(CD33487-0016-0001)高速且稳定地进行数据读出工作的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0021-0002)具备磁隧道结的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0027-0003)有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0013-0004)数据读出数据线充电时间缩短的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0023-0005)并行处理数据读出与写入的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0012-0006)多个存储单元共用存取元件的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0028-0007)设有程序元件的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0006-0008)薄膜磁性体存储器及其信息编程方法
(CD33487-0017-0009)容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0025-0010)抑制附加在数据线等上的寄生电容的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0010-0011)具有冗长修复功能的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0007-0012)具有冗余结构的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0014-0013)设有数据读出参照用伪单元的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0031-0014)能按照自基准方式读出数据的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0020-0015)可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0008-0016)不用基准单元进行数据读出的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0011-0017)设有伪单元的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0030-0018)数据读出精度高的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0022-0019)抑制了电流路径上的晶体管组的电阻的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0015-0020)分割为多个存储器块的磁性体存储器阵列的写入电路结构
(CD33487-0004-0021)具有数据读出电流调节功能的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0026-0022)设有含磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0019-0023)备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0018-0024)具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0009-0025)具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0003-0026)在多个存储单元间共有存取元件的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0002-0027)包含具有磁隧道结的存储单元的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0029-0028)抑制电源配线的磁场噪声影响的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0024-0029)薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件
(CD33487-0032-0030)抑制了内部的磁噪声的薄膜磁性体存储器
(CD33487-0001-0031)能高速读出数据且工作稳定的薄膜磁性体存储装置
(CD33487-0005-0032)通过磁场的施加进行数据写入的薄膜磁性体存储装置
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