碳化硅生产加工工艺配方
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2021/4/23
(366505440001)制备碳化硅单晶的方法
(简介)本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，其能快速、稳定和连续地生长高质量碳化硅单晶，并既能增加块状单晶尺寸又能提高薄膜单晶质量，该方法包括：从底部按顺序堆叠碳化硅源材料棒、溶剂、晶种和在其底端支撑晶种的支撑棒，以形成柱状工件，加热作为柱状工件底端的源材料棒底端，并冷却作为柱状工件顶端的支撑棒顶端，以在柱状工件内部形成温度梯度，从而使溶剂的顶端面温度变得比底端面低；并使得碳化硅单晶从晶种开始，连续向下生长，其中所述方法还包括使用内圆筒形基座以紧密环绕柱状工件的外圆周。
(366504740002)一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
(简介)一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置，特别涉及一种基于铜螺旋管射频加热的竖直式冷壁高温大功率碳化硅(sic)外延材料制造装置。该装置，包括双层石英外延生长室、样品交接室、样品传递与支撑装置、波纹管调节器、插板隔断阀，其双层石英外延生长室、插板隔断阀、样品交接室、波纹管调节器、以及样品传递与支撑架上下依次连接在一条垂直轴线上；样品传递与支撑架位于共同垂直轴线上。本发明采用了竖直结构的水冷双层石英生长室，具有轴对称性，易于控制气流状态，加热效率高，不发生辉光现象；且可扩展性强，通过增大石英管的直径，可以外延生长尺寸更大或小尺寸多片的碳化硅(sic)外延材料。
(366503900003)从含碳化硅炉渣中提取碳化硅的方法
(简介)本发明公开了一种从含sic炉渣中提取碳化硅的方法，其特征在于：用5～10％重量％稀酸溶液和(或)20—50％(重量％)稀碱溶液溶除炉渣中mg、ca、fe、si等杂质，然后用清水洗净游离酸(或碱)及可溶性无机盐类，经脱水、干燥。本发明用简单的工艺、较低的成本，从弃的炉渣中提取价值较高碳化硅材料。
(366506940004)使用原子氧在碳化硅层上制造氧化层的方法
(简介)公开了在碳化硅层上形成氧化层的方法，包括将碳化硅层放置在基本没有金属杂质的腔室中；将腔室的大气加热到大约500℃到大约1300℃的温度；在腔室中引入原子氧；以及使原子氧流过碳化硅层的表面，从而在碳化硅层上形成氧化层。在一些实施例中，引入原子氧包括在腔室中提供源氧化物；以及使氮气和氧气的混合物流过源氧化物。源氧化物可以包括铝的氧化物或诸如氧化锰的另一源氧化物。一些方法包括在碳化硅层上形成氧化层并且在包含原子氧的大气中退火氧化层。
(366506670005)氧化铝纳米棒增韧碳化硅陶瓷制造方法
(简介)本发明提供一种氧化铝纳米棒增韧碳化硅陶瓷制造方法，属于陶瓷领域。用长径比很高的晶须、纤维进行碳化硅陶瓷增韧所带来的主要问题是，原料的均匀混合比较困难，并且，所用晶须、纤维类增韧物料价格较高，本发明旨在缓解上述技术问题。本发明的优点是，提供了一种晶须、纤维之外的有益的碳化硅陶瓷增韧方法，本发明的方案是用棒状氧化铝纳米粉作为增韧料，棒状氧化铝纳米粉相对廉价，并且，短棒状的小颗粒的氧化铝纳米棒易于与其它物料均匀混合。本发明的方案兼顾利用热膨胀失配诱发微裂纹、裂纹偏转、裂纹桥联、拔出效应以及晶粒细化等有益的增韧因素。
(366506070006)非圆形截面碳化硅纤维及其制备方法
(简介)本发明公开了非圆形截面碳化硅纤维及其制备方法。非圆形截面碳化硅纤维是以分子量为1200-1700的先驱体聚碳硅烷为原料，采用条形、五叶形或扇形孔喷丝板，经熔融纺丝制备而成，其纤维的截面形状为条形、五叶形或扇形，在x波段，三种异形纤维的磁损耗为零，条形纤维的介电损耗正切值tanδ为0.41~0.49，五叶形纤维的介电损耗正切值tanδ为0.24~0.32，扇形纤维的介电损耗正切值tanδ为0.46~0.59；三种异形纤维的介电常数实部和虚部值随频率的增加而减小，频响效应较好，可以作为性能优异的结构吸波材料；纤维可连续纺丝，可以实现工业化。
(366501310007)碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件
(简介)在衬底1的碳化硅晶体生长表面1a中，一边保持硅原子2相对于碳原子处于过剩状态，一边利用mbe法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此，可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的碳化硅衬底。即使在1300℃以下的低温下也能进行该生长，可形成高浓度掺杂膜·选择生长膜·在六方晶体上的立方晶体碳化硅的生长膜。此外，在六方晶体上使立方晶体碳化硅实现结晶化时，进而使用向（数1）方向倾斜的偏移切割衬底对于防止孪晶的发生是有效的。
(366504720008)含铝连续碳化硅纤维的制备方法
(简介)本发明公开了含铝连续碳化硅(sic)纤维的制备方法。本方法以含有si-si为主链的聚硅烷或聚硅烷共聚物和有机铝络合物为反应物，合成了聚铝碳硅烷。然后经连续纺丝制得聚铝碳硅烷原纤维、原纤维经空气不熔化处理，得到不熔化聚铝碳硅烷纤维。不熔化聚铝碳硅烷纤维经连续烧成或连续烧结制得含铝连续碳化硅纤维。此法制得的含铝连续碳化硅纤维柔顺，黑亮，纤维直径为5～16μm，平均拉伸强度为1.5～3.5gpa，弹性模量为200～430gpa。纤维中铝含量为0.1～5％，具有优良的耐超高温性能、高温抗氧化性能和高温蠕变性能。纤维的各项性能稳定，工艺重复性优良。
(366505540009)锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法
(简介)本发明涉及一种锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法，属于铁电压电材料领域。该材料的组成为：ypb(zrx
(366503570010)铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法
(简介)本发明涉及一种铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法，属于耐火材料制备技术领域。其特征是在氮化硅结合碳化硅砖的配料过程中把zrb2
(366501320011)具有金刚石涂层的碳化硅宝石
(366504180012)制备碳化硅颗粒增强铝基复合材料的真空双搅拌装置
(366500910013)12h-α-碳化硅晶须及其制法
(366501540014)通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法
(366503470015)碳化硅环保除尘装置
(366504900016)用于碳化硅的包含主要由镍组成的层的反射式欧姆接触及其制造方法以及包含该接触的发光器件
(366500590017)新型聚碳硅烷组合物其制法以及在碳化硅为基础的产品和陶瓷制品生产过程中的作用
(366502460018)片状氧化铝颗粒结合碳化硅晶片组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
(366500690019)高强度碳化硅基陶瓷材料及其制备工艺
(366505980020)经由碳-硅氧化制备恩替卡韦及其新中间体的方法
(366502550021)利用片状氧化铝颗粒进行增韧的碳化硅陶瓷制造技术
(366505630022)一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法
(366505450023)氧化锆/碳化硅热喷涂复合纳米粉及其生产方法
(366502160024)含碳化硅颗粒、制造碳化硅质烧结体的方法、碳化硅质烧结体以及过滤器
(366506750025)从用于等离子体处理设备的硅和碳化硅电极表面除去黑硅和黑碳化硅的方法
(366502000026)冶炼碳化硅的多炉芯炉及其生产碳化硅的方法
(366500070027)用于旋转喷头的碳化硅耐火陶瓷材料
(366500630028)制取β－碳化硅的方法
(366504160029)向接收基板转移碳化硅薄层的优化方法
(366500660030)氧化铝－氧化锆－碳化硅－氧化镁陶瓷制品
(366502190031)炼钢增碳、脱氧以及硅锰合金化用铝硅锰碳合金及其制备方法
(366501350032)包括基于与氟相容的二氧化硅和碳酸钙的磨料或添加剂的牙膏组合物
(366503840033)用微波技术快速烧结氮化硅结合碳化硅耐火材料的方法
(366503430034)节能型碳化硅冶炼炉
(366506500035)碳化硅mos场效应晶体管以及其制造方法
(366502420036)一种嵌入物包括碳化硅晶须的多成份碳化硅陶瓷
(366505730037)一种超细碳化硅粉末提纯方法
(366504660038)碳化硅过滤器及其制备方法
(366504130039)镀铜碳化硅颗粒增强镁基复合材料的制备方法
(366505690040)超临界二氧化碳技术制备含硅聚丙烯纳米发泡材料的方法
(366500990041)硅石-碳化硅砖
(366502970042)一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法
(366505830043)一种含碳化硅、铁、碳、铬的钼基金属陶瓷
(366507270044)内衬碳化硅燃烧器
(366505430045)一种针状纳米碳化硅的合成方法
(366501650046)碳热还原法生产稀土钡硅化物合金的工艺
(366500960047)用稻谷壳制取石墨碳化硅涂层及碳硅化合物
(366504860048)一种碳化硅微粉的生产工艺
(366505100049)一种铝碳化钛/硅化钛复合材料及其制备方法
(366502520050)棒状氧化铝颗粒结合碳化硅晶须组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
(366505180051)一种碳化硅─堇青石复合多孔陶瓷及其制备方法
(366505890052)一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法
(366500100053)制造具有碳化硅膜的半导体器件的方法
(366505550054)一种方镁石-碳化硅-碳复合材料及其制备方法
(366502870055)碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
(366504050056)一种方镁石—碳化硅复合材料及其制备方法
(366504120057)一种一次成型碳化硅发热元件的制造方法
(366503890058)掺杂碳的二氧化硅膜的沉积方法与金属内连线的制造方法
(366504540059)纳米碳化硅助剂烧结高纯碳化硅蜂窝陶瓷体的制造方法
(366500780060)碳化硅晶须增强陶瓷复合材料及其制造方法
(366501660061)碳化硅衬底上具有导电缓冲中间层结构的ⅲ族氮化物光子器件
(366502600062)一种包括炭纤维的多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
(366506530063)鱼雷罐用铝碳化硅碳砖及鱼雷罐内衬结构
(366501460064)带式浇铸碳化硅等效薄片
(366501360065)表面包敷与未包敷二氧化硅的碳化硅纳米棒及制备方法
(366503440066)碳化硅回炉料、木屑混合装置
(366503910067)处理碳化硅衬底改善外延沉积的方法与形成的结构和器件
(366504260068)一种表面涂层的碳化硅发热体
(366503190069)碳化硅再结晶热电偶保护管
(366506390070)火焰热喷涂铝热剂包裹碳化硅颗粒陶瓷涂层的制备方法
(366506780071)高电阻常压烧结碳化硅制品的生产方法
(366500710072)六方的碳化硅片晶和预型件以及制备和使用它们的方法
(366505320073)一种合成碳化硅纳米棒的方法
(366503000074)碳纤维增强碳化硅复合材料的制备方法
(366503300075)开槽式碳化硅平板
(366505910076)一种碳化硅精细微粉的生产方法
(366502920077)碳化硅纳米线的制备方法
(366503490078)碳化硅冶炼炉的配料装置
(366505250079)碳化硅制品、其制造方法以及碳化硅制品的洗净方法
(366504800080)制备碳化硅晶须的方法
(366502620081)一种包括碳化硅晶片的多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
(366504310082)铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法
(366506920083)一种改善碳化硅陶瓷生产设备高磨损的方法
(366500970084)赛隆结合碳化硅耐火陶瓷材料
(366504390085)碳化硅的等离子体刻蚀
(366505460086)金属-碳化硅欧姆接触的局部退火及其形成的装置
(366500510087)不锈钢-碳化硅酸度电极及制造法
(366504020088)带电子电路的碳化硅微机电器件
(366506470089)包括环氧基官能的碳硅烷化合物的牙科组合物
(366503870090)带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
(366500390091)过渡金属氧化物／二氧化硅纳米复合粉体催化剂及其合成方法和该催化剂用于制备碳纳米管
(366506580092)制造高品质大尺寸碳化硅晶体的方法
(366506960093)碳化硅半导体装置的制造方法
(366502640094)一种包括碳化硅晶须的多元组合增韧碳化硅陶瓷制造方法
(366506510095)一种无tic杂质相的碳化硅钛陶瓷粉体的合成方法
(366503260096)全碳化硅节能型热处理箱式电阻炉
(366505520097)高温、耐磨碳化硅陶瓷材料及其生产方法
(366506730098)纳米复合碳化硅陶瓷及其制备方法
(366506230099)一种用于烧结三元催化汽车尾气过滤器陶瓷滤芯的碳化硅超细粉及其生产方法
(366504220100)氮化硅和碳化硅一维纳米结构及其制备方法
(366505530101)具有纳米级碳化硅内在物的耐火材料及其制造方法
(366506250102)纯化碳化硅结构的方法
(366505760103)喷雾造粒制备亚微米级碳化硅微粉的方法
(366500840104)连续碳化硅纤维的制备方法及装置
(366502900105)一种碳包裹的石墨/硅氧化物复合材料的制备方法
(366504700106)采用超临界二氧化碳/化学制剂去除图案化硅/二氧化硅上的粒子污染物
(366505620107)无色碳化硅晶体的生长
(366505780108)在存在碳烯的条件下，用开环聚合和/或pos再分布来制备聚有机硅氧烷(pos)的方法以及用该方法制备的pos化合物
(366507110109)一种泵用碳化硅柱塞
(366506610110)含硅高碳钢9sicr表面纳米化方法
(366502850111)碳化硅二极管限压器
(366500130112)碳化硅冶炼温度测控技术
(366500360113)一种改进的碳化硅薄板
(366506710114)瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺
(366505010115)原位反应法制备莫来石结合的碳化硅多孔陶瓷
(366501090116)用碳化硅与金属合成金刚石的方法
(366502050117)在蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的方法
(366500790118)碳化硅基复合陶瓷热电偶保护管及其生产工艺
(366504560119)一种碳化硅纳米管的化学气相沉积制备方法
(366503980120)同束多形碳化硅纤维及其制备方法
(366504040121)一种碳氧化硅的制备方法
(366507060122)一种铝碳化硅封装外壳的封接方法
(366504420123)相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法
(366502650124)碳化硅半导体器件的制造方法
(366506410125)无氧溶胶-凝胶反应制备多孔碳氮化硅的方法
(366504290126)短沟道碳化硅功率mosfets及其制造方法
(366500110127)碳化硅的表面改性方法
(366506430128)一种碳化硅颗粒增强铝基复合材料的表面处理方法
(366503160129)碳化硅耐高温反烧炉排
(366505040130)利用分层实体快速成型制造碳化硅陶瓷零件的工艺方法
(366503850131)致密钛硅化碳—二硼化钛复合块体材料及其制备方法
(366507100132)一种定向凝固用碳化硅型壳
(366506700133)超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物及制备产品的方法
(366500050134)一种聚合物基碳化硅颗粒增强复合材料及生产方法
(366503410135)一种立式锅炉用碳化硅炉盘
(366500950136)高致密、低气孔率氮化硅-碳化硅-氧化物系统耐火材料
(366500700137)碳化硅中形成蓝光发射二极管
(366504610138)碳化硅陶瓷素坯成型方法
(366503280139)氮化硅结合碳化硅材料作侧衬砖的铝电解槽
(366505640140)碳/碳复合材料基二硅化钽/碳化硅涂层及其制备方法
(366504520141)利用n2o在碳化硅层上制造氧化物层的方法
(366503460142)碳化硅电热元件高温烧成碳管炉
(366506090143)β型碳化硅晶须的增强方法及在激光快速成型中的应用
(366500280144)在碳化硅基衬底上获得高速电学材料结构的方法
(366504240145)碳化硅／铜金属陶瓷高温电接触复合材料制备方法
(366504190146)铝铬碳化硅耐火砖
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(366502750148)刚玉-氮化硅-碳化硅复合浇注料
(366505820149)减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷
(366500900150)碳氮共掺法制备氮化硅的连续工艺和制得的氮化硅
(366502320151)一种含炭纤维以及片状氧化铝嵌入颗粒的碳化硅陶瓷
(366505480152)在含氢环境中超高纯碳化硅晶体的生长
(366501830153)利用注入和横向扩散制造碳化硅功率器件的自对准方法
(366505340154)用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置
(366502200155)一种高压氢还原法制备镍包碳化硅复合粉末的方法
(366504200156)碳化硅刚玉浇注料
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(366504210158)纳米碳化硅颗粒增强镍基复合材料的复合电铸制备方法
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(366500680179)碳化硅超快速高温整流二极管
(366505920180)生长非常均匀的碳化硅外延层
(366503600181)黑色碳化硅冶炼降低单位耗料的工艺
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(366506660184)中体积分数铝碳化硅金属基复合材料组合物及制备产品的方法
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(366500200187)来自苛性生物质灰分溶液的有或没有沉积碳的沉淀二氧化硅和硅胶以及制法
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(简介)本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法，其能快速、稳定和连续地生长高质量碳化硅单晶，并既能增加块状单晶尺寸又能提高薄膜单晶质量，该方法包括：从底部按顺序堆叠碳化硅源材料棒、溶剂、晶种和在其底端支撑晶种的支撑棒，以形成柱状工件，加热作为柱状工件底端的源材料棒底端，并冷却作为柱状工件顶端的支撑棒顶端，以在柱状工件内部形成温度梯度，从而使溶剂的顶端面温度变得比底端面低；并使得碳化硅单晶从晶种开始，连续向下生长，其中所述方法还包括使用内圆筒形基座以紧密环绕柱状工件的外圆周。
(366504740002)一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
(简介)一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置，特别涉及一种基于铜螺旋管射频加热的竖直式冷壁高温大功率碳化硅(sic)外延材料制造装置。该装置，包括双层石英外延生长室、样品交接室、样品传递与支撑装置、波纹管调节器、插板隔断阀，其双层石英外延生长室、插板隔断阀、样品交接室、波纹管调节器、以及样品传递与支撑架上下依次连接在一条垂直轴线上；样品传递与支撑架位于共同垂直轴线上。本发明采用了竖直结构的水冷双层石英生长室，具有轴对称性，易于控制气流状态，加热效率高，不发生辉光现象；且可扩展性强，通过增大石英管的直径，可以外延生长尺寸更大或小尺寸多片的碳化硅(sic)外延材料。
(366503900003)从含碳化硅炉渣中提取碳化硅的方法
(简介)本发明公开了一种从含sic炉渣中提取碳化硅的方法，其特征在于：用5～10％重量％稀酸溶液和(或)20—50％(重量％)稀碱溶液溶除炉渣中mg、ca、fe、si等杂质，然后用清水洗净游离酸(或碱)及可溶性无机盐类，经脱水、干燥。本发明用简单的工艺、较低的成本，从弃的炉渣中提取价值较高碳化硅材料。
(366506940004)使用原子氧在碳化硅层上制造氧化层的方法
(简介)公开了在碳化硅层上形成氧化层的方法，包括将碳化硅层放置在基本没有金属杂质的腔室中；将腔室的大气加热到大约500℃到大约1300℃的温度；在腔室中引入原子氧；以及使原子氧流过碳化硅层的表面，从而在碳化硅层上形成氧化层。在一些实施例中，引入原子氧包括在腔室中提供源氧化物；以及使氮气和氧气的混合物流过源氧化物。源氧化物可以包括铝的氧化物或诸如氧化锰的另一源氧化物。一些方法包括在碳化硅层上形成氧化层并且在包含原子氧的大气中退火氧化层。
(366506670005)氧化铝纳米棒增韧碳化硅陶瓷制造方法
(简介)本发明提供一种氧化铝纳米棒增韧碳化硅陶瓷制造方法，属于陶瓷领域。用长径比很高的晶须、纤维进行碳化硅陶瓷增韧所带来的主要问题是，原料的均匀混合比较困难，并且，所用晶须、纤维类增韧物料价格较高，本发明旨在缓解上述技术问题。本发明的优点是，提供了一种晶须、纤维之外的有益的碳化硅陶瓷增韧方法，本发明的方案是用棒状氧化铝纳米粉作为增韧料，棒状氧化铝纳米粉相对廉价，并且，短棒状的小颗粒的氧化铝纳米棒易于与其它物料均匀混合。本发明的方案兼顾利用热膨胀失配诱发微裂纹、裂纹偏转、裂纹桥联、拔出效应以及晶粒细化等有益的增韧因素。
(366506070006)非圆形截面碳化硅纤维及其制备方法
(简介)本发明公开了非圆形截面碳化硅纤维及其制备方法。非圆形截面碳化硅纤维是以分子量为1200-1700的先驱体聚碳硅烷为原料，采用条形、五叶形或扇形孔喷丝板，经熔融纺丝制备而成，其纤维的截面形状为条形、五叶形或扇形，在x波段，三种异形纤维的磁损耗为零，条形纤维的介电损耗正切值tanδ为0.41~0.49，五叶形纤维的介电损耗正切值tanδ为0.24~0.32，扇形纤维的介电损耗正切值tanδ为0.46~0.59；三种异形纤维的介电常数实部和虚部值随频率的增加而减小，频响效应较好，可以作为性能优异的结构吸波材料；纤维可连续纺丝，可以实现工业化。
(366501310007)碳化硅衬底及其制造方法以及使用碳化硅衬底的半导体元件
(简介)在衬底1的碳化硅晶体生长表面1a中，一边保持硅原子2相对于碳原子处于过剩状态，一边利用mbe法等使碳化硅薄膜进行外延生长。由此，可在低温下以良好的再现性形成结晶性良好的碳化硅衬底。即使在1300℃以下的低温下也能进行该生长，可形成高浓度掺杂膜·选择生长膜·在六方晶体上的立方晶体碳化硅的生长膜。此外，在六方晶体上使立方晶体碳化硅实现结晶化时，进而使用向（数1）方向倾斜的偏移切割衬底对于防止孪晶的发生是有效的。
(366504720008)含铝连续碳化硅纤维的制备方法
(简介)本发明公开了含铝连续碳化硅(sic)纤维的制备方法。本方法以含有si-si为主链的聚硅烷或聚硅烷共聚物和有机铝络合物为反应物，合成了聚铝碳硅烷。然后经连续纺丝制得聚铝碳硅烷原纤维、原纤维经空气不熔化处理，得到不熔化聚铝碳硅烷纤维。不熔化聚铝碳硅烷纤维经连续烧成或连续烧结制得含铝连续碳化硅纤维。此法制得的含铝连续碳化硅纤维柔顺，黑亮，纤维直径为5～16μm，平均拉伸强度为1.5～3.5gpa，弹性模量为200～430gpa。纤维中铝含量为0.1～5％，具有优良的耐超高温性能、高温抗氧化性能和高温蠕变性能。纤维的各项性能稳定，工艺重复性优良。
(366505540009)锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法
(简介)本发明涉及一种锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法，属于铁电压电材料领域。该材料的组成为：ypb(zrx
(366503570010)铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法
(简介)本发明涉及一种铝电解槽侧墙用氮化硅结合碳化硅耐火砖及其制备方法，属于耐火材料制备技术领域。其特征是在氮化硅结合碳化硅砖的配料过程中把zrb2
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