介电材料类工艺生产工艺及应用
(CD34751-0020-0001)用于微波用途的电压可调谐分层介电材料
(CD34751-0010-0002)对介电材料容器的贮藏物进行灭菌的方法及所用的装置
(CD34751-0040-0003)一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺
(CD34751-0034-0004)用于电路保护的光成像介电材料
(CD34751-0071-0005)用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法
(CD34751-0044-0006)厚膜介电材料和导电组合物
(CD34751-0060-0007)用于刻蚀高k介电材料的方法和系统
(CD34751-0069-0008)在高介电常数的介电材料上的硅的氮氧化物层的形成
(CD34751-0062-0009)用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
(CD34751-0079-0010)改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用
(CD34751-0026-0011)使用激光对热敏介电材料进行精抛光/精密结构化的方法
(CD34751-0027-0012)介电材料的气相处理
(CD34751-0058-0013)用于制备含溶剂的低介电材料的组合物
(CD34751-0059-0014)介电材料及其制备方法
(CD34751-0072-0015)高介电常数介电材料的稳定化方法
(CD34751-0031-0016)一种低介电材料抛光液
(CD34751-0004-0017)应用于高密度印刷电路板的介电材料的合成树脂
(CD34751-0084-0018)具有嵌埋于介电材料表面中的金属痕迹的相互连接元件的结构及其制造方法
(CD34751-0065-0019)一种介电材料的加工方法及装置
(CD34751-0038-0020)用于低K介电材料的包括回蚀的镶嵌互连结构
(CD34751-0046-0021)在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法
(CD34751-0003-0022)在半导体器件上形成多孔介电材料层的方法及形成的器件
(CD34751-0013-0023)用于集成电路器件制造的先进介电材料和工艺
(CD34751-0085-0024)用于抛光低介电材料的抛光液
(CD34751-0039-0025)高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液
(CD34751-0032-0026)用于制备含溶剂的低介电材料的组合物
(CD34751-0033-0027)一种提高玻璃陶瓷介电材料储能密度的内电极结构
(CD34751-0030-0028)具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法
(CD34751-0035-0029)介电材料及其制造方法
(CD34751-0018-0030)具有内在铜离子迁移势垒的低介电常数的介电材料
(CD34751-0088-0031)具有变化厚度、轮廓和/或形状的介电材料和/或空腔的静电卡盘组件、其使用方法及结合有其的装置
(CD34751-0017-0032)包含抗迁移介电材料的阴极封层
(CD34751-0050-0033)有机夹层介电材料中的铜通路的剪切应力的减小
(CD34751-0022-0034)一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法
(CD34751-0007-0035)使用低-K介电材料形成双大马士革互连的方法
(CD34751-0023-0036)用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
(CD34751-0080-0037)用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法
(CD34751-0029-0038)介电材料BCB的移除方法
(CD34751-0089-0039)将介电材料改性的方法
(CD34751-0043-0040)低K介电材料的化学机械抛光方法
(CD34751-0021-0041)具有两段压合温度的介电材料组合物
(CD34751-0001-0042)温度稳定型的贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料
(CD34751-0063-0043)使用甲硅烷基化剂修复低K介电材料的损伤
(CD34751-0052-0044)旋涂、可光致图案形成的层间介电材料的应用以及使用这种材料的中间半导体器件结构
(CD34751-0019-0045)微波介电材料
(CD34751-0061-0046)淀积低介电材料(Low-k)过程中减少产生颗粒的方法
(CD34751-0078-0047)介电材料成份
(CD34751-0045-0048)人工构成的介电材料
(CD34751-0082-0049)用于形成介电材料的膨胀聚丙烯珠以及由其形成的介电透镜元件
(CD34751-0036-0050)高速传输介电材料合成制造方法
(CD34751-0056-0051)雷射光束烧熔增厚型介电材料的多层电路板制造方法
(CD34751-0066-0052)用于确定介电材料的湿度和密度的方法
(CD34751-0012-0053)改进的低温烧制的电容器介电材料
(CD34751-0068-0054)一种使用超低介电材料的半导体制造工艺方法
(CD34751-0051-0055)用于微通路技术的可镀介电材料
(CD34751-0048-0056)一种等离子显示面板用介电材料
(CD34751-0009-0057)一种高介电材料锂磷氧氮
(CD34751-0077-0058)一种密封大马士革结构中多孔低介电材料小孔的方法
(CD34751-0006-0059)超细温度稳定型多层陶瓷电容器介电材料及其烧结工艺
(CD34751-0015-0060)具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法
(CD34751-0055-0061)包含介电材料的同轴电缆
(CD34751-0047-0062)于低介电材料层中形成导电结构的方法
(CD34751-0070-0063)一种钽酸锶铋-钛酸锶钡异质介电材料及其合成方法和应用
(CD34751-0081-0064)新聚有机硅氧烷介电材料
(CD34751-0067-0065)陶瓷介电材料及其制备方法及卑金属积层陶瓷电容器
(CD34751-0076-0066)哑元图案和机械增强低K介电材料的制造方法
(CD34751-0083-0067)在减少低-k介电材料损伤的同时去除掩模材料的方法
(CD34751-0016-0068)有高介电常数的介电材料或铁电材料的电容器及制造方法
(CD34751-0073-0069)低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法
(CD34751-0011-0070)以钛酸钡为主体的介电材料陶瓷体
(CD34751-0086-0071)用于抛光低介电材料的抛光液
(CD34751-0087-0072)一种含有混合磨料的低介电材料抛光液
(CD34751-0002-0073)一种含硅低介电材料刻蚀工艺
(CD34751-0005-0074)介电材料层结构及其制造方法
(CD34751-0074-0075)低K介电材料的接合焊盘和用于制造半导体器件的方法
(CD34751-0028-0076)用于处理介电材料的设备和方法
(CD34751-0042-0077)利用介电材料调整天线工作频率的无线通信系统
(CD34751-0064-0078)在半导体元件中蚀刻介电材料的方法
(CD34751-0054-0079)含硅介电材料的蚀刻方法
(CD34751-0057-0080)层状硬膜和介电材料及其方法
(CD34751-0075-0081)用于高K介电材料的界面层
(CD34751-0041-0082)基于钛酸钡的介电材料组合物
(CD34751-0037-0083)在介电材料上选择性沉积阻挡层
(CD34751-0014-0084)组合介电材料使用该材料的固体器官模型及其生产方法
(CD34751-0049-0085)由二种旋涂式介电材料组成的混合式低K互连结构
(CD34751-0008-0086)介电材料和介电材料烧结体以及使用该陶瓷的布线板
(CD34751-0025-0087)用于预金属和/或浅槽隔离应用中所用的旋涂介电材料的UV固化方法
(CD34751-0053-0088)在基底上形成填充介电材料的图案的方法
(CD34751-0024-0089)存在常规低k和/或多孔低k介电材料时的光刻胶剥除方法
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(CD34751-0040-0003)一种对低介电材料表面进行处理形成光学抗反射层的工艺
(CD34751-0034-0004)用于电路保护的光成像介电材料
(CD34751-0071-0005)用于高介电常数含铪介电材料的原子层沉积的装置和方法
(CD34751-0044-0006)厚膜介电材料和导电组合物
(CD34751-0060-0007)用于刻蚀高k介电材料的方法和系统
(CD34751-0069-0008)在高介电常数的介电材料上的硅的氮氧化物层的形成
(CD34751-0062-0009)用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法
(CD34751-0079-0010)改性钛酸铜钙基氧化物介电材料及其应用
(CD34751-0026-0011)使用激光对热敏介电材料进行精抛光/精密结构化的方法
(CD34751-0027-0012)介电材料的气相处理
(CD34751-0058-0013)用于制备含溶剂的低介电材料的组合物
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(CD34751-0065-0019)一种介电材料的加工方法及装置
(CD34751-0038-0020)用于低K介电材料的包括回蚀的镶嵌互连结构
(CD34751-0046-0021)在低介电材料层与内连线间形成阻障层的方法
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(CD34751-0035-0029)介电材料及其制造方法
(CD34751-0018-0030)具有内在铜离子迁移势垒的低介电常数的介电材料
(CD34751-0088-0031)具有变化厚度、轮廓和/或形状的介电材料和/或空腔的静电卡盘组件、其使用方法及结合有其的装置
(CD34751-0017-0032)包含抗迁移介电材料的阴极封层
(CD34751-0050-0033)有机夹层介电材料中的铜通路的剪切应力的减小
(CD34751-0022-0034)一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法
(CD34751-0007-0035)使用低-K介电材料形成双大马士革互连的方法
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(CD34751-0036-0050)高速传输介电材料合成制造方法
(CD34751-0056-0051)雷射光束烧熔增厚型介电材料的多层电路板制造方法
(CD34751-0066-0052)用于确定介电材料的湿度和密度的方法
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(CD34751-0015-0060)具有高ε介电材料或铁电材料的电容器及其制造方法
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(CD34751-0073-0069)低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法
(CD34751-0011-0070)以钛酸钡为主体的介电材料陶瓷体
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