电阻存储工艺生产工艺及应用
(CD30143-0033-0001)磁致电阻效应元件磁头磁记录/音响装置和磁存储器
(CD30143-0188-0002)包括叠置NAND型电阻存储器单元串的非易失性存储器件及其制造方法
(CD30143-0111-0003)读出电阻存储器时降低功耗的方法
(CD30143-0144-0004)具有空气绝热单元的可编程电阻材料存储阵列
(CD30143-0145-0005)电阻随机存取存储器装置
(CD30143-0138-0006)包括非晶固体电解质层的电阻随机存取存储器装置
(CD30143-0156-0007)一种制作电阻随机存储单元阵列的方法
(CD30143-0101-0008)具有减小的翻转磁场的磁致电阻随机存取存储器
(CD30143-0075-0009)应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元
(CD30143-0100-0010)可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法
(CD30143-0023-0011)用于读取电阻交点阵列的存储器单元的方法和装置
(CD30143-0069-0012)带存储功能的等电位联结电阻测量仪
(CD30143-0066-0013)一种基于二极管选通的电阻存储器件及其制造方法
(CD30143-0122-0014)在单一线路上具有非易失性存储器和热敏电阻的电池电路
(CD30143-0143-0015)电阻可变存储装置和制造方法
(CD30143-0114-0016)用于磁电阻存储器的写入驱动器
(CD30143-0020-0017)磁致电阻元件及其在存储单元装置中作为存储元件的应用
(CD30143-0072-0018)提高可伸缩性的磁电阻随机存取存储器
(CD30143-0046-0019)具有固溶体层的电阻式随机存取存储器及其制造方法
(CD30143-0168-0020)一种采用电阻存储介质的一次编程存储器及其操作方法
(CD30143-0106-0021)磁电阻式随机存取存储器件结构及其制造方法
(CD30143-0181-0022)磁致电阻效应元件和使用它的磁致电阻随机存取存储器
(CD30143-0008-0023)高电阻负载型静态随机存储器单元及其制造方法
(CD30143-0103-0024)磁致电阻元件、磁头、磁记录装置以及磁存储器
(CD30143-0117-0025)电阻存储器的AC感测
(CD30143-0162-0026)包括可变电阻材料的非易失存储器
(CD30143-0026-0027)磁电阻效应装置、磁头、磁记录设备和存储装置
(CD30143-0093-0028)用于可变电阻存储器感测的偏斜感测放大器
(CD30143-0136-0029)可编程电阻存储器及其制造方法
(CD30143-0094-0030)电阻性存储元件的双回路检测方案
(CD30143-0050-0031)多电平可变电阻存储装置及其驱动方法
(CD30143-0177-0032)用以更新可编程电阻存储器的方法与装置
(CD30143-0042-0033)具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法
(CD30143-0038-0034)电阻式存储器元件及其制造方法与操作方法
(CD30143-0125-0035)探测半导体存储器中电阻开路缺陷的方法
(CD30143-0067-0036)电阻随机存取存储单元装置
(CD30143-0120-0037)电阻可变材料的初始化方法、包括电阻可变材料的存储器件及包含可变电阻器的非易失性存储电路的初始化方法
(CD30143-0076-0038)磁致电阻效应元件、磁头、磁再生装置和磁存储器
(CD30143-0088-0039)电阻交叉点阵列中多比特存储单元的读操作
(CD30143-0009-0040)用于数据存储的磁致电阻磁头的宽带回读
(CD30143-0158-0041)具有L型电极的电阻式随机存取存储器单元
(CD30143-0160-0042)一种可降低复位操作电流的电阻存储器
(CD30143-0102-0043)基于电阻变化的非挥发性存储器、切换方法及制备方法
(CD30143-0003-0044)具有电荷注入差动读出放大器的电阻**叉点存储阵列
(CD30143-0192-0045)二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法
(CD30143-0060-0046)一种减小CuxO电阻存储器写操作电流的方法
(CD30143-0183-0047)一种具有掺杂控制层的电阻存储器
(CD30143-0043-0048)用于编程、擦除及读取纳米级电阻性存储装置的页缓冲器架构
(CD30143-0180-0049)一种电阻焊控制器的数据存储方法
(CD30143-0157-0050)具有缩减活性面积及接触面积的电阻式随机存取存储单元
(CD30143-0164-0051)一种CuxO电阻存储器制备与铜互连工艺集成的方法
(CD30143-0089-0052)基于选择存储单元与基准单元的电阻差读出数据的存储器
(CD30143-0129-0053)自旋势垒增强的磁致电阻效应元件以及使用这种元件的磁性存储器
(CD30143-0044-0054)具有改良的数据保持与降低的功率的电阻式存储装置
(CD30143-0011-0055)磁电阻元件和磁存储装置
(CD30143-0036-0056)一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法
(CD30143-0099-0057)用于在磁致电阻存储器件的写操作期间改善磁场产生的方法和设备
(CD30143-0084-0058)制造1T1R电阻型存储阵列的方法
(CD30143-0024-0059)磁致电阻随机存储装置
(CD30143-0029-0060)对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置
(CD30143-0113-0061)用于电阻式存储器的集成电荷检测方案
(CD30143-0030-0062)具有分流存储单元的电阻存储器
(CD30143-0182-0063)电阻随机存取存储器装置
(CD30143-0064-0064)电阻型有机存储装置及其制造方法
(CD30143-0037-0065)氮化钛/氧化锌电阻式随机存储器的存储单元及制备方法
(CD30143-0116-0066)电阻转换的半导体存储器
(CD30143-0147-0067)用于寻址奈米级电阻式存储阵列之二极管阵列架构
(CD30143-0010-0068)磁致电阻效应磁头和使用这种磁头的磁存储装置
(CD30143-0006-0069)能抑制软差错的电阻负载型静态随机存取存储器单元
(CD30143-0018-0070)磁致电阻元件及其作为存储单元阵列内的存储元的应用
(CD30143-0074-0071)带存储功能的等电位联结电阻测量仪
(CD30143-0152-0072)含有包括可编程电阻器的存储单元的集成电路以及用于寻址包括可编程电阻器的存储单元的方法
(CD30143-0176-0073)可再生电阻可变绝缘存储器装置及其形成方法
(CD30143-0054-0074)包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元
(CD30143-0139-0075)用以形成可变电阻存储阵列中的自对准热绝缘单元的方法
(CD30143-0081-0076)减少软错误率的负微分电阻元件和存储器
(CD30143-0172-0077)电阻随机存取存储器及其制造方法
(CD30143-0007-0078)模拟存储电压控制的可变电阻
(CD30143-0013-0079)具有带磁致电阻存储效应的存储器单元的集成存储器
(CD30143-0110-0080)包括一个电阻器和一个二极管的非挥发性存储器
(CD30143-0166-0081)一种电阻随机存储器的复位操作方法
(CD30143-0082-0082)包含磁致电阻元件的半导体存储装置及其制造方法
(CD30143-0184-0083)用于电阻式存储器的电诱发电阻材料及其制备方法
(CD30143-0031-0084)一种改善CuxO电阻存储器疲劳特性的方法
(CD30143-0173-0085)包括可切换电阻器和晶体管的非易失性存储器单元
(CD30143-0107-0086)反铁磁/顺磁电阻器件、非易失性存储器及其制造方法
(CD30143-0040-0087)有较小主动与接触区域的电阻随机存取存储器的制造方法
(CD30143-0140-0088)一种电阻随机存储器及其存储操作方法
(CD30143-0194-0089)一种电阻存储器的激活操作方法
(CD30143-0137-0090)可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
(CD30143-0021-0091)磁致电阻存储器及其读出方法
(CD30143-0091-0092)非易失性可调电阻器件和可编程存储单元的制造
(CD30143-0014-0093)a01"，
(CD30143-0063-0094)一种消除CuxO电阻存储器形成电压的方法
(CD30143-0112-0095)具有用于控制转换窗的电阻器部件的电阻式存储器件
(CD30143-0165-0096)多晶硅图案形成方法、多层交叉点电阻存储器及制造方法
(CD30143-0055-0097)使用电阻变化记录媒体的SPM信息存储装置及其驱动方法
(CD30143-0130-0098)分层电阻可变存储装置和制造方法
(CD30143-0178-0099)电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构
(CD30143-0119-0100)电阻性存储元件
(CD30143-0051-0101)电阻随机存取存储器及制造该电阻随机存取存储器的方法
(CD30143-0083-0102)基于负差分电阻(NDR)的存储器的强化读写方法
(CD30143-0035-0103)一种CuxO电阻存储器的湿法氧化制备方法
(CD30143-0121-0104)变电阻元件和使用其的非易失性存储器
(CD30143-0109-0105)包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件
(CD30143-0171-0106)确定电阻式存储单元的存储状态的方法和装置
(CD30143-0135-0107)可编程电阻随机存取存储器及其制造方法
(CD30143-0001-0108)用于控制存储系统中的积极终端电阻的装置及其方法
(CD30143-0039-0109)双稳态电阻式随机存取存储器的操作方法
(CD30143-0012-0110)电阻性的铁电存储单元
(CD30143-0108-0111)包括作为存储节点的电阻变化层的存储器件的制造方法
(CD30143-0163-0112)用于操作电阻存储单元的方法和存储电路
(CD30143-0032-0113)编程电阻存储器件的方法
(CD30143-0131-0114)基于CuxO的电阻随机可存取存储器及其制备方法
(CD30143-0159-0115)包括n+界面层的可变电阻随机存取存储器
(CD30143-0127-0116)利用磁致电阻效应的相变存储器及其制造和操作方法
(CD30143-0086-0117)磁电阻效应元件和磁存储器
(CD30143-0189-0118)一种电阻转换存储器及其存储操作方法
(CD30143-0002-0119)容短接存储单元的电阻交叉点阵列
(CD30143-0071-0120)包括开关器件和电阻材料的非易失存储器及制造方法
(CD30143-0132-0121)单极电阻随机存取存储器及垂直堆叠架构
(CD30143-0190-0122)具有一小块定义电性接点区域的电阻随机存取存储结构
(CD30143-0087-0123)非易失性可变电阻器存储器件及其定标法
(CD30143-0148-0124)确定电阻存储单元的电阻状态的电路和方法
(CD30143-0098-0125)用于至少具有两个不同电阻状态的存储器的读出放大器
(CD30143-0057-0126)多比特电阻式存储器
(CD30143-0146-0127)具有可变电阻特性的存储装置的控制
(CD30143-0174-0128)用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法
(CD30143-0092-0129)具有两种电阻材料层的非易失性存储器件
(CD30143-0097-0130)磁电阻随机存取存储器
(CD30143-0118-0131)具有可变电阻的存储器件、存储电路及半导体集成电路
(CD30143-0058-0132)电阻式随机存取存储器
(CD30143-0078-0133)使用可变电阻存储元件的存储装置及用于该装置的参考电阻值确定方法
(CD30143-0142-0134)自旋势垒增强的双磁致电阻效应元件及使用该元件的磁性存储器
(CD30143-0090-0135)数据存储系统用电阻加热装置
(CD30143-0105-0136)具有探针阵列的电阻式存储装置及其制造方法
(CD30143-0059-0137)有金属氧化物的多阶电阻随机存取存储结构及其制造方法
(CD30143-0169-0138)用于**电阻随机存取存储器熔化点的自对准结构及方法
(CD30143-0128-0139)具有金属绝缘体转换膜电阻器的半导体存储器件
(CD30143-0068-0140)具有自我形成间隙的可程序化电阻存储单元
(CD30143-0187-0141)一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
(CD30143-0170-0142)单晶片磁电阻式存储器
(CD30143-0133-0143)a01"，
(CD30143-0196-0144)具有缓冲层的电阻式存储结构
(CD30143-0062-0145)磁电阻元件和磁性存储器
(CD30143-0126-0146)具有可变电阻的薄膜存储器件
(CD30143-0061-0147)一种CuxO电阻存储器与二极管集成的制造方法
(CD30143-0073-0148)磁电阻效应膜磁电阻效应磁头和固态存储器
(CD30143-0154-0149)使用单一接触结构的桥路电阻随机存取存储元件及方法
(CD30143-0153-0150)一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法
(CD30143-0191-0151)含锑材料作为电阻转换存储材料的应用
(CD30143-0077-0152)包含交叉点电阻元件的交叉点存储器阵列的寻址电路
(CD30143-0185-0153)CuxO电阻随机存储器的制备方法
(CD30143-0155-0154)采用双极可编程电阻存储元件的非易失存储器结构
(CD30143-0195-0155)电阻存储器的激活操作方法
(CD30143-0019-0156)电阻**点存储器单元阵列的等电位读出法
(CD30143-0025-0157)对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置
(CD30143-0053-0158)编程可编程电阻性存储单元的方法、装置及程序产品
(CD30143-0080-0159)具降低粗糙度之电阻性存储元件
(CD30143-0104-0160)可变电阻元件的驱动方法及存储装置
(CD30143-0052-0161)具有微分负电阻硫属化合物装置的静态随机存取存储器单元及其形成方法
(CD30143-0161-0162)包括可变电阻材料的非易失存储器件
(CD30143-0115-0163)具有串联的电阻节点的存储器件
(CD30143-0167-0164)以上电极作为保护层的CuxO电阻存储器及其制造方法
(CD30143-0005-0165)具有磁场衰减层的磁控电阻存储器件
(CD30143-0095-0166)利用具有分级电阻变化的多层的存储器件
(CD30143-0096-0167)降低软性错误率的电阻性存储单元与其反相器及形成方法
(CD30143-0193-0168)电阻式随机存取存储器及其制造方法
(CD30143-0124-0169)用于检测在半导体存储器的全局数据总线中的电阻性桥接缺陷的方法
(CD30143-0141-0170)提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法
(CD30143-0017-0171)磁－电阻性存储器阵列的自测试
(CD30143-0041-0172)双稳态可编程电阻式随机存取存储器
(CD30143-0016-0173)具有改善的抗干扰性的磁致电阻存储器
(CD30143-0028-0174)利用片上检测放大器标定方法和装置的电阻交叉点存储器
(CD30143-0065-0175)可变电阻元件和其制造方法以及具备其的存储装置
(CD30143-0022-0176)磁致电阻存储器模块装置
(CD30143-0175-0177)使用包含具可调式电阻的可切换半导体存储器元件的存储器单元的方法
(CD30143-0049-0178)包括刷新操作的电阻式存储器
(CD30143-0179-0179)基于隐藏式沟道负微分电阻的存储器单元
(CD30143-0186-0180)使用可变电阻材料的非易失性存储装置
(CD30143-0045-0181)一种三维堆叠的WOx的电阻随机存储器结构及其制造方法
(CD30143-0027-0182)利用电阻值的变化来存储数据的数据读出容限大的存储器
(CD30143-0070-0183)控制存储器电阻性质的氧含量系统及方法
(CD30143-0123-0184)于浮动栅极存储单元中用于低Vss电阻及减少漏极引发能障降低的结构及方法
(CD30143-0048-0185)包括双极晶体管存取装置的电阻式存储器
(CD30143-0056-0186)一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法
(CD30143-0004-0187)带交叉耦合闩锁读出放大器的电阻交叉点存储单元阵列
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