单晶,单晶生长,*化镓单晶,磁性单晶类技术资料
SY5786-0116-0001、 制备单晶用的带过滤器的坩埚
摘要、 本实用新型设计了一种特别适合制备ＧａＳｂ单晶体用的坩埚。这种坩埚由坩埚主体和过滤器组成。过滤器的底部有若干小孔，端部有挂把，在使用中可方便地将过滤器放入主体内及从主体内提起取出。为了提高过滤的效果，还可在过滤器的底部加设滤体。使用这类坩埚可方便地去除熔体表面的浮渣，从而制成优质的单晶体。
SY5786-0022-0002、 CdTe单晶和CdTe多晶及其制备方法
摘要、 晶体中的氯浓度为0.1-5.0ppmwt、室温下的电阻率为1.0×109Ω·cm或以上的CdTe单晶；和制备所述CdTe单晶的方法该方法包括以掺杂了50-200ppmwt氯的CdTe多晶为原料，通过垂直温度梯度凝固法、水平温度梯度凝固法、垂直布里奇曼法、水平布里奇曼法和液封直拉法的任一种方法使晶体生长。
SY5786-0099-0003、 掺钛铝酸锂晶片的制备方法
一种用于GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片的制备方法包括下列步骤：①采用提拉法生长含有四价钛的掺钛铝酸锂晶体，即Ti4+:LiAlO2；②制片：将晶体切片并在富锂的气氛中利用气相传输平衡法进行处理。经测试，该Ti4+:LiAlO2晶片的热稳定性和抗水解性能明显优于纯铝酸锂晶片，是一种质量较高，尺寸较大的适用作GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片。
SY5786-0017-0004、 掺钕硼酸钇锶激光晶体
摘要、 本发明涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体材料掺钕硼酸钇锶Nd:Sr3Y2(BO3、4及其制备方法。采用提拉法生长掺钕硼酸钇锶单晶，其生长温度为1313～1358℃，拉速为0.5～2mm，h，晶转15～30rmp，可生长出高质量、大尺寸的掺钕硼酸钇锶激光晶体。该晶体用于固体激光器中作为激光工作物质，使用闪光灯或激光二极管(LD、作为泵浦源，激发产生1060nm波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域。
SY5786-0075-0005、 纳米晶钛酸锶钡的微波水热合成方法
摘要、 本发明涉及一种纳米晶钛酸锶钡的微波水热合成方法该方法是以*、*锶、钛酸四丁脂和*为原料，按化学式Ba1-XSrXTiO3配制溶液，将配好的钛液与钡锶溶液和*溶液混合后转入微波反应组罐进行密封，经过微波水热反应后，所得产物经过洗涤、干燥，得到纳米钛酸锶钡粉体；从而克服了目前纳米钛酸锶钡粉体制备工艺中存在的不足。该方法具有反应时间短，工艺流程简单，结晶完好、粒度分布均匀等特点。
SY5786-0146-0006、 一种薄膜晶体生长装置
摘要、 本实用新型提供一种改进的具有二个生长腔体的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置由气体供给部分、尾气处理部分、电子控制部分、安全报警部分、反应生长腔体及加热部分组成。其特点是：一个腔体为倒置式生长结构，采用高频加热方式；另一个腔体为正置式具有衬底旋转的生长结构，采用平板电阻丝加热方式。反应室二个生长腔体通过气体分配器进行切换。
SY5786-0193-0007、 内层透明电弧石英坩埚熔制机
摘要、 本实用新型涉及一种里层为透明层，外层为半透明层的内层透明电弧石英坩埚熔制机，属采用真空电弧离心法生产半导体用石英坩埚的熔制设备领域。它由“三高”石墨电极、石墨模、水冷套、多孔石墨底座、不锈钢座、倾动台、电机、带轮、旋转轴及真空管道组成。它是采用将高纯石英粉在真空状态下熔制，使气泡往外排出，使得熔制的石英玻璃气泡少而呈透明。解决了目前国内含有气泡的不透明石英坩埚，由于气泡内含有CO2、H2、O2、N2、CH4、H2O等气体，拉制出的单晶硅质量达不到标准的要求，且不能拉制出大规模集成电路用单晶硅的问题，且结构简单，生产的坩埚产品内层为透明层，使得拉制单晶硅时减少了单晶硅中的氧含量及微缺陷。适用于各种硅片及彩色荧光粉等的生产使用。
SY5786-0159-0008、 蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室
摘要、 本实用新型属于生物化学仪器设备，所提供的一种蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室，包括结晶室体和结晶室座。结晶室体上有一蛋白质池，蛋白质池的底面为圆柱面的一部分，结晶室座上有两个外液池，一中空的汽室板盖在结晶室座上使蛋白质池和外液池空间相通形成汽室，外液池上部设有金属电极，底部连通进出液管。结晶室座上还有垂直交叉的测温孔和通光槽。本实用新型具有结构新颖紧凑、功能齐全、便于调整和更换的优点。
SY5786-0113-0009、 适用于半导体晶体生长的双温加热炉
摘要、 一种适用于半导体晶体生长的双温加热炉，采用微机自动控温，在主温区温度变化过程中，副温区的位置和坪长能保持恒定，或者当主、副温区温度同时按预定的要求变化时，主温区和副温区的坪的位置和长度均保持不变。应用于半导体晶体材料合成、加热退火、扩散、薄膜生长等具有控温准确，成品率高，重复性好等优点。
SY5786-0089-0010、 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
摘要、 一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB2(其中，X为Zr或Ti、单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB2单晶衬底1的面取向为(0001、面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10-10、面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10-10、面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。
SY5786-0175-0011、 大型溶液法晶体培养缸
SY5786-0163-0012、 籽晶杆装置
SY5786-0047-0013、 用于生长Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶体的装置
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SY5786-0026-0015、 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
SY5786-0049-0016、 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
SY5786-0034-0017、 共掺钠和镱氟化钙激光晶体及其生长方法
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SY5786-0151-0020、 批量生产CVD金刚石片的灯丝工装
SY5786-0030-0021、 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
SY5786-0037-0022、 具有磁场可控的双向形状记忆效应的磁性单晶及制备方法
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摘要、 晶体中的氯浓度为0.1-5.0ppmwt、室温下的电阻率为1.0×109Ω·cm或以上的CdTe单晶；和制备所述CdTe单晶的方法该方法包括以掺杂了50-200ppmwt氯的CdTe多晶为原料，通过垂直温度梯度凝固法、水平温度梯度凝固法、垂直布里奇曼法、水平布里奇曼法和液封直拉法的任一种方法使晶体生长。
SY5786-0099-0003、 掺钛铝酸锂晶片的制备方法
一种用于GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片的制备方法包括下列步骤：①采用提拉法生长含有四价钛的掺钛铝酸锂晶体，即Ti4+:LiAlO2；②制片：将晶体切片并在富锂的气氛中利用气相传输平衡法进行处理。经测试，该Ti4+:LiAlO2晶片的热稳定性和抗水解性能明显优于纯铝酸锂晶片，是一种质量较高，尺寸较大的适用作GaN基衬底的掺钛铝酸锂晶片。
SY5786-0017-0004、 掺钕硼酸钇锶激光晶体
摘要、 本发明涉及人工晶体领域，特别是涉及一种激光晶体材料掺钕硼酸钇锶Nd:Sr3Y2(BO3、4及其制备方法。采用提拉法生长掺钕硼酸钇锶单晶，其生长温度为1313～1358℃，拉速为0.5～2mm，h，晶转15～30rmp，可生长出高质量、大尺寸的掺钕硼酸钇锶激光晶体。该晶体用于固体激光器中作为激光工作物质，使用闪光灯或激光二极管(LD、作为泵浦源，激发产生1060nm波长的激光输出。用该晶体制成的固体激光器用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域。
SY5786-0075-0005、 纳米晶钛酸锶钡的微波水热合成方法
摘要、 本发明涉及一种纳米晶钛酸锶钡的微波水热合成方法该方法是以*、*锶、钛酸四丁脂和*为原料，按化学式Ba1-XSrXTiO3配制溶液，将配好的钛液与钡锶溶液和*溶液混合后转入微波反应组罐进行密封，经过微波水热反应后，所得产物经过洗涤、干燥，得到纳米钛酸锶钡粉体；从而克服了目前纳米钛酸锶钡粉体制备工艺中存在的不足。该方法具有反应时间短，工艺流程简单，结晶完好、粒度分布均匀等特点。
SY5786-0146-0006、 一种薄膜晶体生长装置
摘要、 本实用新型提供一种改进的具有二个生长腔体的金属有机化合物气相沉积薄膜晶体生长装置由气体供给部分、尾气处理部分、电子控制部分、安全报警部分、反应生长腔体及加热部分组成。其特点是：一个腔体为倒置式生长结构，采用高频加热方式；另一个腔体为正置式具有衬底旋转的生长结构，采用平板电阻丝加热方式。反应室二个生长腔体通过气体分配器进行切换。
SY5786-0193-0007、 内层透明电弧石英坩埚熔制机
摘要、 本实用新型涉及一种里层为透明层，外层为半透明层的内层透明电弧石英坩埚熔制机，属采用真空电弧离心法生产半导体用石英坩埚的熔制设备领域。它由“三高”石墨电极、石墨模、水冷套、多孔石墨底座、不锈钢座、倾动台、电机、带轮、旋转轴及真空管道组成。它是采用将高纯石英粉在真空状态下熔制，使气泡往外排出，使得熔制的石英玻璃气泡少而呈透明。解决了目前国内含有气泡的不透明石英坩埚，由于气泡内含有CO2、H2、O2、N2、CH4、H2O等气体，拉制出的单晶硅质量达不到标准的要求，且不能拉制出大规模集成电路用单晶硅的问题，且结构简单，生产的坩埚产品内层为透明层，使得拉制单晶硅时减少了单晶硅中的氧含量及微缺陷。适用于各种硅片及彩色荧光粉等的生产使用。
SY5786-0159-0008、 蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室
摘要、 本实用新型属于生物化学仪器设备，所提供的一种蛋白质晶体生长用可调式汽相扩散法结晶室，包括结晶室体和结晶室座。结晶室体上有一蛋白质池，蛋白质池的底面为圆柱面的一部分，结晶室座上有两个外液池，一中空的汽室板盖在结晶室座上使蛋白质池和外液池空间相通形成汽室，外液池上部设有金属电极，底部连通进出液管。结晶室座上还有垂直交叉的测温孔和通光槽。本实用新型具有结构新颖紧凑、功能齐全、便于调整和更换的优点。
SY5786-0113-0009、 适用于半导体晶体生长的双温加热炉
摘要、 一种适用于半导体晶体生长的双温加热炉，采用微机自动控温，在主温区温度变化过程中，副温区的位置和坪长能保持恒定，或者当主、副温区温度同时按预定的要求变化时，主温区和副温区的坪的位置和长度均保持不变。应用于半导体晶体材料合成、加热退火、扩散、薄膜生长等具有控温准确，成品率高，重复性好等优点。
SY5786-0089-0010、 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
摘要、 一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB2(其中，X为Zr或Ti、单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB2单晶衬底1的面取向为(0001、面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10-10、面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10-10、面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。
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