薄膜等离子体技术、常压等离子体、耦合等离子工艺
0136-0001、等离子体增强沉积薄膜装置的基片台
0042-0002、等离子体处理方法
0015-0003、用于等离子体显示板的电极及其制造方法
0002-0004、等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜
0041-0005、硅氧烷水凝胶接触镜片的等离子体表面处理
0098-0006、利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法
0146-0007、等离子体显示器模块
0045-0008、电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外延系统与技术
0004-0009、等离子体连续聚合处理装置的绝缘结构
0035-0010、可调且可去除的等离子体淀积的抗反射涂层
0111-0011、多功能复合磁控等离子体溅射装置
0093-0012、等离子体显示板的保护膜以及它的制造方法
0021-0013、等离子体薄膜淀积过程的控制
0027-0014、为改善磁控管内等离子体均匀度的多个阳极的使用
0129-0015、微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法
0029-0016、使用低温等离子体工艺提高模具释放效果的方法
0172-0017、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光片
0070-0018、脉冲式等离子体镀膜方法
0037-0019、高密度等离子体化学气相沉积制造介电防反射涂层的方法
0134-0020、介质阻挡放电等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置
0176-0021、等离子体自光极化反应装置
0171-0022、制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的微波等离子体装置
0155-0023、基于等离子体处理的薄膜太阳能电池封装方法
0014-0024、等离子体显示板及其制造方法以及采用它的显示装置
0083-0025、一种磁控等离子体装置
0102-0026、热等离子体雾态气化制备BaxSr1-xTiO3薄膜的方法
0122-0027、薄膜晶体管或等离子体显示应用的平板的制造方法
0059-0028、一种低温常压等离子体改性负载型二氧化钛光催化剂的制备方法
0096-0029、等离子体处理装置及静电吸盘的制造方法
0168-0030、常压等离子体清洗液晶显示玻璃屏表面设备
0138-0031、通过气体分散器的等离子体均匀度控制
0001-0032、半导体薄膜等离子体滤波器的检测方法
0008-0033、外差干涉式表面等离子体波感测装置及方法
0130-0034、用于显示装置的过滤器和包括过滤器的等离子体显示装置
0055-0035、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0151-0036、往返循环跟踪表面等离子体角动态变化的测量方法
0075-0037、纤维及薄膜表面冷等离子体连续处理设备
0031-0038、等离子体增强化学汽相淀积装置和进行所述淀积的方法
0153-0039、常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法
0128-0040、用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置
0043-0041、用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜
0118-0042、利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法
0165-0043、高分子材料表面改性等离子体处理装置
0030-0044、半导体器件的等离子体处理方法及制造方法
0020-0045、用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法
0109-0046、用于大区域等离子体加强化学气相沉积的气体扩散喷头
0011-0047、电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其制造方法
0143-0048、等离子体显示板电极的薄膜光刻制造方法及其产品
0074-0049、新型等离子体成像仪
0012-0050、液相源雾化微波等离子体化学气相沉积制备薄膜的方法
0033-0051、微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
0064-0052、等离子体显示器滤光板及使用该滤光板的显示器
0005-0053、用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2-x薄膜的方法及其应用
0052-0054、一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器
0159-0055、直流磁过滤阴极真空弧等离子体源
0152-0056、等离子体刻蚀系统
0101-0057、透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备
0039-0058、溅射铜用自离化的等离子体
0100-0059、用等离子体技术制备透明低阻，高阻复合膜
0006-0060、一种利用等离子体技术的金属抗腐蚀处理方法
0110-0061、波长可调谐表面等离子体激元谐振传感器
0137-0062、电化学原位时间分辨表面等离子体共振测量仪
0169-0063、真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机
0046-0064、使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法
0010-0065、光固化性组合物以及使用其形成黑色图案的等离子体显示板
0149-0066、低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法
0163-0067、等离子体源增强沉积设备
0161-0068、等离子体放电处理装置
0061-0069、利用图案掩模的等离子体蚀刻法
0144-0070、等离子体溅射成膜方法及成膜装置
0018-0071、等离子体照相的新型记录片
0034-0072、用于电弧等离子体沉积设备的喷嘴式喷射器
0036-0073、工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积工模具表面强化设备
0145-0074、以等离子体增强化学气相沉积制造具低应力的低K值介电质的低温工艺
0154-0075、无声放电式等离子体装置
0090-0076、等离子体处理的金属化膜
0113-0077、表面等离子体增强型只读式超分辨数字光盘
0049-0078、一种等离子体增强非平衡磁控溅射方法
0133-0079、利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜
0023-0080、应用微波等离子体CVD连续形成大面积实用淀积薄膜的方法和装置
0124-0081、微波等离子体处理方法
0073-0082、视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源
0053-0083、等离子体镀膜装置及其镀膜方法
0177-0084、等离子体化学气相淀积装置
0132-0085、用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
0095-0086、等离子体显示板滤光片
0071-0087、纳米晶硅的等离子体沉积方法
0079-0088、常压低温等离子体产生装置
0126-0089、紫外(UV、和等离子体辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD、系统
0063-0090、检测反应腔室内等离子体分布密度的方法
0094-0091、等离子体显示屏及其制造方法
0119-0092、微波等离子体处理装置和等离子体处理用气体供给构件
0099-0093、MSQ-基多孔低-K薄膜材料的等离子体固化
0057-0094、高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环
0082-0095、一种等离子体磁场过滤装置
0065-0096、等离子体显示器滤光片及使用该滤光片的显示器
0069-0097、在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术
0106-0098、实施等离子体-支持工艺的装置
0013-0099、等离子体工艺设备的腔体腐蚀
0086-0100、具有用于驱动器集成电路的散热结构的等离子体显示装置
0024-0101、微波等离子体的产生方法和装置
0167-0102、常压低温冷等离子体放电通道装置
0162-0103、一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法
0091-0104、等离子体分解法制备类金刚石薄膜的方法及其装置
0007-0105、精密叶片热锻模具PCVD等离子体渗镀复合强化方法
0066-0106、一种等离子体显示屏障壁浆料的制备方法
0097-0107、等离子体显示器面板、其制造方法及转印薄膜
0150-0108、等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构
0156-0109、用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制
0060-0110、表面等离子体共振和石英晶体微天平传感器
0058-0111、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0175-0112、等离子体显示器滤光板及使用该滤光板的显示器
0068-0113、等离子体自光极化反应装置及其方法
0009-0114、薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置
0135-0115、用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法
0108-0116、在SHF放电等离子体中从气相沉积金刚石薄膜的高速方法和实施所述方法的装置
0127-0117、等离子体增强薄膜沉积方法及装置
0028-0118、等离子体加工方法和等离子体加工装置
0158-0119、用于监控等离子体的方法、用于实施该方法的装置、该方法用于将薄膜淀积到PET中空体上的用途
0142-0120、用于石英光掩模等离子体蚀刻的方法
0051-0121、微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备
0120-0122、用于较低EOT等离子体氮化的栅电介质的两步后氮化退火
0105-0123、利用纳米金颗粒催化增长提高表面等离子体共振传感器灵敏度的方法
0116-0124、等离子体显示模块及包括它的等离子体显示设备
0038-0125、基底电极等离子体发生装置及使用该装置处理物质和材料的方法
0003-0126、负压等离子体装置及负压等离子体清洗方法
0076-0127、用于制膜设备的多用途等离子体喷*
0121-0128、利用纳米等离子体的冷冻与空调用金属材料及其制造方法
0089-0129、等离子体显示装置和载带封装及其制造方法
0017-0130、纤维、织物及薄膜表面冷等离子体连续处理工艺
0022-0131、等离子体加工方法及其产品
0160-0132、使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积薄膜的方法
0062-0133、通过表面波等离子体形成蒸镀膜的方法及装置
0178-0134、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0056-0135、等离子体显示面板
0016-0136、等离子体显示板
0044-0137、具有高角度分辨率和快响应时间的表面等离子体共振检测
0174-0138、等离子体显示器滤光片及使用该滤光片的显示器
0148-0139、电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
0026-0140、多等离子体束溅射共沉积装置
0131-0141、用脉冲射频等离子体控制薄膜制备中的尘埃颗粒的方法
0084-0142、等离子体增强式化学气相沉积处理方法
0157-0143、表面等离子体激元慢光陀螺及其制备方法
0115-0144、直流辉光等离子体化学气相沉积氧化锌薄膜的系统及制备工艺
0080-0145、一种电感耦合射频等离子体辅助钨丝加热制备薄膜的化学气相沉积装置
0166-0146、制备碳纳米管薄膜的等离子体增强光热化学气相沉积设备
0019-0147、大分子物质为单体源的等离子体聚合
0087-0148、微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法
0117-0149、利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法
0077-0150、塑料薄膜等离子体表面改性装置
0054-0151、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光片
0104-0152、顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法
0092-0153、等离子体CVD法及其装置
0114-0154、用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2-x薄膜的方法及其应用
0170-0155、直流辉光等离子体气相沉积装置
0173-0156、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0025-0157、等离子体汽相沉积设备
0088-0158、等离子体CVD薄膜形成设备以及制造镀覆有CVD薄膜的塑料容器的方法
0067-0159、超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法
0125-0160、用于等离子体显示板(PDP、背面板的柔性模具以及模具和背面板的保护方法
0164-0161、电磁场约束电感耦合等离子体增强气相沉积薄膜系统
0050-0162、氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
0147-0163、低温等离子体处理装置
0078-0164、一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置
0141-0165、常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO2薄膜的方法
0047-0166、使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置
0040-0167、促进织物与橡胶化合物间粘合的乙烯基化合物等离子体预处理
0139-0168、等离子体显示器基板用电极和，或黑条的制造方法
0072-0169、透明导电氧化物的等离子体沉积方式
0085-0170、等离子体反应用气体、其制备方法和应用
0140-0171、厚膜MgO层的等离子体显示板
0081-0172、基于薄膜金属电极的等离子体显示板
0179-0173、一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板
0103-0174、热等离子体雾态气化制备薄膜的装置
0112-0175、具有较佳沉积再现性的等离子体增强化学气相沉积膜层
0048-0176、防止玻璃裂纹的薄膜状滤光片以及等离子体显示器
0107-0177、以等离子体支持工艺处理带形材料的装置
0123-0178、利用等离子体CVD的成膜方法以及装置
0032-0179、表面等离子体谐振测试仪
购买以上《薄膜等离子体技术、常压等离子体、耦合等离子工艺》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
0042-0002、等离子体处理方法
0015-0003、用于等离子体显示板的电极及其制造方法
0002-0004、等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜
0041-0005、硅氧烷水凝胶接触镜片的等离子体表面处理
0098-0006、利用等离子体化学气相沉积法沉积薄膜的方法
0146-0007、等离子体显示器模块
0045-0008、电子回旋共振微波等离子体增强金属有机化学汽相沉积外延系统与技术
0004-0009、等离子体连续聚合处理装置的绝缘结构
0035-0010、可调且可去除的等离子体淀积的抗反射涂层
0111-0011、多功能复合磁控等离子体溅射装置
0093-0012、等离子体显示板的保护膜以及它的制造方法
0021-0013、等离子体薄膜淀积过程的控制
0027-0014、为改善磁控管内等离子体均匀度的多个阳极的使用
0129-0015、微波等离子体装置及制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的方法
0029-0016、使用低温等离子体工艺提高模具释放效果的方法
0172-0017、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光片
0070-0018、脉冲式等离子体镀膜方法
0037-0019、高密度等离子体化学气相沉积制造介电防反射涂层的方法
0134-0020、介质阻挡放电等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置
0176-0021、等离子体自光极化反应装置
0171-0022、制备金刚石薄膜和刻蚀碳膜的微波等离子体装置
0155-0023、基于等离子体处理的薄膜太阳能电池封装方法
0014-0024、等离子体显示板及其制造方法以及采用它的显示装置
0083-0025、一种磁控等离子体装置
0102-0026、热等离子体雾态气化制备BaxSr1-xTiO3薄膜的方法
0122-0027、薄膜晶体管或等离子体显示应用的平板的制造方法
0059-0028、一种低温常压等离子体改性负载型二氧化钛光催化剂的制备方法
0096-0029、等离子体处理装置及静电吸盘的制造方法
0168-0030、常压等离子体清洗液晶显示玻璃屏表面设备
0138-0031、通过气体分散器的等离子体均匀度控制
0001-0032、半导体薄膜等离子体滤波器的检测方法
0008-0033、外差干涉式表面等离子体波感测装置及方法
0130-0034、用于显示装置的过滤器和包括过滤器的等离子体显示装置
0055-0035、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0151-0036、往返循环跟踪表面等离子体角动态变化的测量方法
0075-0037、纤维及薄膜表面冷等离子体连续处理设备
0031-0038、等离子体增强化学汽相淀积装置和进行所述淀积的方法
0153-0039、常压等离子体气相沉积制备纳米硅基多孔发光材料的方法
0128-0040、用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置
0043-0041、用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜
0118-0042、利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法
0165-0043、高分子材料表面改性等离子体处理装置
0030-0044、半导体器件的等离子体处理方法及制造方法
0020-0045、用等离子体加强氧化硅淀积作用的方法
0109-0046、用于大区域等离子体加强化学气相沉积的气体扩散喷头
0011-0047、电子发射性薄膜和用它的等离子体显示面板及其制造方法
0143-0048、等离子体显示板电极的薄膜光刻制造方法及其产品
0074-0049、新型等离子体成像仪
0012-0050、液相源雾化微波等离子体化学气相沉积制备薄膜的方法
0033-0051、微波等离子体化学气相沉积合成晶相碳氮薄膜
0064-0052、等离子体显示器滤光板及使用该滤光板的显示器
0005-0053、用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2-x薄膜的方法及其应用
0052-0054、一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器
0159-0055、直流磁过滤阴极真空弧等离子体源
0152-0056、等离子体刻蚀系统
0101-0057、透明导电膜的等离子体增强化学气相沉积设备
0039-0058、溅射铜用自离化的等离子体
0100-0059、用等离子体技术制备透明低阻，高阻复合膜
0006-0060、一种利用等离子体技术的金属抗腐蚀处理方法
0110-0061、波长可调谐表面等离子体激元谐振传感器
0137-0062、电化学原位时间分辨表面等离子体共振测量仪
0169-0063、真空弧离子注入与磁过滤等离子体沉积复合机
0046-0064、使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法
0010-0065、光固化性组合物以及使用其形成黑色图案的等离子体显示板
0149-0066、低等离子体诱生损伤的硅化物制备方法
0163-0067、等离子体源增强沉积设备
0161-0068、等离子体放电处理装置
0061-0069、利用图案掩模的等离子体蚀刻法
0144-0070、等离子体溅射成膜方法及成膜装置
0018-0071、等离子体照相的新型记录片
0034-0072、用于电弧等离子体沉积设备的喷嘴式喷射器
0036-0073、工业型脉冲直流等离子体化学气相沉积工模具表面强化设备
0145-0074、以等离子体增强化学气相沉积制造具低应力的低K值介电质的低温工艺
0154-0075、无声放电式等离子体装置
0090-0076、等离子体处理的金属化膜
0113-0077、表面等离子体增强型只读式超分辨数字光盘
0049-0078、一种等离子体增强非平衡磁控溅射方法
0133-0079、利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜
0023-0080、应用微波等离子体CVD连续形成大面积实用淀积薄膜的方法和装置
0124-0081、微波等离子体处理方法
0073-0082、视线外磁过滤金属蒸气真空弧等离子体沉积源
0053-0083、等离子体镀膜装置及其镀膜方法
0177-0084、等离子体化学气相淀积装置
0132-0085、用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
0095-0086、等离子体显示板滤光片
0071-0087、纳米晶硅的等离子体沉积方法
0079-0088、常压低温等离子体产生装置
0126-0089、紫外(UV、和等离子体辅助金属有机化学气相沉积(MOCVD、系统
0063-0090、检测反应腔室内等离子体分布密度的方法
0094-0091、等离子体显示屏及其制造方法
0119-0092、微波等离子体处理装置和等离子体处理用气体供给构件
0099-0093、MSQ-基多孔低-K薄膜材料的等离子体固化
0057-0094、高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环
0082-0095、一种等离子体磁场过滤装置
0065-0096、等离子体显示器滤光片及使用该滤光片的显示器
0069-0097、在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术
0106-0098、实施等离子体-支持工艺的装置
0013-0099、等离子体工艺设备的腔体腐蚀
0086-0100、具有用于驱动器集成电路的散热结构的等离子体显示装置
0024-0101、微波等离子体的产生方法和装置
0167-0102、常压低温冷等离子体放电通道装置
0162-0103、一种表面等离子体共振成像纳米结构阵列芯片的制备方法
0091-0104、等离子体分解法制备类金刚石薄膜的方法及其装置
0007-0105、精密叶片热锻模具PCVD等离子体渗镀复合强化方法
0066-0106、一种等离子体显示屏障壁浆料的制备方法
0097-0107、等离子体显示器面板、其制造方法及转印薄膜
0150-0108、等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构
0156-0109、用于等离子体增强型化学气相沉积工艺的等离子体感应电荷损坏的控制
0060-0110、表面等离子体共振和石英晶体微天平传感器
0058-0111、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0175-0112、等离子体显示器滤光板及使用该滤光板的显示器
0068-0113、等离子体自光极化反应装置及其方法
0009-0114、薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置
0135-0115、用弧光放电等离子体化学气相沉淀法在金刚石表面制备半导体材料的方法
0108-0116、在SHF放电等离子体中从气相沉积金刚石薄膜的高速方法和实施所述方法的装置
0127-0117、等离子体增强薄膜沉积方法及装置
0028-0118、等离子体加工方法和等离子体加工装置
0158-0119、用于监控等离子体的方法、用于实施该方法的装置、该方法用于将薄膜淀积到PET中空体上的用途
0142-0120、用于石英光掩模等离子体蚀刻的方法
0051-0121、微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备
0120-0122、用于较低EOT等离子体氮化的栅电介质的两步后氮化退火
0105-0123、利用纳米金颗粒催化增长提高表面等离子体共振传感器灵敏度的方法
0116-0124、等离子体显示模块及包括它的等离子体显示设备
0038-0125、基底电极等离子体发生装置及使用该装置处理物质和材料的方法
0003-0126、负压等离子体装置及负压等离子体清洗方法
0076-0127、用于制膜设备的多用途等离子体喷*
0121-0128、利用纳米等离子体的冷冻与空调用金属材料及其制造方法
0089-0129、等离子体显示装置和载带封装及其制造方法
0017-0130、纤维、织物及薄膜表面冷等离子体连续处理工艺
0022-0131、等离子体加工方法及其产品
0160-0132、使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积薄膜的方法
0062-0133、通过表面波等离子体形成蒸镀膜的方法及装置
0178-0134、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0056-0135、等离子体显示面板
0016-0136、等离子体显示板
0044-0137、具有高角度分辨率和快响应时间的表面等离子体共振检测
0174-0138、等离子体显示器滤光片及使用该滤光片的显示器
0148-0139、电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
0026-0140、多等离子体束溅射共沉积装置
0131-0141、用脉冲射频等离子体控制薄膜制备中的尘埃颗粒的方法
0084-0142、等离子体增强式化学气相沉积处理方法
0157-0143、表面等离子体激元慢光陀螺及其制备方法
0115-0144、直流辉光等离子体化学气相沉积氧化锌薄膜的系统及制备工艺
0080-0145、一种电感耦合射频等离子体辅助钨丝加热制备薄膜的化学气相沉积装置
0166-0146、制备碳纳米管薄膜的等离子体增强光热化学气相沉积设备
0019-0147、大分子物质为单体源的等离子体聚合
0087-0148、微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法
0117-0149、利用等离子体的金属的耐腐蚀处理方法
0077-0150、塑料薄膜等离子体表面改性装置
0054-0151、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光片
0104-0152、顺次多种等离子体处理碳纳米管薄膜表面形貌的方法
0092-0153、等离子体CVD法及其装置
0114-0154、用等离子体浸没离子注入方法在材料表面形成TiO2-x薄膜的方法及其应用
0170-0155、直流辉光等离子体气相沉积装置
0173-0156、等离子体显示器的具有防电磁辐射及滤光功能的滤光板
0025-0157、等离子体汽相沉积设备
0088-0158、等离子体CVD薄膜形成设备以及制造镀覆有CVD薄膜的塑料容器的方法
0067-0159、超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法
0125-0160、用于等离子体显示板(PDP、背面板的柔性模具以及模具和背面板的保护方法
0164-0161、电磁场约束电感耦合等离子体增强气相沉积薄膜系统
0050-0162、氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备二氧化硅薄膜的方法
0147-0163、低温等离子体处理装置
0078-0164、一种沉积高质量薄膜低温等离子体装置
0141-0165、常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TiO2薄膜的方法
0047-0166、使用脉动宽带光源原位监测等离子体刻蚀和淀积工艺的方法和装置
0040-0167、促进织物与橡胶化合物间粘合的乙烯基化合物等离子体预处理
0139-0168、等离子体显示器基板用电极和，或黑条的制造方法
0072-0169、透明导电氧化物的等离子体沉积方式
0085-0170、等离子体反应用气体、其制备方法和应用
0140-0171、厚膜MgO层的等离子体显示板
0081-0172、基于薄膜金属电极的等离子体显示板
0179-0173、一种用于等离子体增强化学气相沉积的进气电极板
0103-0174、热等离子体雾态气化制备薄膜的装置
0112-0175、具有较佳沉积再现性的等离子体增强化学气相沉积膜层
0048-0176、防止玻璃裂纹的薄膜状滤光片以及等离子体显示器
0107-0177、以等离子体支持工艺处理带形材料的装置
0123-0178、利用等离子体CVD的成膜方法以及装置
0032-0179、表面等离子体谐振测试仪
购买以上《薄膜等离子体技术、常压等离子体、耦合等离子工艺》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
