镓的提炼与回收技术生产加工工艺
1OP02141658.3氮化镓半导体激光器
2OP02150783.X谐振腔增强的n型*化镓远红外探测器的反射镜
3OP02156898.7一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
4OP02145468.X无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
5OP02112310.1一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
6OP02112311.X射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7OP02112412.4异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8OP03118955.5采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
9OP03110256.5氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
10OP03112341.4一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
11OP03110199.2以氮化镓为基底的半导体发光装置
12OP96116400.X*化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
13OP85100163一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
14OP85102460电解—结晶联合法生产高纯镓
15OP85104180_具有倒台面支承结构的铟镓*磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
16OP85103711强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
17OP87100526镓的回收方法
18OP87106967利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
19OP88102672液－液萃取回收镓的方法
20OP88103282从拜耳液中萃取并提纯镓的方法
21OP87101375.4单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
22OP88106935.3用液体－液体提取法回收镓的方法
23OP88107717.8磷化镓液相外延方法及装置
24OP88107405.5一种高发光效率的磷化镓外延材料
25OP89100435.1溶解法自氧化铝生产中回收镓
26OP88105238.8镓在硅台面管生产中的应用技术
27OP89104310.1通过部分凝固提纯镓的方法
28OP88104435.0磷化镓发光二极管电极制备工艺
29OP89102308.9*化镓／磷化铟异质气相外延技术
30OP88107424.1一种从含镓渣中提取镓的方法
31OP90106318.5一种开管铝镓扩散工艺
32OP92111467.2低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM－5催化剂
33OP92109781.6一种从含镓的钒渣中提取镓的方法
34OP94194481.6碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
35OP96108850.8一种具有MFI结构含镓沸石的制备方法
36OP97129713.4氮化镓基化合物半导体器件及其☎13940531297
37OP98106378.0氮化镓结晶的制造方法
38OP98106206.7氮化镓晶体的制备方法
39OP99106909.9氮化镓单晶衬底及其制造方法
40OP97180082.0基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
41OP98103568.X铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
42OP99126436.3通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
43OP99119719.4一种氮化镓单晶的热液生长方法
44OP00129633.7一种制备氮化镓基LED的新方法
45OP00131158.1氮化镓薄膜制备技术及专用装置
46OP01107152.4一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
47OP00103907.5从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
48OP01113733.9用于塑封的*化镓芯片钝化方法
49OP00136184.8镓酸锂晶体的制备方法
50OP01131440.0一种放射性同位素镓－67的制备工艺
51OP00131322.3氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
52OP01129995.9一种含镓矿物中镓的提取方法
53OP02102460.X生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
54OP02104073.7一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
55OP01107269.5从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓的方法
56OP02105907.1往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
57OP200610112885.X一种*化镓PIN二极管及其☎13940531297
58OP200710133982.1一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
59OP200610152201.9一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
60OP200710058315.1直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
61OP200710009645.1一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
62OP200710009646.6一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
63OP200680007694.5用于生长平坦半极性氮化镓的技术
64OP200680008040.4金刚石上的氮化镓发光装置
65OP200610140756.1氮化镓表面低损伤蚀刻
66OP200610140757.6氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
67OP200710181938.8*化镓晶片的激光加工方法
68OP200710171389.6铟镓*台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
69OP200710193089.8一种生产4N金属镓的方法
70OP200710009956.8一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
71OP200710301960.1从镓酸钠溶液中回收*
72OP200710179644.1一种镓提纯电解废液的净化处理方法
73OP200610070381.6铌酸镓镧系列纳米粉体的制备方法
74OP200610144305.5提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
75OP200810055710.9氮化镓基发光二极管芯片及其☎13940531297
76OP200610165547.2一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
77OP200710114784.0一种氮化镓基半导体光电器件的☎13940531297
78OP200680023378.7氧化镓－氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
79OP200680023391.2氧化镓－氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
80OP200680024176.4氮化镓基化合物半导体发光器件
81OP200710173625.8钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
82OP200710063375.2高速*化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
83OP200710193582.X用，lN制作大功率镓*/铝镓*激光器非吸收窗口的方法
84OP200810018941.2形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
85OP200710173110.8采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
86OP200810033719.X一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
87OP200710062978.0单结铟镓氮太阳能电池结构及☎13940531297
88OP200810006957.1一种镓铝合金、制备方法及其在制氢领域的应用
89OP200680028774.9氮化镓基化合物半导体发光器件
90OP200710195806.0用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
91OP200710173512.8背照射铟镓*微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
92OP200810052489.1多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
93OP200810070780.1一种氮化镓基外延膜的制备方法
94OP200810070781.6镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
95OP200480009773.0基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
96OP200810014780.X高纯氧化镓的制备方法
97OP02247763.2铟镓*红外探测器
98OP02292591.0氮化镓基LED的发光装置
99OP88215651.9磷化镓发光二极管
100OP88216049.4磷化镓液相外延装置
101OP95244685.5红色发光磷化镓液相外延舟
102OP98209986.X异质面*化镓背场太阳能电池
103OP01214236.0一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
104OP200720140729.42－3英寸*化镓定向划线尺
105OP200720096818.3直拉法生长掺镓硅单晶的装置
106OP03138736.5一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
107OP03147948.0氮化镓系异质结构光二极体
108OP200410022508.8碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
109OP03139103.6一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
110OP200410053351.5氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
111OP200410066479.5一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
112OP200410040272.0一种从*化镓工业废料中综合回收镓和*的方法
113OP03151054.X氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
114OP200410067985.6一种无损检测磷化铟与*化镓基材料直接键合质量的方法
115OP200310104771.7具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
116OP200410065181.2提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
117OP200410088165.5氮化镓基半导体器件及其制造方法
118OP200310115208.X超高纯金属镓的制备方法
119OP200410067129.0掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
120OP200410089448.1一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
121OP200410031246.1薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
122OP200310121161.8一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
123OP200310121794.9中浓度P型掺杂透射式*化镓光阴极材料及其制备方法
124OP200510023173.6采用*化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及☎13940531297
125OP200510000296.8新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
126OP200410000138.8含镓烟尘的处理方法
127OP200410000201.8一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
128OP200410084640.1双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
129OP200410084641.6双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
130OP03812891.8氮化镓（GaN）类化合物半导体装置及其制造方法
131OP200410006382.5氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
132OP03813924.3富镓氮化镓薄膜的制造方法
133OP200410013593.1一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
134OP200410098373.3氮化镓基Ⅲ－V族化合物半导体发光器件及其制造方法
135OP200410031469.8氮化镓系化合物半导体的外延结构及其☎13940531297
136OP02145890.1氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
137OP02146269.0氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
138OP200310119925.X局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
139OP02149351.0制备氮化镓单晶薄膜的方法
140OP02808020.3氮化镓系列化合物半导体元件
141OP200310108066.4提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性的方法
142OP03800646.4用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
143OP02814526.7基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
144OP02802023.5获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置
145OP03121823.7一种*化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法
146OP03121877.6氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其☎13940531297
147OP200310109249.8光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
148OP03128017.X铝镓铟*多量子阱超辐射发光二极管
149OP03137828.5自组织*化铟/*化镓盘状量子点材料的☎13940531297
150OP200310109268.0一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
151OP03158766.6氮化镓基化合物半导体器件及其☎13940531297
152OP200310121092.0激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
153OP02817912.9具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
154OP02817829.7在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
155OP200510128772.4氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件
156OP200510104602.2金属镓电解生产中电解原液的脱钒方法
157OP200380100487.0基于氮化镓的装置和制造方法
158OP200510031531.8从*化镓工业废料中回收镓和*的方法
159OP200510026306.5具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
160OP200410048228.4氮化镓紫外色度探测器及其☎13940531297
161OP200510011859.3用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法
162OP200380105621.6块状单晶含镓氮化物制造方法
163OP200410058033.8适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
164OP200410058034.2适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
165OP200410058035.7适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
166OP200410058037.6适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
167OP200510021536.2一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
168OP200510036162.1氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
169OP200510028370.7氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
170OP200410073928.9氮化镓系发光二极管结构
171OP200410073931.0具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
172OP200410073932.5氮化镓系发光二极管的☎13940531297
173OP200380109711.2氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
174OP200410078346.X基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
175OP200410078343.6具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
176OP200410078345.5氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
177OP200410078347.4氮化镓发光二极管结构
178OP200410078348.9氮化镓二极管装置的缓冲层结构
179OP200410080143.4氮化镓系发光二极管
180OP200510098704.8一种*镓的制备方法
181OP200510108383.5三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
182OP200510044842.8磷酸镓晶体的助熔剂生长法
183OP200410086456.0添加硅的*化镓单结晶基板
184OP200410036171.6用于铟镓*/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
185OP200510030319.X在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
186OP200510030320.2铟镓铝氮发光器件
187OP200510115278.4一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
188OP200510122730.X含镓、铟和铈的无镉银钎料
189OP200510032520.1用萃取－电解法从冶炼铅锌矿尾渣中提取金属镓的技术
190OP200410097276.2一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
191OP200410009922.5提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及☎13940531297
192OP200410098518.X高亮度氮化镓类发光二极体结构
193OP200480009774.5使用基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体的方法及装置
194OP200510048197.7一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
195OP200480013908.0通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
196OP200480015116.7制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
197OP200510023162.8掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
198OP200510095658.6一种提高氮化镓（GaN）基半导体材料发光效率的方法
199OP200510003404.7稀土镓合金及其制造方法
200OP200510064401.4氮化镓系发光二极管
201OP200610042023.4制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
202OP200610023694.6一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
203OP200610033365.X具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
204OP200610018594.4*镓的制备方法
205OP200610024155.4一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
206OP200610039697.9一种含镓和铈的无镉银钎料
207OP200510128773.9氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
208OP200610035583.7一种*化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
209OP200610025741.0铟镓*焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
210OP200610035321.0一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
211OP200510124621.1氮化镓基化合物半导体器件
212OP200510072427.3氮化镓基蓝光发光二极管
213OP200610074303.3氮化镓类半导体元件及其制造方法
214OP200610087785.6氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
215OP200510011812.7桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
216OP200510011813.1一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
217OP200610089338.4新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
218OP200610092944.1树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
219OP200510046596.X三甲基镓生产方法及设备
220OP200510046594.0三甲基镓制备和提纯方法
221OP200480031798.0氮化镓半导体衬底及其制造方法
222OP200510011898.3减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
223OP200380110945.9经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
224OP200610093660.4往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
225OP200610086059.2一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
226OP200480039693.X镓抑制生物膜形成
227OP200610105961.4氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
228OP200610099595.6含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
229OP200610068575.2从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法
230OP200580003365.9基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
231OP200480041760.1镓在治疗炎性关节炎中的用途
232OP200580004358.0基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
233OP200580004938.X基于氮化镓的化合物半导体发光器件
234OP200580007887.6在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法
235OP200610053869.8一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
236OP200610096645.5铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
237OP200580010050.7氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
238OP200610036729.X提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术
239OP200610139775.2氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
240OP200480042879.0镓的回收方法
241OP200610104388.5磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
242OP200580014398.3形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
243OP200510118016.3提高铝镓氮材料质量的方法
244OP200610118770.1微台面结构的铟镓*线列探测器
245OP200610097767.6一种含镓、铟和铈的无镉银基钎料
246OP200610097768.0一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料
247OP200610125202.4一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
248OP200680000348.4垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
249OP200610144850.4垂直基于氮化镓的发光二极管
250OP200510086962.4*化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
251OP200580015223.4氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
252OP200580020771.6反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
253OP200610110668.7自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
254OP200610161439.8一种含镓、铟和铈的铜磷银钎料
255OP200610144316.3一种制备氮化镓单晶衬底的方法
256OP200610148068.X共振隧穿增强铟镓*/镓*量子阱红外探测器
257OP200610148069.4镓*/铝镓*甚长波量子阱红外探测器
258OP200610011224.8提高氧化铝/*化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
259OP200610001595.8氮化镓系半导体的成长方法
260OP200610167605.5降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
261OP200610022726.0一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
262OP200610063546.7铝镓铟磷系化合物半导体发光器及其制造方法
263OP200710003262.3白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其☎13940531297
264OP200710037618.5一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
265OP200710010228.9立方甲酸铝和甲酸镓及制备方法
266OP200710013839.9一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法
267OP200710015452.7掺杂钙钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
268OP200710015453.1掺杂钙锂钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
269OP200610067460.1不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其☎13940531297
270OP200710054492.2从氧化铝生产流程中提取镓的离子交换法
271OP200710013820.4超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
272OP200710051864.6一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
273OP200710067666.9一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
274OP200710118120.1一种钴镍铁镓形状记忆合金材料
275OP200710024585.0一种高纯镓的制备方法
276OP200580041110.1氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
277OP200710016501.9磷酸三镓晶体的助熔剂生长法
278OP200710043618.6用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
279OP200710139296.5利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
280OP200610088934.0一种照明用氮化镓基发光二极管器件
281OP200710145132.3一种生产金属镓联产氧化铝的方法
282OP200610089071.9一种照明用氮化镓基发光二极管器件
283OP200610089074.2一种照明用氮化镓基发光二极管器件
284OP200610089075.7一种照明用氮化镓基发光二极管器件
285OP200710121708.2一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其☎13940531297
286OP200710146312.3氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
287OP200680005442.9含镓氧化锌
288OP200610112408.3一种*化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的☎13940531297
289OP200710142217.6具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
290OP200610089289.4低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
291OP200710141488.X一种提取镓的生产方法
292OP200810017872.3从粉煤灰和煤矸石中提取镓的生产工艺
293OP200680032214.0氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
294OP200680032456.X氮化镓基化合物半导体发光器件
295OP200810095054.5氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
296OP200710173617.3一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途
297OP200710173618.8一种硅酸镓锑基压电单晶
298OP200710065366.7一种从高废铝渣粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓的方法
299OP200710107760.2含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
300OP200680039758.X药物镓组合物和方法
301OP200680034816.X陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法
302OP200680041109.3用镓对不良肝脏病症的治疗和预防
303OP03245219.5一种*化镓基半导体－氧化物绝缘衬底
304OP200320129498.9一种生长长尺寸半绝缘*化镓单晶的装置
305OP200320128260.4一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
306OP03257248.4使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
307OP200420118205.1氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
308OP200520107535.5桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
309OP200520107536.X一种氮化镓基大管芯发光二极管
310OP200420036443.8氮化镓系发光二极管结构
311OP200520062002.X氮化镓基发光二极管芯片
312OP200620126644.6碘镓灯
313OP200620160774.1一种生长*化镓单晶的抽真空装置，
购买以上《镓的提炼与回收技术生产加工工艺》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
2OP02150783.X谐振腔增强的n型*化镓远红外探测器的反射镜
3OP02156898.7一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
4OP02145468.X无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
5OP02112310.1一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
6OP02112311.X射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7OP02112412.4异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8OP03118955.5采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
9OP03110256.5氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
10OP03112341.4一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
11OP03110199.2以氮化镓为基底的半导体发光装置
12OP96116400.X*化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
13OP85100163一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
14OP85102460电解—结晶联合法生产高纯镓
15OP85104180_具有倒台面支承结构的铟镓*磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
16OP85103711强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
17OP87100526镓的回收方法
18OP87106967利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
19OP88102672液－液萃取回收镓的方法
20OP88103282从拜耳液中萃取并提纯镓的方法
21OP87101375.4单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
22OP88106935.3用液体－液体提取法回收镓的方法
23OP88107717.8磷化镓液相外延方法及装置
24OP88107405.5一种高发光效率的磷化镓外延材料
25OP89100435.1溶解法自氧化铝生产中回收镓
26OP88105238.8镓在硅台面管生产中的应用技术
27OP89104310.1通过部分凝固提纯镓的方法
28OP88104435.0磷化镓发光二极管电极制备工艺
29OP89102308.9*化镓／磷化铟异质气相外延技术
30OP88107424.1一种从含镓渣中提取镓的方法
31OP90106318.5一种开管铝镓扩散工艺
32OP92111467.2低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM－5催化剂
33OP92109781.6一种从含镓的钒渣中提取镓的方法
34OP94194481.6碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
35OP96108850.8一种具有MFI结构含镓沸石的制备方法
36OP97129713.4氮化镓基化合物半导体器件及其☎13940531297
37OP98106378.0氮化镓结晶的制造方法
38OP98106206.7氮化镓晶体的制备方法
39OP99106909.9氮化镓单晶衬底及其制造方法
40OP97180082.0基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物，其制备方法及其作为发光材料的使用
41OP98103568.X铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
42OP99126436.3通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
43OP99119719.4一种氮化镓单晶的热液生长方法
44OP00129633.7一种制备氮化镓基LED的新方法
45OP00131158.1氮化镓薄膜制备技术及专用装置
46OP01107152.4一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
47OP00103907.5从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
48OP01113733.9用于塑封的*化镓芯片钝化方法
49OP00136184.8镓酸锂晶体的制备方法
50OP01131440.0一种放射性同位素镓－67的制备工艺
51OP00131322.3氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
52OP01129995.9一种含镓矿物中镓的提取方法
53OP02102460.X生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
54OP02104073.7一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
55OP01107269.5从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓的方法
56OP02105907.1往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
57OP200610112885.X一种*化镓PIN二极管及其☎13940531297
58OP200710133982.1一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
59OP200610152201.9一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
60OP200710058315.1直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
61OP200710009645.1一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
62OP200710009646.6一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
63OP200680007694.5用于生长平坦半极性氮化镓的技术
64OP200680008040.4金刚石上的氮化镓发光装置
65OP200610140756.1氮化镓表面低损伤蚀刻
66OP200610140757.6氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
67OP200710181938.8*化镓晶片的激光加工方法
68OP200710171389.6铟镓*台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
69OP200710193089.8一种生产4N金属镓的方法
70OP200710009956.8一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
71OP200710301960.1从镓酸钠溶液中回收*
72OP200710179644.1一种镓提纯电解废液的净化处理方法
73OP200610070381.6铌酸镓镧系列纳米粉体的制备方法
74OP200610144305.5提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
75OP200810055710.9氮化镓基发光二极管芯片及其☎13940531297
76OP200610165547.2一种在*化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
77OP200710114784.0一种氮化镓基半导体光电器件的☎13940531297
78OP200680023378.7氧化镓－氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
79OP200680023391.2氧化镓－氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
80OP200680024176.4氮化镓基化合物半导体发光器件
81OP200710173625.8钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
82OP200710063375.2高速*化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
83OP200710193582.X用，lN制作大功率镓*/铝镓*激光器非吸收窗口的方法
84OP200810018941.2形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
85OP200710173110.8采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
86OP200810033719.X一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
87OP200710062978.0单结铟镓氮太阳能电池结构及☎13940531297
88OP200810006957.1一种镓铝合金、制备方法及其在制氢领域的应用
89OP200680028774.9氮化镓基化合物半导体发光器件
90OP200710195806.0用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
91OP200710173512.8背照射铟镓*微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
92OP200810052489.1多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
93OP200810070780.1一种氮化镓基外延膜的制备方法
94OP200810070781.6镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
95OP200480009773.0基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
96OP200810014780.X高纯氧化镓的制备方法
97OP02247763.2铟镓*红外探测器
98OP02292591.0氮化镓基LED的发光装置
99OP88215651.9磷化镓发光二极管
100OP88216049.4磷化镓液相外延装置
101OP95244685.5红色发光磷化镓液相外延舟
102OP98209986.X异质面*化镓背场太阳能电池
103OP01214236.0一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
104OP200720140729.42－3英寸*化镓定向划线尺
105OP200720096818.3直拉法生长掺镓硅单晶的装置
106OP03138736.5一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
107OP03147948.0氮化镓系异质结构光二极体
108OP200410022508.8碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
109OP03139103.6一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
110OP200410053351.5氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
111OP200410066479.5一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
112OP200410040272.0一种从*化镓工业废料中综合回收镓和*的方法
113OP03151054.X氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
114OP200410067985.6一种无损检测磷化铟与*化镓基材料直接键合质量的方法
115OP200310104771.7具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
116OP200410065181.2提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
117OP200410088165.5氮化镓基半导体器件及其制造方法
118OP200310115208.X超高纯金属镓的制备方法
119OP200410067129.0掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
120OP200410089448.1一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
121OP200410031246.1薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
122OP200310121161.8一种无液封合成*化镓多晶材料的工艺方法
123OP200310121794.9中浓度P型掺杂透射式*化镓光阴极材料及其制备方法
124OP200510023173.6采用*化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及☎13940531297
125OP200510000296.8新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
126OP200410000138.8含镓烟尘的处理方法
127OP200410000201.8一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
128OP200410084640.1双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
129OP200410084641.6双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
130OP03812891.8氮化镓（GaN）类化合物半导体装置及其制造方法
131OP200410006382.5氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
132OP03813924.3富镓氮化镓薄膜的制造方法
133OP200410013593.1一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
134OP200410098373.3氮化镓基Ⅲ－V族化合物半导体发光器件及其制造方法
135OP200410031469.8氮化镓系化合物半导体的外延结构及其☎13940531297
136OP02145890.1氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
137OP02146269.0氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
138OP200310119925.X局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
139OP02149351.0制备氮化镓单晶薄膜的方法
140OP02808020.3氮化镓系列化合物半导体元件
141OP200310108066.4提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性的方法
142OP03800646.4用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
143OP02814526.7基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
144OP02802023.5获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置
145OP03121823.7一种*化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法
146OP03121877.6氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其☎13940531297
147OP200310109249.8光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
148OP03128017.X铝镓铟*多量子阱超辐射发光二极管
149OP03137828.5自组织*化铟/*化镓盘状量子点材料的☎13940531297
150OP200310109268.0一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
151OP03158766.6氮化镓基化合物半导体器件及其☎13940531297
152OP200310121092.0激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
153OP02817912.9具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
154OP02817829.7在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
155OP200510128772.4氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件
156OP200510104602.2金属镓电解生产中电解原液的脱钒方法
157OP200380100487.0基于氮化镓的装置和制造方法
158OP200510031531.8从*化镓工业废料中回收镓和*的方法
159OP200510026306.5具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
160OP200410048228.4氮化镓紫外色度探测器及其☎13940531297
161OP200510011859.3用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法
162OP200380105621.6块状单晶含镓氮化物制造方法
163OP200410058033.8适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
164OP200410058034.2适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
165OP200410058035.7适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
166OP200410058037.6适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
167OP200510021536.2一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
168OP200510036162.1氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
169OP200510028370.7氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
170OP200410073928.9氮化镓系发光二极管结构
171OP200410073931.0具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
172OP200410073932.5氮化镓系发光二极管的☎13940531297
173OP200380109711.2氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
174OP200410078346.X基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
175OP200410078343.6具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
176OP200410078345.5氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
177OP200410078347.4氮化镓发光二极管结构
178OP200410078348.9氮化镓二极管装置的缓冲层结构
179OP200410080143.4氮化镓系发光二极管
180OP200510098704.8一种*镓的制备方法
181OP200510108383.5三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
182OP200510044842.8磷酸镓晶体的助熔剂生长法
183OP200410086456.0添加硅的*化镓单结晶基板
184OP200410036171.6用于铟镓*/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
185OP200510030319.X在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法
186OP200510030320.2铟镓铝氮发光器件
187OP200510115278.4一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
188OP200510122730.X含镓、铟和铈的无镉银钎料
189OP200510032520.1用萃取－电解法从冶炼铅锌矿尾渣中提取金属镓的技术
190OP200410097276.2一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
191OP200410009922.5提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及☎13940531297
192OP200410098518.X高亮度氮化镓类发光二极体结构
193OP200480009774.5使用基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体的方法及装置
194OP200510048197.7一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
195OP200480013908.0通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
196OP200480015116.7制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
197OP200510023162.8掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
198OP200510095658.6一种提高氮化镓（GaN）基半导体材料发光效率的方法
199OP200510003404.7稀土镓合金及其制造方法
200OP200510064401.4氮化镓系发光二极管
201OP200610042023.4制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
202OP200610023694.6一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
203OP200610033365.X具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
204OP200610018594.4*镓的制备方法
205OP200610024155.4一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
206OP200610039697.9一种含镓和铈的无镉银钎料
207OP200510128773.9氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
208OP200610035583.7一种*化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法
209OP200610025741.0铟镓*焦平面探测器的列阵微台面的制备方法
210OP200610035321.0一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
211OP200510124621.1氮化镓基化合物半导体器件
212OP200510072427.3氮化镓基蓝光发光二极管
213OP200610074303.3氮化镓类半导体元件及其制造方法
214OP200610087785.6氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
215OP200510011812.7桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
216OP200510011813.1一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
217OP200610089338.4新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
218OP200610092944.1树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
219OP200510046596.X三甲基镓生产方法及设备
220OP200510046594.0三甲基镓制备和提纯方法
221OP200480031798.0氮化镓半导体衬底及其制造方法
222OP200510011898.3减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
223OP200380110945.9经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
224OP200610093660.4往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
225OP200610086059.2一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
226OP200480039693.X镓抑制生物膜形成
227OP200610105961.4氮化镓单晶的生长方法，氮化镓单晶基板及其制造方法
228OP200610099595.6含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
229OP200610068575.2从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法
230OP200580003365.9基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
231OP200480041760.1镓在治疗炎性关节炎中的用途
232OP200580004358.0基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
233OP200580004938.X基于氮化镓的化合物半导体发光器件
234OP200580007887.6在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法
235OP200610053869.8一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
236OP200610096645.5铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
237OP200580010050.7氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
238OP200610036729.X提取镓、铟、锗酸性废水综合处理新技术
239OP200610139775.2氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
240OP200480042879.0镓的回收方法
241OP200610104388.5磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺
242OP200580014398.3形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
243OP200510118016.3提高铝镓氮材料质量的方法
244OP200610118770.1微台面结构的铟镓*线列探测器
245OP200610097767.6一种含镓、铟和铈的无镉银基钎料
246OP200610097768.0一种含镓、铟、镍和铈的无镉银钎料
247OP200610125202.4一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
248OP200680000348.4垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
249OP200610144850.4垂直基于氮化镓的发光二极管
250OP200510086962.4*化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
251OP200580015223.4氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
252OP200580020771.6反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
253OP200610110668.7自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
254OP200610161439.8一种含镓、铟和铈的铜磷银钎料
255OP200610144316.3一种制备氮化镓单晶衬底的方法
256OP200610148068.X共振隧穿增强铟镓*/镓*量子阱红外探测器
257OP200610148069.4镓*/铝镓*甚长波量子阱红外探测器
258OP200610011224.8提高氧化铝/*化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
259OP200610001595.8氮化镓系半导体的成长方法
260OP200610167605.5降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
261OP200610022726.0一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
262OP200610063546.7铝镓铟磷系化合物半导体发光器及其制造方法
263OP200710003262.3白光半导体光源及镧镓硅酸盐基质的荧光粉及其☎13940531297
264OP200710037618.5一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
265OP200710010228.9立方甲酸铝和甲酸镓及制备方法
266OP200710013839.9一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法
267OP200710015452.7掺杂钙钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
268OP200710015453.1掺杂钙锂钽镓石榴石晶体的制备方法和用途
269OP200610067460.1不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其☎13940531297
270OP200710054492.2从氧化铝生产流程中提取镓的离子交换法
271OP200710013820.4超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
272OP200710051864.6一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
273OP200710067666.9一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
274OP200710118120.1一种钴镍铁镓形状记忆合金材料
275OP200710024585.0一种高纯镓的制备方法
276OP200580041110.1氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
277OP200710016501.9磷酸三镓晶体的助熔剂生长法
278OP200710043618.6用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
279OP200710139296.5利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
280OP200610088934.0一种照明用氮化镓基发光二极管器件
281OP200710145132.3一种生产金属镓联产氧化铝的方法
282OP200610089071.9一种照明用氮化镓基发光二极管器件
283OP200610089074.2一种照明用氮化镓基发光二极管器件
284OP200610089075.7一种照明用氮化镓基发光二极管器件
285OP200710121708.2一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其☎13940531297
286OP200710146312.3氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
287OP200680005442.9含镓氧化锌
288OP200610112408.3一种*化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的☎13940531297
289OP200710142217.6具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
290OP200610089289.4低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
291OP200710141488.X一种提取镓的生产方法
292OP200810017872.3从粉煤灰和煤矸石中提取镓的生产工艺
293OP200680032214.0氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
294OP200680032456.X氮化镓基化合物半导体发光器件
295OP200810095054.5氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
296OP200710173617.3一种硅酸镓钡铌晶体及其制备方法和用途
297OP200710173618.8一种硅酸镓锑基压电单晶
298OP200710065366.7一种从高废铝渣粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓的方法
299OP200710107760.2含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法
300OP200680039758.X药物镓组合物和方法
301OP200680034816.X陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法
302OP200680041109.3用镓对不良肝脏病症的治疗和预防
303OP03245219.5一种*化镓基半导体－氧化物绝缘衬底
304OP200320129498.9一种生长长尺寸半绝缘*化镓单晶的装置
305OP200320128260.4一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
306OP03257248.4使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
307OP200420118205.1氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
308OP200520107535.5桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
309OP200520107536.X一种氮化镓基大管芯发光二极管
310OP200420036443.8氮化镓系发光二极管结构
311OP200520062002.X氮化镓基发光二极管芯片
312OP200620126644.6碘镓灯
313OP200620160774.1一种生长*化镓单晶的抽真空装置，
购买以上《镓的提炼与回收技术生产加工工艺》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
