氮化镓生产加工回收提炼提取制造制备工艺技术大全
1 02142450.0 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
2 02141658.3 氮化镓半导体激光器
3 02145712.3 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
4 02113084.1 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
5 02145468.X 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
6 02112311.X 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7 02112412.4 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8 03113769.5 氮化镓晶体的制造方法
9 01810897.0 氮化镓层的制备方法
10 03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
11 01812915.3 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
12 03118955.5 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
13 03110256.5 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
14 03110199.2 以氮化镓为基底的半导体发光装置
15 00818903.X 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
16 02801951.2 氮化镓的块状单结晶的制造方法
17 00817182.3 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
18 94106935.4 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
19 94194481.6 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
20 97118284.1 氮化镓序列的复合半导体发光器件
21 97117796.1 氮化镓晶体的制造方法
22 97122567.2 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
23 96193819.6 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
24 97129713.4 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
25 98106378.0 氮化镓结晶的制造方法
26 98106206.7 氮化镓晶体的制备方法
27 99106909.9 氮化镓单晶衬底及其制造方法
28 98111554.3 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
29 98118311.5 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
30 98108246.7 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
31 98811437.2 氮化镓外延层的制造方法
32 99119067.X 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
33 99119719.4 一种氮化镓单晶的热液生长方法
34 99119773.9 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
35 99803400.2 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
36 00129633.7 一种制备氮化镓基 LED的新方法
37 00131158.1 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
38 00106194.1 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
39 00106264.6 氮化镓化合物半导体制造方法
40 01110203.9 氮化镓陶瓷体的制备方法
41 99807244.3 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
42 00126376.5 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
43 99813628.X 用横向生长制备氮化镓层
44 00131322.3 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
45 01137373.3 一种控制氮化镓(GaN、极性的方法
46 01100889.X 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
47 02102460.X 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
48 02117329.X 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
49 02105907.1 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
50 02105608.0 氮化镓荧光体及其制造方法
51 01116770.X 氮化镓单晶膜的制造方法
52 02113085.X 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
53 200610112889.8 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
54 200710138204.1 生长氮化镓晶体的方法
55 200710133982.1 一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
56 200680009593.1 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
57 200610127867.9 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
58 200610113238.0 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
59 200610127920.5 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
60 200680007694.5 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
61 200610096225.7 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
62 200680008040.4 金刚石上的氮化镓发光装置
63 200610140756.1 氮化镓表面低损伤蚀刻
64 200610140757.6 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
65 200610114190.5 P型氮化镓电极的制备方法
66 200610097597.1 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
67 200710009956.8 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
68 200610144305.5 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
69 200810055710.9 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
70 200680021424.X 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
71 200710114784.0 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
72 200680024176.4 氮化镓基化合物半导体发光器件
73 200710172321.X 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
74 200710176647.X 一种生长室和氮化镓体材料生长方法
75 200810018941.2 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
76 200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
77 200810033719.X 一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
78 200680027937.1 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
79 200680028774.9 氮化镓基化合物半导体发光器件
80 200710195806.0 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
81 200810009979.3 氮化镓层的制备方法
82 200710063881.1 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
83 200810070780.1 一种氮化镓基外延膜的制备方法
84 200810070781.6 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
85 200710079804.5 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
86 02292589.9 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
87 02292590.2 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
88 02292591.0 氮化镓基LED的发光装置
89 200720096313.7 功率型氮化镓基发光二极管芯片
90 200410006179.8 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
91 03138736.5 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
92 03147948.0 氮化镓系异质结构光二极体
93 03147951.0 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
94 02821830.2 烧结的多晶氮化镓
95 03139103.6 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
96 200410053351.5 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
97 200410066479.5 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
98 200410053350.0 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
99 03151054.X 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
100 200410068332.X 氮化镓外延层的制造方法
101 200410091050.1 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
102 200410065181.2 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
103 200410086564.8 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
104 200410088165.5 氮化镓基半导体器件及其制造方法
105 01802460.2 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
106 200410089448.1 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
107 200410031246.1 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
108 200310117000.1 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
109 200310119745.1 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
110 200310120176.2 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
111 200310120544.3 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
112 200410065676.5 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
113 200510000296.8 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
114 200510051675.X 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
115 200410000201.8 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
116 200410000889.X 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
117 03812891.8 氮化镓(GaN、类化合物半导体装置及其制造方法
118 200410006381.0 氮化镓系发光组件及其制造方法
119 200410006382.5 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
120 03813924.3 富镓氮化镓薄膜的制造方法
121 200410008515.2 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
122 03816873.1 氮化镓类化合物半导体装置
123 200410098373.3 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
124 200510025439.0 紫外双波段氮化镓探测器
125 200510025438.6 氮化镓紫外探测器
126 200410031469.8 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
127 03820771.0 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
128 200410033586.8 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
129 200410033587.2 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
130 03145867.X 氮化镓系化合物半导体发光器件
131 03145868.8 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
132 03145869.6 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
133 03145870.X 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
134 02138461.4 亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
135 02145890.1 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
136 03157390.8 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
137 02146269.0 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
138 200310119925.X 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
139 02149351.0 制备氮化镓单晶薄膜的方法
140 200310116177.X 制造氮化镓半导体发光器件的方法
141 02808020.3 氮化镓系列化合物半导体元件
142 03100249.8 氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
143 02159324.8 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
144 03110867.9 溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
145 03119842.2 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
146 03135064.X 金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
147 03120597.6 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
148 03106434.5 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
149 03800646.4 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
150 02814526.7 基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
151 02135164.3 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
152 03121877.6 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
153 200310109249.8 光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
154 200310109268.0 一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
155 03158766.6 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
156 200310121092.0 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
157 200310121093.5 激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
158 02817912.9 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
159 02817829.7 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
160 200510128772.4 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
161 200510134125.4 氮化镓半导体装置的封装
162 200380100487.0 基于氮化镓的装置和制造方法
163 200510026720.6 氮化镓基紫外-红外双色集成探测器
164 200480000484.4 氮化镓系发光器件
165 200410046039.3 生长高阻氮化镓外延膜的方法
166 200410046040.6 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
167 200410046195.X 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
168 200410048228.4 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
169 200410062336.7 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
170 200410071058.1 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
171 200410058033.8 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
172 200410058034.2 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
173 200410058035.7 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
174 200410058036.1 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
175 200410058037.6 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
176 200510028366.0 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
177 200510021536.2 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
178 200510036162.1 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
179 200510028370.7 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
180 200410074363.6 PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
181 200410073928.9 氮化镓系发光二极管结构
182 200410073931.0 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
183 200410073932.5 氮化镓系发光二极管的制作方法
184 200380109711.2 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
185 200410078346.X 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
186 200410078343.6 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
187 200410078345.5 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
188 200410078347.4 氮化镓发光二极管结构
189 200410078348.9 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
190 200410080143.4 氮化镓系发光二极管
191 200410081010.9 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
192 200480006280.1 氮化镓单晶基板及其制造方法
193 200510108383.5 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
194 200510029388.9 氮化镓基高单色性光源阵列
195 200410088729.5 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
196 200510115278.4 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
197 200510030062.8 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
198 200510110630.5 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
199 200510110629.2 氮化镓基光子晶体激光二极管
200 200410009858.0 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
201 200410095294.7 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
202 200410097276.2 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
203 200410009922.5 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
204 200510111361.4 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
205 200510110631.X 氮化镓基发光二极管指示笔
206 200410009990.1 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
207 200410077337.9 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
208 200410098518.X 高亮度氮化镓类发光二极体结构
209 200510048197.7 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
210 200510120085.8 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
211 200480013908.0 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
212 200510095245.8 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
213 200510113997.2 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
214 200410101891.6 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
215 200480015116.7 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
216 200510105377.4 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
217 200410101871.9 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
218 200510095658.6 一种提高氮化镓(GaN、基半导体材料发光效率的方法
219 200510048111.0 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
220 200510064401.4 氮化镓系发光二极管
221 200610006436.7 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
222 200610023732.8 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
223 200610023694.6 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
224 200610033365.X 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
225 200610024155.4 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
226 200610024615.3 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
227 200510128773.9 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
228 200610067517.8 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
229 200610067523.3 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
230 200610035321.0 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
231 200610067141.0 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
232 200610067142.5 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
233 200610078085.0 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
234 200510124621.1 氮化镓基化合物半导体器件
235 200510072427.3 氮化镓基蓝光发光二极管
236 200510040096.5 氮化镓薄膜材料的制备方法
237 200610074303.3 氮化镓类半导体元件及其制造方法
238 200610087785.6 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
239 200610088655.4 氮化镓半导体器件
240 200510011812.7 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
241 200510011813.1 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
242 200510071592.7 氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
243 200610089338.4 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
244 200610092944.1 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
245 200610028490.1 氮化镓基圆盘式单色光源列阵
246 200480031798.0 氮化镓半导体衬底及其制造方法
247 200610078387.8 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
248 200510011898.3 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
249 200610100314.4 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
250 200380110945.9 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
251 200610093660.4 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
252 200610100207.1 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
253 200610086059.2 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
254 200480037136.4 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
255 200610105961.4 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
256 200610099595.6 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
257 200580003365.9 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
258 200580004358.0 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
259 200580004938.X 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
260 200610053869.8 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
261 200610096645.5 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
262 200580010050.7 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
263 200610139775.2 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
264 200580011658.1 氮化镓基半导体器件
265 200610016268.X 一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
266 200610016271.1 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
267 200580014398.3 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
268 200510118017.8 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
269 200610125202.4 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
270 200510086899.4 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
271 200680000348.4 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
272 200610144850.4 垂直基于氮化镓的发光二极管
273 200580020771.6 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
274 200680000265.5 氮化镓晶圆
275 200610110668.7 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
276 200580021454.6 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
277 200610144316.3 一种制备氮化镓单晶衬底的方法
278 200610167195.4 氮化镓基发光二极管及其制造方法
279 200610166563.3 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
280 200610011228.6 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
281 200710019375.2 氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
282 200710036455.9 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
283 200610001595.8 氮化镓系半导体的成长方法
284 200610167605.5 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
285 200610022726.0 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
286 200710037618.5 一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
287 200710002371.3 氮化镓晶体衬底及其制造方法
288 200710088106.1 氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
289 200610039392.8 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
290 200610067460.1 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
291 200610105562.8 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
292 200580040055.4 用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法
293 200710013820.4 超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
294 200710051864.6 一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
295 200580041110.1 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
296 200710110258.7 生长氮化镓晶体的方法
297 200680001573.X 氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
298 200710043618.6 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
299 200710139296.5 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
300 200610088934.0 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
301 200610089071.9 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
302 200610089074.2 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
303 200610089075.7 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
304 200710121708.2 一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
305 200710146312.3 氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
306 200710142217.6 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
307 200610089289.4 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
308 200710105256.9 氮化镓基发光二极管及其制造方法
309 200710151262.8 氮化镓系发光二极管及其制造方法
310 200710097453.0 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
311 200610112547.6 氮化镓基蓝光激光器的制作方法
312 200680032214.0 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
313 200680032456.X 氮化镓基化合物半导体发光器件
314 200710064383.9 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
315 200710064384.3 制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
316 200710064385.8 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法
317 200810106851.9 抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
318 200810095054.5 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
319 200710065319.2 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
320 200810018838.8 氮化镓薄膜外延生长结构及方法
321 200810150273.9 适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
322 200680042644.0 氮化镓基化合物半导体发光器件
323 200810092858.X 氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法
324 200710017897.9 一种增强型氮化镓HEMT器件结构
325 200810047953.8 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
326 200810040201.9 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
327 200680045152.7 氮化镓半导体发光元件
328 200810029353.9 一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
329 200680041266.4 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
330 200680046658.X 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
331 200680046768.6 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
332 200680046919.8 氮化镓系化合物半导体发光元件
333 200710123092.2 一种p型氮化镓的表面处理方法
334 200710093912.8 氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺
335 200710093915.1 提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
336 200810126483.4 氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
337 200710130162.7 以CVD及HVPE成长氮化镓的方法
338 200810131104.0 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
339 200710139135.6 制作氮化镓系基板的方法
340 200810198615.4 一种氮化镓外延层转移方法
341 200810028855.X 一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统
342 200810212053.4 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
343 200810028854.5 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
344 200710168024.8 具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件
345 200780004671.3 基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法
346 200810046279.1 利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法
347 200710121505.3 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
348 200810211828.6 制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法
349 200810158073.8 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
350 200810173810.1 单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法
351 200710122478.1 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
352 200320128260.4 一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
353 03257248.4 使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
354 200420118205.1 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
355 200520107535.5 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
356 200520107536.X 一种氮化镓基大管芯发光二极管
357 200420089267.4 具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构
358 200420036443.8 氮化镓系发光二极管结构
359 200420092593.0 氮化镓系发光二极管的构造
360 200420115815.6 氮化镓系发光二极管
361 200520062002.X 氮化镓基发光二极管芯片
362 200520051301.3 用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
363 200620040973.9 基于氮化镓铝的多波段紫外辐照度测量装置
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2 02141658.3 氮化镓半导体激光器
3 02145712.3 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
4 02113084.1 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
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7 02112412.4 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8 03113769.5 氮化镓晶体的制造方法
9 01810897.0 氮化镓层的制备方法
10 03104233.3 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
11 01812915.3 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
12 03118955.5 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
13 03110256.5 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
14 03110199.2 以氮化镓为基底的半导体发光装置
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16 02801951.2 氮化镓的块状单结晶的制造方法
17 00817182.3 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
18 94106935.4 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
19 94194481.6 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
20 97118284.1 氮化镓序列的复合半导体发光器件
21 97117796.1 氮化镓晶体的制造方法
22 97122567.2 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
23 96193819.6 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
24 97129713.4 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
25 98106378.0 氮化镓结晶的制造方法
26 98106206.7 氮化镓晶体的制备方法
27 99106909.9 氮化镓单晶衬底及其制造方法
28 98111554.3 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
29 98118311.5 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
30 98108246.7 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
31 98811437.2 氮化镓外延层的制造方法
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33 99119719.4 一种氮化镓单晶的热液生长方法
34 99119773.9 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
35 99803400.2 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
36 00129633.7 一种制备氮化镓基 LED的新方法
37 00131158.1 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
38 00106194.1 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
39 00106264.6 氮化镓化合物半导体制造方法
40 01110203.9 氮化镓陶瓷体的制备方法
41 99807244.3 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
42 00126376.5 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
43 99813628.X 用横向生长制备氮化镓层
44 00131322.3 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
45 01137373.3 一种控制氮化镓(GaN、极性的方法
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47 02102460.X 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
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49 02105907.1 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
50 02105608.0 氮化镓荧光体及其制造方法
51 01116770.X 氮化镓单晶膜的制造方法
52 02113085.X 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
53 200610112889.8 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
54 200710138204.1 生长氮化镓晶体的方法
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56 200680009593.1 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
57 200610127867.9 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
58 200610113238.0 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
59 200610127920.5 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
60 200680007694.5 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
61 200610096225.7 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
62 200680008040.4 金刚石上的氮化镓发光装置
63 200610140756.1 氮化镓表面低损伤蚀刻
64 200610140757.6 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
65 200610114190.5 P型氮化镓电极的制备方法
66 200610097597.1 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
67 200710009956.8 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
68 200610144305.5 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
69 200810055710.9 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
70 200680021424.X 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
71 200710114784.0 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
72 200680024176.4 氮化镓基化合物半导体发光器件
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74 200710176647.X 一种生长室和氮化镓体材料生长方法
75 200810018941.2 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
76 200710173110.8 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
77 200810033719.X 一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
78 200680027937.1 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
79 200680028774.9 氮化镓基化合物半导体发光器件
80 200710195806.0 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
81 200810009979.3 氮化镓层的制备方法
82 200710063881.1 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
83 200810070780.1 一种氮化镓基外延膜的制备方法
84 200810070781.6 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
85 200710079804.5 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
86 02292589.9 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
87 02292590.2 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
88 02292591.0 氮化镓基LED的发光装置
89 200720096313.7 功率型氮化镓基发光二极管芯片
90 200410006179.8 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
91 03138736.5 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
92 03147948.0 氮化镓系异质结构光二极体
93 03147951.0 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
94 02821830.2 烧结的多晶氮化镓
95 03139103.6 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
96 200410053351.5 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
97 200410066479.5 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
98 200410053350.0 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
99 03151054.X 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
100 200410068332.X 氮化镓外延层的制造方法
101 200410091050.1 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
102 200410065181.2 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
103 200410086564.8 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
104 200410088165.5 氮化镓基半导体器件及其制造方法
105 01802460.2 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
106 200410089448.1 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
107 200410031246.1 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
108 200310117000.1 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
109 200310119745.1 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
110 200310120176.2 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
111 200310120544.3 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
112 200410065676.5 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
113 200510000296.8 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
114 200510051675.X 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
115 200410000201.8 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
116 200410000889.X 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
117 03812891.8 氮化镓(GaN、类化合物半导体装置及其制造方法
118 200410006381.0 氮化镓系发光组件及其制造方法
119 200410006382.5 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
120 03813924.3 富镓氮化镓薄膜的制造方法
121 200410008515.2 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
122 03816873.1 氮化镓类化合物半导体装置
123 200410098373.3 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
124 200510025439.0 紫外双波段氮化镓探测器
125 200510025438.6 氮化镓紫外探测器
126 200410031469.8 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
127 03820771.0 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
128 200410033586.8 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
129 200410033587.2 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
130 03145867.X 氮化镓系化合物半导体发光器件
131 03145868.8 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
132 03145869.6 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
133 03145870.X 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
134 02138461.4 亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
135 02145890.1 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
136 03157390.8 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
137 02146269.0 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
138 200310119925.X 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
139 02149351.0 制备氮化镓单晶薄膜的方法
140 200310116177.X 制造氮化镓半导体发光器件的方法
141 02808020.3 氮化镓系列化合物半导体元件
142 03100249.8 氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
143 02159324.8 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
144 03110867.9 溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
145 03119842.2 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
146 03135064.X 金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
147 03120597.6 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
148 03106434.5 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
149 03800646.4 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
150 02814526.7 基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
151 02135164.3 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
152 03121877.6 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
153 200310109249.8 光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
154 200310109268.0 一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
155 03158766.6 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
156 200310121092.0 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
157 200310121093.5 激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
158 02817912.9 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
159 02817829.7 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
160 200510128772.4 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
161 200510134125.4 氮化镓半导体装置的封装
162 200380100487.0 基于氮化镓的装置和制造方法
163 200510026720.6 氮化镓基紫外-红外双色集成探测器
164 200480000484.4 氮化镓系发光器件
165 200410046039.3 生长高阻氮化镓外延膜的方法
166 200410046040.6 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
167 200410046195.X 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
168 200410048228.4 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
169 200410062336.7 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
170 200410071058.1 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
171 200410058033.8 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
172 200410058034.2 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
173 200410058035.7 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
174 200410058036.1 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
175 200410058037.6 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
176 200510028366.0 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
177 200510021536.2 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
178 200510036162.1 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
179 200510028370.7 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
180 200410074363.6 PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
181 200410073928.9 氮化镓系发光二极管结构
182 200410073931.0 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
183 200410073932.5 氮化镓系发光二极管的制作方法
184 200380109711.2 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
185 200410078346.X 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
186 200410078343.6 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
187 200410078345.5 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
188 200410078347.4 氮化镓发光二极管结构
189 200410078348.9 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
190 200410080143.4 氮化镓系发光二极管
191 200410081010.9 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
192 200480006280.1 氮化镓单晶基板及其制造方法
193 200510108383.5 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
194 200510029388.9 氮化镓基高单色性光源阵列
195 200410088729.5 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
196 200510115278.4 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
197 200510030062.8 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
198 200510110630.5 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
199 200510110629.2 氮化镓基光子晶体激光二极管
200 200410009858.0 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
201 200410095294.7 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
202 200410097276.2 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
203 200410009922.5 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
204 200510111361.4 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
205 200510110631.X 氮化镓基发光二极管指示笔
206 200410009990.1 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
207 200410077337.9 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
208 200410098518.X 高亮度氮化镓类发光二极体结构
209 200510048197.7 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
210 200510120085.8 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
211 200480013908.0 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
212 200510095245.8 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
213 200510113997.2 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
214 200410101891.6 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
215 200480015116.7 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
216 200510105377.4 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
217 200410101871.9 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
218 200510095658.6 一种提高氮化镓(GaN、基半导体材料发光效率的方法
219 200510048111.0 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
220 200510064401.4 氮化镓系发光二极管
221 200610006436.7 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
222 200610023732.8 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
223 200610023694.6 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
224 200610033365.X 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
225 200610024155.4 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
226 200610024615.3 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
227 200510128773.9 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
228 200610067517.8 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
229 200610067523.3 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
230 200610035321.0 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
231 200610067141.0 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
232 200610067142.5 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
233 200610078085.0 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
234 200510124621.1 氮化镓基化合物半导体器件
235 200510072427.3 氮化镓基蓝光发光二极管
236 200510040096.5 氮化镓薄膜材料的制备方法
237 200610074303.3 氮化镓类半导体元件及其制造方法
238 200610087785.6 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
239 200610088655.4 氮化镓半导体器件
240 200510011812.7 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
241 200510011813.1 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
242 200510071592.7 氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
243 200610089338.4 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
244 200610092944.1 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
245 200610028490.1 氮化镓基圆盘式单色光源列阵
246 200480031798.0 氮化镓半导体衬底及其制造方法
247 200610078387.8 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
248 200510011898.3 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
249 200610100314.4 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
250 200380110945.9 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
251 200610093660.4 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
252 200610100207.1 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
253 200610086059.2 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
254 200480037136.4 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
255 200610105961.4 氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法
256 200610099595.6 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
257 200580003365.9 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
258 200580004358.0 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
259 200580004938.X 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
260 200610053869.8 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
261 200610096645.5 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
262 200580010050.7 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
263 200610139775.2 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
264 200580011658.1 氮化镓基半导体器件
265 200610016268.X 一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
266 200610016271.1 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
267 200580014398.3 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
268 200510118017.8 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
269 200610125202.4 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
270 200510086899.4 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
271 200680000348.4 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
272 200610144850.4 垂直基于氮化镓的发光二极管
273 200580020771.6 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
274 200680000265.5 氮化镓晶圆
275 200610110668.7 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
276 200580021454.6 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
277 200610144316.3 一种制备氮化镓单晶衬底的方法
278 200610167195.4 氮化镓基发光二极管及其制造方法
279 200610166563.3 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
280 200610011228.6 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
281 200710019375.2 氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
282 200710036455.9 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
283 200610001595.8 氮化镓系半导体的成长方法
284 200610167605.5 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
285 200610022726.0 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
286 200710037618.5 一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
287 200710002371.3 氮化镓晶体衬底及其制造方法
288 200710088106.1 氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
289 200610039392.8 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
290 200610067460.1 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
291 200610105562.8 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
292 200580040055.4 用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法
293 200710013820.4 超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
294 200710051864.6 一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
295 200580041110.1 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
296 200710110258.7 生长氮化镓晶体的方法
297 200680001573.X 氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
298 200710043618.6 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
299 200710139296.5 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
300 200610088934.0 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
301 200610089071.9 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
302 200610089074.2 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
303 200610089075.7 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
304 200710121708.2 一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
305 200710146312.3 氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
306 200710142217.6 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
307 200610089289.4 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
308 200710105256.9 氮化镓基发光二极管及其制造方法
309 200710151262.8 氮化镓系发光二极管及其制造方法
310 200710097453.0 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
311 200610112547.6 氮化镓基蓝光激光器的制作方法
312 200680032214.0 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
313 200680032456.X 氮化镓基化合物半导体发光器件
314 200710064383.9 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
315 200710064384.3 制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
316 200710064385.8 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法
317 200810106851.9 抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
318 200810095054.5 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
319 200710065319.2 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
320 200810018838.8 氮化镓薄膜外延生长结构及方法
321 200810150273.9 适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
322 200680042644.0 氮化镓基化合物半导体发光器件
323 200810092858.X 氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法
324 200710017897.9 一种增强型氮化镓HEMT器件结构
325 200810047953.8 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
326 200810040201.9 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
327 200680045152.7 氮化镓半导体发光元件
328 200810029353.9 一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
329 200680041266.4 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
330 200680046658.X 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
331 200680046768.6 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
332 200680046919.8 氮化镓系化合物半导体发光元件
333 200710123092.2 一种p型氮化镓的表面处理方法
334 200710093912.8 氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺
335 200710093915.1 提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
336 200810126483.4 氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
337 200710130162.7 以CVD及HVPE成长氮化镓的方法
338 200810131104.0 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
339 200710139135.6 制作氮化镓系基板的方法
340 200810198615.4 一种氮化镓外延层转移方法
341 200810028855.X 一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统
342 200810212053.4 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
343 200810028854.5 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
344 200710168024.8 具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件
345 200780004671.3 基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法
346 200810046279.1 利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法
347 200710121505.3 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
348 200810211828.6 制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法
349 200810158073.8 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
350 200810173810.1 单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法
351 200710122478.1 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
352 200320128260.4 一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
353 03257248.4 使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
354 200420118205.1 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
355 200520107535.5 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
356 200520107536.X 一种氮化镓基大管芯发光二极管
357 200420089267.4 具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构
358 200420036443.8 氮化镓系发光二极管结构
359 200420092593.0 氮化镓系发光二极管的构造
360 200420115815.6 氮化镓系发光二极管
361 200520062002.X 氮化镓基发光二极管芯片
362 200520051301.3 用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
363 200620040973.9 基于氮化镓铝的多波段紫外辐照度测量装置
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