1-BG255851 监视设备、监视方法、抛光装置和半导体晶片的制造方法
2-BG255851 用于金属的化学机械抛光浆液及利用该浆液制备半导体装置的金属线接触插头的方法
3-BG255851 半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
4-BG255851 制造半导体元件的方法及其化学机械抛光系统
5-BG255851 使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
6-BG255851 用双面抛光加工半导体晶片的方法
7-BG255851 半导体晶片，抛光装置和方法
8-BG255851 用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备
9-BG255851 半导体片抛光设备及方法
10-BG255851 用化学机械抛光的平整步骤制造半导体器件的方法
11-BG255851 化合物半导体化学抛光腐蚀液
12-BG255851 用于抛光半导体基材上的金属层的磨料组合物及其用途
13-BG255851 半导体晶片的抛光方法和装置
14-BG255851 半导体抛光晶片平滑度的控制方法和设备
15-BG255851 半导体器件中不同种导电层的抛光工艺
16-BG255851 利用化学机械抛光工艺的半导体器件制造方法
17-BG255851 半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
18-BG255851 用于半导体底物的抛光垫
19-BG255851 半导体基片用的抛光剂
20-BG255851 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
21-BG255851 在半导体晶片化学机械抛光时输送抛光液的系统
22-BG255851 借研磨抛光系统制造存储盘或半导体器件和抛光垫
23-BG255851 用于增强半导体化学－机械抛光过程中金属去除率的方法
24-BG255851 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
25-BG255851 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
26-BG255851 电抛光半导体器件上金属互连的方法和装置
27-BG255851 抛光体、抛光设备、抛光设备调节方法、抛光膜厚度或抛光终点测量方法及半导体器件的制造方法
28-BG255851 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
29-BG255851 半导体基材的抛光垫
30-BG255851 半导体基材的抛光垫
31-BG255851 半导体晶片抛光浆料供应量的控制
32-BG255851 化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法
33-BG255851 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
34-BG255851 用于在半导体表面进行淀积和抛光的方法和装置
35-BG255851 对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置
36-BG255851 化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液
37-BG255851 在电镀和/或电抛光期间装载和定位半导体工件的方法与设备
38-BG255851 用于抛光半导体晶片的方法及用该方法制造的半导体晶片
39-BG255851 抛光垫、其生产方法及使用其生产半导体器件的方法
40-BG255851 用于半导体晶片抛光系统的载具的多流体供应设备
41-BG255851 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液
42-BG255851 超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体组件
43-BG255851 基板抛光方法、半导体装置及其制造方法
44-BG255851 半导体材料的电解抛光方法及装置
45-BG255851 抛光垫及抛光半导体晶片的方法
46-BG255851 有机膜的化学机械抛光及制造半导体器件的方法
47-BG255851 用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
48-BG255851 半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫
49-BG255851 用于半导体晶片的抛光组合物
50-BG255851 用于抛光半导体层的组合物
51-BG255851 抛光半导体晶片的方法
52-BG255851 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
53-BG255851 CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
54-BG255851 抛光垫及使用该垫制造半导体衬底的方法
55-BG255851 控制作为抛光头和半导体衬底之间的重叠面积的函数的抛光压力的抛光设备和方法
56-BG255851 抛光体、抛光装置、半导体器件以及半导体器件的制造方法
57-BG255851 用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料
58-BG255851 抛光布，抛光装置和半导体设备的制备方法
59-BG255851 使用表面面积减少的抛光片使半导体晶片抛光和平坦化的系统和方法
60-BG255851 用于化学机械抛光的水分散体和半导体设备的生产方法
61-BG255851 抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件
62-BG255851 抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法
63-BG255851 抛光垫及制造半导体器件的方法
64-BG255851 经抛光的半导体晶片及其制造方法
65-BG255851 电抛光半导体器件上金属互连的装置
66-BG255851 防止化学机械抛光中的凹陷和侵蚀的半导体器件制造方法
67-BG255851 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法
68-BG255851 使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构
69-BG255851 研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法
70-BG255851 抛光盘、抛光机及制造半导体器件的方法
71-BG255851 CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
72-BG255851 半导体芯片封装设备和抛光处理半导体芯片封装的方法
73-BG255851 用于抛光和研磨光学和半导体表面的流体动力学径向流设备
74-BG255851 用于将半导体晶片固定在化学-机械抛光设备中的固定环
75-BG255851 用于将半导体晶片固定在化学-机械抛光设备中的固定环
76-BG255851 抛光布，抛光装置和半导体设备的制备方法
77-BG255851 用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物
78-BG255851 具有抛光和接地底面部分的半导体芯片
79-BG255851 用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法
80-BG255851 能够补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物、以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法
81-BG255851 使用一个或多个抛光面抛光半导体晶圆的设备与方法
82-BG255851 用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物
83-BG255851 半导体器件的制造方法、抛光方法及抛光装置
84-BG255851 化学机械抛光(CMP)头、设备和方法以及由此制造的平面化半导体晶片
85-BG255851 半导体锑化铟化学机械抛光液
86-BG255851 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
87-BG255851 用于高效清洁/抛光半导体晶片的组合物和方法
88 200610026935 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
89-BG255851 半导体晶片抛光过程中的光学终点检测装置和方法
90-BG255851 用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物
91-BG255851 未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法
92-BG255851 化学机械抛光以及利用其制造半导体器件的方法
93-BG255851 用于半导体晶圆的化学机械抛光机的装载装置
94-BG255851 用于连续成形一种用作半导体抛光垫片的均一片材的工艺和设备
95-BG255851 抛光液以及抛光Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶片的方法
96-BG255851 用来抛光半导体层的组合物
97-BG255851 降低厚度变化的化学机械抛光方法及半导体器件制备方法
98-BG255851 半导体器件制造方法和抛光装置
99-BG255851 半导体晶片精密化学机械抛光剂
100-BG255851 制备抛光的半导体的方法
101-BG255851 半导体硅片化学机械抛光用清洗液
102-BG255851 用于半导体晶片的化学机械抛光设备的装载装置
103-BG255851 化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法
104-BG255851 裸半导体晶片的单面抛光的方法
105-BG255851 对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法
106-BG255851 用于抛光由半导体材料构成的基材的方法
107-BG255851 用于抛光半导体封盖层的抛光液
108-BG255851 用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法
109-BG255851 制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法
110-BG255851 用于半导体材料的化学机械抛光的组合物及方法
111-BG255851 用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法
112-BG255851 用于半导体材料的化学机械抛光的组合物及方法
113-BG255851 用于半导体集成电路装置的抛光剂、抛光方法以及半导体集成电路装置的制造方法
114-BG255851 半导体集成电路装置用抛光剂、抛光方法、以及制造半导体集成电路装置的方法
115-BG255851 化学机械抛光头、设备和方法以及平面化半导体晶片
116-BG255851 半导体材料的电解抛光装置
☞☏15542181913 抛光半导体生产加工工艺技术 制作工艺抛光半导体生产加工工艺技术
配方比例 抛光半导体生产加工工艺技术 百创提供抛光半导体生产加工工艺技术 ，