0007-0001、 抛光组合物及使用它的抛光方法
摘要、 一种抛光组合物，它含有：(a)研磨剂；(b)与铜离子形成鳌合物的化合物；(c)向铜层提供形成保护层作用的化合物；(d)*；(e)水；其中所述的组分(a)研磨剂的原生颗粒粒度为50－120纳米。
0086-0002、 稀土盐/氧化剂为基础的化学-机械抛光方法
摘要、 本发明提供一种使用化学-机械抛光系统抛光具有金属层的基片的方法。化学-机械抛光系统包含研磨剂及/或抛光垫、稀土盐、比稀土盐更强的氧化剂以及液态载体。
0029-0003、 抛光组合物
一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。
0090-0004、 微混晶防护蜡及其制备方法和用途
摘要、 公开了一种微混晶蜡，它包含混晶蜡原料、粘度调节剂、韧塑性改进剂和非必要的耐热剂，所述混晶蜡是减四线含油蜡膏和减压渣油丙烷脱沥青含油蜡膏以5∶1-1∶5的重量比混合并经过脱油和精制得到的蜡，或者是以混晶蜡总重量计的30-70重量％石蜡、30-70重量％微晶蜡的混合物，所述混晶蜡的量为40-50重量％，所述粘度调节剂的量为5-15重量％，所述韧塑性改进剂的量为40-50重量％，所述耐热剂的量为0-10重量％，均以该微混晶蜡的总重量计。还公开了该微混晶蜡的制备方法以及用途。
0040-0005、 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
摘要、 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：(重量％)磨料18～50，螯合剂0.1～10，络合剂0.005～25，活性剂0.1～10，氧化剂1～20，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低。用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。
0009-0006、 抛光剂组合物
摘要、 一种抛光剂组合物，它包含气相二氧化硅、碱性钾化合物及水，其电导率为100－5，500μs/cm。
0066-0007、 抛光组合物
摘要、 提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、*、#和水，且它的pH值在1.8～4.0之间。
0039-0008、 丙烯海松酸二缩水*酯及其环氧树脂和它们的制法
摘要、 本发明涉及改性松香领域，提供化学结构式如下的丙烯海松酸二缩水*酯(见右式)，以及含有该丙烯海松酸二缩水*酯40～100wt％的丙烯海松酸二缩水*酯型丙烯酸改性松香环氧树脂；本发明还提供了它们的制备方法。本发明提供的丙烯海松酸二缩水*酯和丙烯酸改性松香环氧树脂，原料为价廉易得的天然产物环氧值高，是环境友好的新型粘结材料，也可作为制备松香类表面活性剂的反应中间体，且它们的制备方法简单，易于工业化，具有广阔的应用前景。
0014-0009、 金属擦亮剂
摘要、 本发明涉及日用化学品领域，尤其是一种金属擦亮剂，其主要技术特征在于采用*、聚丙烯酸树脂并加入氧化铝微粉为研磨剂，硅酮作为光亮剂加入、油酸及溶剂油使其乳化，使本发明产品具有光亮效果好，稳定性强的优点，尤其适用于清洁及擦亮黄铜、青铜、紫铜、铬、不锈钢、银等各类金属制品，并使光亮持久。
0053-0010、 失效稀土抛光粉的再生方法
摘要、 失效稀土抛光粉的再生方法涉及一种对废旧资源进行再利用的处理方法特别是通过对失效稀土抛光粉的物理化学处理，使其得以重新利用的方法。本发明的技术方案中主要包含有以下步骤：①在失效稀土抛光粉浆液中，加入一定浓度的水溶性碱和/或水溶性氟化物进行化学处理，经过一定时间的加热搅拌后，通过沉降、清洗和过滤工序，回收固体；②将回收的固体进一步热处理后冷却到室温，球磨。回收的稀土抛光粉中，大部分玻璃粉末和其它杂质被有效清除，其物理化学特性得到改善。抛光粉回收率通常可达70-80％，抛蚀量一般可接近或达到50以上，可以继续用于玻璃制品的抛光。
0081-0011、 一种石材上光蜡及其生产方法
0033-0012、 一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料
0032-0013、 平整表面的组合物及方法
0138-0014、 减少在化学机械法平面化过程中的表面凹陷和磨蚀的方法
0139-0015、 用于钨和钛的化学机械平坦化的组合物及方法
0073-0016、 含固体催化剂的化学机械抛光的抛光垫
0098-0017、 用于汽车外壳去污上光的组合物及其制备方法
0056-0018、 化学/机械抛光浆和使用它的化学机械抛光方法
0129-0019、 亲水化蜡组合物
0044-0020、 金属和金属/电介质结构的化学机械抛光用组合物
0126-0021、 附着在固体上并用于增强CMP配方的形成自由基的活化剂
0052-0022、 使皮革产生柔韧性能和自然光泽的液体鞋油
0102-0023、 含碱金属的抛光系统及方法
0132-0024、 一种用于存储器硬盘磁头超精研磨的研磨油
0101-0025、 用于抛光半导体层的组合物
0094-0026、 含硼抛光系统及方法
0076-0027、 木质油精地板、家俱上光保护剂及其制造工艺
0124-0028、 用于铜的受控抛光的组合物和方法
0117-0029、 一种核壳结构的水性磨光油
0037-0030、 用于优先除去氧化硅的系统
0135-0031、 含导电聚合物的抛光组合物
0021-0032、 抛光组合物及使用它的抛光方法
0041-0033、 抛光组合物及使用它的抛光方法
0026-0034、 用于存储器硬盘磁头表面抛光的抛光组合物及其抛光方法
0062-0035、 用于化学机械抛光的水分散体及用途
0108-0036、 高速阻挡层抛光组合物
0110-0037、 用于金属化学机械抛光的新型浆料
0024-0038、 化学机械抛光系统及其使用方法
0028-0039、 介电质CMP浆液中CsOH的应用
0059-0040、 用于化学机械抛光的淤浆
0120-0041、 用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法
0070-0042、 表面处理组合物及其用途
0005-0043、 抛光浆料
0051-0044、 一种墙面抛光防污蜡的制作方法
0140-0045、 纳米鞋油
0013-0046、 一种家具护理剂及其制造
0069-0047、 抛光组合物的用途和抛光存储器硬盘的方法
0091-0048、 真皮护理霜
0063-0049、 无水洁车蜡液
0003-0050、 用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆
0133-0051、 低K介电材料的化学机械抛光方法
0134-0052、 抛光组合物和抛光方法
0127-0053、 含甲醇的二氧化硅基CMP组合物
0001-0054、 含固体催化剂的CMP淤浆
0103-0055、 抛光组合物
0084-0056、 抛光组合物
0104-0057、 抛光垫
0046-0058、 金属CMP用的抛光组合物
0115-0059、 抛光组合物和抛光方法
0078-0060、 一种多用途汽车清洗覆膜高光保养剂
0119-0061、 金属基板化学-机械抛光方法
0128-0062、 用于抛光铜的组合物和方法
0141-0063、 皮革、石材增光保护剂
0111-0064、 利用含胺聚合物的CMP系统和方法
0042-0065、 平整表面的组合物及方法
0114-0066、 钨抛光溶液
0061-0067、 抛光组合物中有机硅表面活性剂的使用
0018-0068、 化学机械法抛光二氧化硅薄膜用抛光膏
0010-0069、 抛光剂组合物
0113-0070、 一种汽车干洗上光液及其制造方法
0031-0071、 木质地板、家具护理剂及其制备方法
0008-0072、 硬质表面处理剂、防污处理剂及表面处理方法
0118-0073、 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用
0020-0074、 含氢氟酸的铝型材酸性抛光剂
0049-0075、 用于CMP的含硅烷的抛光组合物
0002-0076、 制造存储器硬盘用的抛光组合物和抛光方法
0142-0077、 用于替换介质内容物的装置和方法
0097-0078、 多功能去污亮光乳液
0071-0079、 抛光液组合物
0004-0080、 抛光组合物和抛光方法
0065-0081、 用于抛光铜基金属的浆
0092-0082、 自动餐具清洗机用光亮剂
0131-0083、 抛光组合物和抛光方法
0082-0084、 抛光组合物
0125-0085、 研磨基材的方法及组合物
0088-0086、 抛光组合物
0096-0087、 降低半导体晶片磨蚀的化学机械磨平组合物
0035-0088、 一种纤维砂轮磨削液及其用途
0006-0089、 用于研磨的无机氧化物颗粒淤浆及调节所述颗粒的磨蚀性的方法
0136-0090、 木质地板、家具护理用的抛光剂组合物
0109-0091、 抛光组合物
0030-0092、 不用磨料泥浆的玻璃抛光材料及其使用方法
0023-0093、 抛光系统及其使用方法
0077-0094、 抛光组合物
0011-0095、 抛光剂组合物
0067-0096、 一种不锈钢制品的化学抛光剂及其工艺
0080-0097、 涂饰面的双液性保护上光剂
0072-0098、 一种石材镜面效果抛光膏的制作方法
0099-0099、 对包含金属的表面采用卤素和卤化物盐类的平面化方法
0106-0100、 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用
0074-0101、 用于金属的化学机械抛光（CMP）的浆料及其使用
0130-0102、 用于CMP的经正电性聚电解质处理的阴离子性研磨颗粒
0137-0103、 地板用水合树脂分散体以及使用这种水合树脂分散体的地板抛光组合物
0025-0104、 含有阻化化合物的抛光系统及其使用方法
0048-0105、 化学机械抛光浆料和使用该浆料的化学机械抛光方法
0038-0106、 磁盘基材的抛光组合物和使用该组合物的抛光方法
0105-0107、 阻挡层抛光流体
0019-0108、 用于SiO2隔离层化学－机械抛光的酸性抛光膏
0060-0109、 硅藻土磨料抛光剂的制备方法
0116-0110、 CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
0043-0111、 抛光组合物
0022-0112、 含硅烷改性研磨颗粒的化学机械抛光(CMP)组合物
0122-0113、 浆料成分及利用其的CMP方法
0068-0114、 化学机械抛光组合物及其相关方法
0089-0115、 一种无水洗车亮洁剂及其制备方法
0087-0116、 一种水基纳米金刚石抛光液及其制造方法
0085-0117、 抛光组合物
0095-0118、 家具上光剂组合物
0057-0119、 化学抛光液
0047-0120、 研磨无机氧化物颗粒的浆液以及含铜表面的抛光方法
0058-0121、 稀土抛光粉的制备方法
0015-0122、 用于金属和电介质结构化学机械抛光的抛光膏
0045-0123、 用于金属的化学机械抛光浆液及利用该浆液制备半导体装置的金属线接触插头的方...
0050-0124、 铜化学－机械抛光工艺用抛光液
0083-0125、 硅石基淤浆
0100-0126、 用于半导体晶片的抛光组合物
0107-0127、 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
0075-0128、 CMP用料浆以及制造半导体器件的方法
0016-0129、 抛光存储器硬盘用基片的抛光组合物及抛光方法
0036-0130、 用含氨基酸的组合物研磨内存或硬盘的方法
0027-0131、 含有机添加剂的钽障壁浆液
0123-0132、 用于镍/磷合金的CMP配方
0064-0133、 皮鞋翻新保养液
0079-0134、 添加剂组合物、含有该添加剂组合物的淤浆组合物及使用该淤浆组合物抛光物体的...
0012-0135、 在二氧化硅化学机械抛光过程中减少/消除划痕和缺陷的组合物和方法
0055-0136、 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
0093-0137、 抛光组合物
0121-0138、 抛光组合物和抛光方法
0017-0139、 含有高分子树脂的喷雾型汽车清洁光亮软蜡组合物
0054-0140、 氧化铈淤浆和制造基材的方法
0112-0141、 一种化学机械抛光液
0034-0142、 抛光剂和生产平面层的方法
0143-0143、 易擦亮皮革护理膜片
摘要、 一种抛光组合物，它含有：(a)研磨剂；(b)与铜离子形成鳌合物的化合物；(c)向铜层提供形成保护层作用的化合物；(d)*；(e)水；其中所述的组分(a)研磨剂的原生颗粒粒度为50－120纳米。
0086-0002、 稀土盐/氧化剂为基础的化学-机械抛光方法
摘要、 本发明提供一种使用化学-机械抛光系统抛光具有金属层的基片的方法。化学-机械抛光系统包含研磨剂及/或抛光垫、稀土盐、比稀土盐更强的氧化剂以及液态载体。
0029-0003、 抛光组合物
一种抛光组合物，它包含平均初级粒度为200纳米或更小的磨料、氧化剂、pK1为2或更小的酸和/或它的盐、和水，其中抛光组合物的酸值为20～0.2毫克KOH/克；一种减少基片上微小擦痕的方法它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片；以及一种制造基片的方法它包括使用上述的抛光组合物抛光欲被抛光的基片。该抛光组合物适用于最后抛光记忆硬盘基片和抛光半导体元件。
0090-0004、 微混晶防护蜡及其制备方法和用途
摘要、 公开了一种微混晶蜡，它包含混晶蜡原料、粘度调节剂、韧塑性改进剂和非必要的耐热剂，所述混晶蜡是减四线含油蜡膏和减压渣油丙烷脱沥青含油蜡膏以5∶1-1∶5的重量比混合并经过脱油和精制得到的蜡，或者是以混晶蜡总重量计的30-70重量％石蜡、30-70重量％微晶蜡的混合物，所述混晶蜡的量为40-50重量％，所述粘度调节剂的量为5-15重量％，所述韧塑性改进剂的量为40-50重量％，所述耐热剂的量为0-10重量％，均以该微混晶蜡的总重量计。还公开了该微混晶蜡的制备方法以及用途。
0040-0005、 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
摘要、 一种超大规模集成电路多层铜布线用化学机械全局平面化抛光液，其组成成分是：(重量％)磨料18～50，螯合剂0.1～10，络合剂0.005～25，活性剂0.1～10，氧化剂1～20，余量为去离子水。该抛光液损伤小、平整度高、易清洗；不腐蚀设备，不污染环境；选择性强，速率高；价格便宜，成本低。用于超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光。
0009-0006、 抛光剂组合物
摘要、 一种抛光剂组合物，它包含气相二氧化硅、碱性钾化合物及水，其电导率为100－5，500μs/cm。
0066-0007、 抛光组合物
摘要、 提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、*、#和水，且它的pH值在1.8～4.0之间。
0039-0008、 丙烯海松酸二缩水*酯及其环氧树脂和它们的制法
摘要、 本发明涉及改性松香领域，提供化学结构式如下的丙烯海松酸二缩水*酯(见右式)，以及含有该丙烯海松酸二缩水*酯40～100wt％的丙烯海松酸二缩水*酯型丙烯酸改性松香环氧树脂；本发明还提供了它们的制备方法。本发明提供的丙烯海松酸二缩水*酯和丙烯酸改性松香环氧树脂，原料为价廉易得的天然产物环氧值高，是环境友好的新型粘结材料，也可作为制备松香类表面活性剂的反应中间体，且它们的制备方法简单，易于工业化，具有广阔的应用前景。
0014-0009、 金属擦亮剂
摘要、 本发明涉及日用化学品领域，尤其是一种金属擦亮剂，其主要技术特征在于采用*、聚丙烯酸树脂并加入氧化铝微粉为研磨剂，硅酮作为光亮剂加入、油酸及溶剂油使其乳化，使本发明产品具有光亮效果好，稳定性强的优点，尤其适用于清洁及擦亮黄铜、青铜、紫铜、铬、不锈钢、银等各类金属制品，并使光亮持久。
0053-0010、 失效稀土抛光粉的再生方法
摘要、 失效稀土抛光粉的再生方法涉及一种对废旧资源进行再利用的处理方法特别是通过对失效稀土抛光粉的物理化学处理，使其得以重新利用的方法。本发明的技术方案中主要包含有以下步骤：①在失效稀土抛光粉浆液中，加入一定浓度的水溶性碱和/或水溶性氟化物进行化学处理，经过一定时间的加热搅拌后，通过沉降、清洗和过滤工序，回收固体；②将回收的固体进一步热处理后冷却到室温，球磨。回收的稀土抛光粉中，大部分玻璃粉末和其它杂质被有效清除，其物理化学特性得到改善。抛光粉回收率通常可达70-80％，抛蚀量一般可接近或达到50以上，可以继续用于玻璃制品的抛光。
0081-0011、 一种石材上光蜡及其生产方法
0033-0012、 一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料
0032-0013、 平整表面的组合物及方法
0138-0014、 减少在化学机械法平面化过程中的表面凹陷和磨蚀的方法
0139-0015、 用于钨和钛的化学机械平坦化的组合物及方法
0073-0016、 含固体催化剂的化学机械抛光的抛光垫
0098-0017、 用于汽车外壳去污上光的组合物及其制备方法
0056-0018、 化学/机械抛光浆和使用它的化学机械抛光方法
0129-0019、 亲水化蜡组合物
0044-0020、 金属和金属/电介质结构的化学机械抛光用组合物
0126-0021、 附着在固体上并用于增强CMP配方的形成自由基的活化剂
0052-0022、 使皮革产生柔韧性能和自然光泽的液体鞋油
0102-0023、 含碱金属的抛光系统及方法
0132-0024、 一种用于存储器硬盘磁头超精研磨的研磨油
0101-0025、 用于抛光半导体层的组合物
0094-0026、 含硼抛光系统及方法
0076-0027、 木质油精地板、家俱上光保护剂及其制造工艺
0124-0028、 用于铜的受控抛光的组合物和方法
0117-0029、 一种核壳结构的水性磨光油
0037-0030、 用于优先除去氧化硅的系统
0135-0031、 含导电聚合物的抛光组合物
0021-0032、 抛光组合物及使用它的抛光方法
0041-0033、 抛光组合物及使用它的抛光方法
0026-0034、 用于存储器硬盘磁头表面抛光的抛光组合物及其抛光方法
0062-0035、 用于化学机械抛光的水分散体及用途
0108-0036、 高速阻挡层抛光组合物
0110-0037、 用于金属化学机械抛光的新型浆料
0024-0038、 化学机械抛光系统及其使用方法
0028-0039、 介电质CMP浆液中CsOH的应用
0059-0040、 用于化学机械抛光的淤浆
0120-0041、 用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法
0070-0042、 表面处理组合物及其用途
0005-0043、 抛光浆料
0051-0044、 一种墙面抛光防污蜡的制作方法
0140-0045、 纳米鞋油
0013-0046、 一种家具护理剂及其制造
0069-0047、 抛光组合物的用途和抛光存储器硬盘的方法
0091-0048、 真皮护理霜
0063-0049、 无水洁车蜡液
0003-0050、 用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆
0133-0051、 低K介电材料的化学机械抛光方法
0134-0052、 抛光组合物和抛光方法
0127-0053、 含甲醇的二氧化硅基CMP组合物
0001-0054、 含固体催化剂的CMP淤浆
0103-0055、 抛光组合物
0084-0056、 抛光组合物
0104-0057、 抛光垫
0046-0058、 金属CMP用的抛光组合物
0115-0059、 抛光组合物和抛光方法
0078-0060、 一种多用途汽车清洗覆膜高光保养剂
0119-0061、 金属基板化学-机械抛光方法
0128-0062、 用于抛光铜的组合物和方法
0141-0063、 皮革、石材增光保护剂
0111-0064、 利用含胺聚合物的CMP系统和方法
0042-0065、 平整表面的组合物及方法
0114-0066、 钨抛光溶液
0061-0067、 抛光组合物中有机硅表面活性剂的使用
0018-0068、 化学机械法抛光二氧化硅薄膜用抛光膏
0010-0069、 抛光剂组合物
0113-0070、 一种汽车干洗上光液及其制造方法
0031-0071、 木质地板、家具护理剂及其制备方法
0008-0072、 硬质表面处理剂、防污处理剂及表面处理方法
0118-0073、 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用
0020-0074、 含氢氟酸的铝型材酸性抛光剂
0049-0075、 用于CMP的含硅烷的抛光组合物
0002-0076、 制造存储器硬盘用的抛光组合物和抛光方法
0142-0077、 用于替换介质内容物的装置和方法
0097-0078、 多功能去污亮光乳液
0071-0079、 抛光液组合物
0004-0080、 抛光组合物和抛光方法
0065-0081、 用于抛光铜基金属的浆
0092-0082、 自动餐具清洗机用光亮剂
0131-0083、 抛光组合物和抛光方法
0082-0084、 抛光组合物
0125-0085、 研磨基材的方法及组合物
0088-0086、 抛光组合物
0096-0087、 降低半导体晶片磨蚀的化学机械磨平组合物
0035-0088、 一种纤维砂轮磨削液及其用途
0006-0089、 用于研磨的无机氧化物颗粒淤浆及调节所述颗粒的磨蚀性的方法
0136-0090、 木质地板、家具护理用的抛光剂组合物
0109-0091、 抛光组合物
0030-0092、 不用磨料泥浆的玻璃抛光材料及其使用方法
0023-0093、 抛光系统及其使用方法
0077-0094、 抛光组合物
0011-0095、 抛光剂组合物
0067-0096、 一种不锈钢制品的化学抛光剂及其工艺
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