
236 CN200610096645.5 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
237 CN200580010050.7 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
238 CN200610036729.1 提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术
239 CN200610139775.2 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
240 CN200480042879.0 镓的回收方法
241 CN200610104388.5 磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
242 CN200580014398.3 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
243 CN200510118016.3 提高铝镓氮材料质量方法
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245 CN200610097767.6 一种含镓、铟和铈的无镉银基钎料
246 CN200610097768.0 一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料
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252 CN200580020770.6 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
253 CN200610110668.7 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
254 CN200610161439.8 一种含镓、铟和铈的铜磷银钎料
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257 CN200610148069.4 镓*/铝镓*甚长波量子阱红外探测器
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276 CN200580041110.X 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
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284 CN200610089075.7 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
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309 CN200520107536.1 一种氮化镓基大管芯发光二极管
310 CN200420036443.8 氮化镓系发光二极管结构
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313 CN200620160774.X 一种生长*化镓单晶的抽真空装置
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161 CN200510011859.3 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法
162 CN200380105620.6 块状单晶含镓氮化物制造方法
163 CN200410058033.8 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
164 CN200410058034.2 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
165 CN200410058035.7 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
166 CN200410058037.6 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
167 CN200510021536.2 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
168 CN200510036162.X 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
169 CN200510028370.7 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
170 CN200410073928.9 氮化镓系发光二极管结构
171 CN200410073930.0 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
172 CN200410073932.5 氮化镓系发光二极管的制作方法
173 CN200380109710.2 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
174 CN200410078346.1 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
175 CN200410078343.6 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
176 CN200410078345.5 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
177 CN200410078347.4 氮化镓发光二极管结构
178 CN200410078348.9 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
179 CN200410080143.4 氮化镓系发光二极管
180 CN200510098704.8 一种*镓制备方法
181 CN200510108383.5 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
182 CN200510044842.8 磷酸镓晶体的助熔剂生长法
183 CN200410086456.0 添加硅的*化镓单结晶基板
184 CN200410036170.6 用于铟镓*/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
185 CN200510030319.1 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜方法
186 CN200510030320.2 铟镓铝氮发光器件
187 CN200510115278.4 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶方法
188 CN200510122730.1 含镓、铟和铈的无镉银钎料
189 CN200510032520.X 用萃取-电解法从冶炼铅锌矿尾渣中提取金属镓的技术
190 CN200410097276.2 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
191 CN200410009922.5 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
192 CN200410098518.1 高亮度氮化镓类发光二极体结构
193 CN200480009774.5 使用基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体方法及装置
194 CN200510048197.7 一种高纯度氮化镓纳米线制备生成方法
195 CN200480013908.0 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
196 CN200480015116.7 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
197 CN200510023162.8 掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
198 CN200510095658.6 一种提高氮化镓(GaN、基半导体材料发光效率方法
199 CN200510003404.7 稀土镓合金及其制造方法
200 CN200510064400.4 氮化镓系发光二极管
201 CN200610042023.4 制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
202 CN200610023694.6 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
203 CN200610033365.1 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
204 CN200610018594.4 *镓制备方法
205 CN200610024155.4 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性方法
206 CN200610039697.9 一种含镓和铈的无镉银钎料
207 CN200510128773.9 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
208 CN200610035583.7 一种*化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
209 CN200610025740.0 铟镓*焦平面探测器的列阵微台面制备方法
210 CN200610035320.0 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
211 CN200510124620.X 氮化镓基化合物半导体器件
212 CN200510072427.3 氮化镓基蓝光发光二极管
213 CN200610074303.3 氮化镓类半导体元件及其制造方法
214 CN200610087785.6 氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
215 CN200510011812.7 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
216 CN200510011813.X 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
217 CN200610089338.4 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
218 CN200610092944.X 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
219 CN200510046596.1 三甲基镓生产方法及设备
220 CN200510046594.0 三甲基镓制备和提纯方法
221 CN200480031798.0 氮化镓半导体衬底及其制造方法
222 CN200510011898.3 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
223 CN200380110945.9 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
224 CN200610093660.4 往氮化镓结晶掺杂氧方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
225 CN200610086059.2 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管方法
226 CN200480039693.1 镓抑制生物膜形成
227 CN200610105960.4 氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
228 CN200610099595.6 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
229 CN200610068575.2 从氧化铝生产流程中提取金属镓方法
230 CN200580003365.9 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
231 CN200480041760.X 镓在治疗炎性关节炎中的用途
232 CN200580004358.0 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
233 CN200580004938.1 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
234 CN200580007887.6 在平板玻璃上沉积氧化镓涂层方法
235 CN200610053869.8 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能方法
236 CN200610096645.5 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
237 CN200580010050.7 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
238 CN200610036729.1 提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术
239 CN200610139775.2 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
240 CN200480042879.0 镓的回收方法
241 CN200610104388.5 磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
242 CN200580014398.3 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
243 CN200510118016.3 提高铝镓氮材料质量方法
244 CN200610118770.X 微台面结构的铟镓*线列探测器
245 CN200610097767.6 一种含镓、铟和铈的无镉银基钎料
246 CN200610097768.0 一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料
247 CN200610125202.4 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜方法和装置
248 CN200680000348.4 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
249 CN200610144850.4 垂直基于氮化镓的发光二极管
250 CN200510086962.4 *化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
251 CN200580015223.4 氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
252 CN200580020770.6 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
253 CN200610110668.7 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
254 CN200610161439.8 一种含镓、铟和铈的铜磷银钎料
255 CN200610144316.3 一种制备氮化镓单晶衬底方法
256 CN200610148068.1 共振隧穿增强铟镓*/镓*量子阱红外探测器
257 CN200610148069.4 镓*/铝镓*甚长波量子阱红外探测器
258 CN200610011224.8 提高氧化铝/*化镓分布布拉格反射镜界面质量方法
259 CN200610001595.8 氮化镓系半导体的成长方法
260 CN200610167605.5 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力方法
261 CN200610022726.0 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
262 CN200610063546.7 铝镓铟磷系化合物半导体发光器及其制造方法
263 CN200710003262.3 白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其制作方法
264 CN200710037618.5 一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
265 CN200710010228.9 立方甲酸铝和甲酸镓及制备方法
266 CN200710013839.9 一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法
267 CN200710015452.7 掺杂钙钽镓石榴石晶体制备方法和用途
268 CN200710015453.X 掺杂钙锂钽镓石榴石晶体制备方法和用途
269 CN200610067460.X 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
270 CN200710054492.2 从氧化铝生产流程中提取镓的离子交换法
271 CN200710013820.4 超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
272 CN200710051864.6 一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
273 CN200710067666.9 一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
274 CN200710118120.X 一种钴镍铁镓形状记忆合金材料
275 CN200710024585.0 一种高纯镓制备方法
276 CN200580041110.X 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
277 CN200710016500.9 磷酸三镓晶体的助熔剂生长法
278 CN200710043618.6 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
279 CN200710139296.5 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能方法
280 CN200610088934.0 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
281 CN200710145132.3 一种生产金属镓联产氧化铝方法
282 CN200610089070.9 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
283 CN200610089074.2 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
284 CN200610089075.7 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
285 CN200710121708.2 一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
286 CN200710146312.3 氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
287 CN200680005442.9 含镓氧化锌
288 CN200610112408.3 一种*化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法
289 CN200710142217.6 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
290 CN200610089289.4 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
291 CN200710141488.1 一种提取镓的生产方法
292 CN200810017872.3 从粉煤灰和煤矸石中提取镓的生产工艺
293 CN200680032214.0 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
294 CN200680032456.1 氮化镓基化合物半导体发光器件
295 CN200810095054.5 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
296 CN200710173617.3 一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途
297 CN200710173618.8 一种硅酸镓锑基压电单晶
298 CN200710065366.7 一种从高废铝渣粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓方法
299 CN200710107760.2 含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
300 CN200680039758.1 药物镓组合物和方法
301 CN200680034816.1 陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜制备方法
302 CN200680041109.3 用镓对不良肝脏病症的治疗和预防
303 CN03245219.5 一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底
304 CN200320129498.9 一种生长长尺寸半绝缘*化镓单晶的装置
305 CN200320128260.4 一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
306 CN03257248.4 使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
307 CN200420118205.X 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
308 CN200520107535.5 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
309 CN200520107536.1 一种氮化镓基大管芯发光二极管
310 CN200420036443.8 氮化镓系发光二极管结构
311 CN200520062002.1 氮化镓基发光二极管芯片
312 CN200620126644.6 碘镓灯
313 CN200620160774.X 一种生长*化镓单晶的抽真空装置
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