单晶,硅单晶制造,态单晶,单晶膜类技术资料
SY5787-0091-0001、 硅单晶的生产方法及装置、硅单晶和硅半导体晶片
摘要、 本发明涉及一种根据左科拉斯基法自保持在转动坩埚内的熔体中抽拉出单晶以生产硅单晶的方法该单晶在一生长结晶面处生长，并通过一流向生长结晶面的热通量将热量特意地供给至生长结晶面的中心。本发明还涉及硅单晶，该硅单晶的氧含量为4×1017厘米-3至7.2×1017厘米-3、硼或磷的径向浓度变化低于5％并无聚集的固有点缺陷，并涉及由该硅单晶分离出来的半导体晶片、以聚集的空位缺陷(COPs、作为唯一的固有点缺陷类型的半导体晶片、以及具有特定其它缺陷分布的半导体晶片。
SY5787-0115-0002、 采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置
摘要、 本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置经该方法沉积出的ZnO一维晶须材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征；与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是，该技术采用沿基片法向方向垂直沉积金属有机物，在垂直于基片的方向上形成一定的浓度梯度和温度梯度，使得材料在此方向上的生长速度较快有利于一维晶须的形成和生长；制备得到的ZnO晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列；该装置中喷嘴装置可以同时进行三种不同的金属有机物掺混沉积，用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。
SY5787-0099-0003、 制造埋入的绝缘层型的单晶碳化晶基体用的方法和设备
本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。
SY5787-0145-0004、 氧化物高温超导体及其制备方法
摘要、 本发明公开了在介电常数低的晶体基质上形成结晶完整度高、结晶取向性优良的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体，以及制备这样的氧化物高温超导体的方法。在制造在晶体基质上形成有含有Ba作为其构成元素的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体的过程中，在蓝宝石R(1，-10，2、晶面基质上形成由CeO3组成的、用于减少蓝宝石R(1，-10，2、晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层，在由CeO3制成的第一缓冲层上形成由其中的Ba被Sr取代的所述氧化物高温超导材料组成的第二缓冲层，以便在第二缓冲层上形成氧化物高温超导体薄膜。这样，即便用于减少蓝宝石R(1，-10，2、晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层容易与氧化物高温超导体薄膜中的Ba发生界面反应，第二缓冲层也能防止该界面反应，由此能够外延生长出结晶完整度和结晶取向性均优良的氧化物高温超导体薄膜。
SY5787-0008-0005、 由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
摘要、 用于在拉晶装置中由多晶硅制备熔化的硅熔体的方法和装置要求装入坩埚中的多晶硅装置少于要熔化的预定的多晶硅总量。将坩埚加热，以便在坩埚中形成具有暴露于熔化的硅的上表面之上的未熔化的多晶硅岛的部分熔化的装料。从加料器将粒状多晶硅加到未熔化的多晶硅岛上，直至已将预定的多晶硅总量装入坩埚为止。随着将粒状多晶硅加到上述岛上，用电子学方法确定该岛相对于坩埚侧壁的位置。根据所确定的该岛相对于坩埚侧壁的位置控制从加料器将粒状多晶加到未熔化的多晶硅岛上的加料速率。
SY5787-0078-0006、 掺铈铝酸钇晶体的生长方法
摘要、 一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法包括下列步骤：按反应方程式Al2O3+(1-x-y、Y2O3+2xCeO2+ySc2O3＝2Y1-x-yCexScyAlO3+x，2O2其中0.2％≤x≤2.0％，x≤y≤3x。先选定x和y，再按相应的摩尔百分比称取原料Y2O3Sc2O3，Al2O3，CeO2；将原料机械混合均匀后，用压料机在20kg，cm2的压力下压制成块，然后在1000℃下烧结10小时，装炉，抽真空，充高纯氮气，升温熔化，生长晶体。生长晶体后，缓慢降至室温，取出晶体。晶体无色透明完整，晶体的位错密度为102-104，cm2，晶体的闪烁性能提高5-15％。
SY5787-0109-0007、 一种碳化硅晶体生长装置
摘要、 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。
SY5787-0116-0008、 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
摘要、 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。
SY5787-0153-0009、 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法
摘要、 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，属于晶体材料技术领域。原料摩尔比为Li2CO3、，Nb2O5、＝48～58∶42～50，可掺杂钙、钡、锶、锌、铟、铁、钴、铜、锰、铈、镱、铬、钕或铒的氧化物中的一种或几种，在熔融状态下，利用提拉法生长。本发明的铌酸锂晶体所制作的电光Q开关具有良好的温度稳定性，即在环境温度-40℃和50℃的条件下及温度变化情况下，晶体的椭圆度系数、对比度系数及电光系数均不发生明显变化，在-40℃～50℃的温度区间均能实现稳定开关。本发明的方法易于得到大块优质单晶体。
SY5787-0040-0010、 通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器
摘要、 本发明描述了一种在固体衬底上进行沉积的CVD反应器以及一种在晶片上沉积外延层的相关方法。在本发明的反应器中，晶片托架(110、在装载位置(L、和沉积位置(D、之间进行迁移。在沉积位置晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴(120、的顶端上，而不设置中间基座。本发明的反应器可以处理单个晶片或者同时处理多个晶片。本发明同样描述了本发明的几个实施例和变型。本发明的一个变型使了晶片支撑组件通过主轴(500、的热损耗降低并且为此提供了一新颖的加热结构。本发明的优点包括更短的反应器周期、更低的成本和部件更长的寿命，还有更好的温度控制。
SY5787-0020-0011、 生长球冠形异型晶体用组合式坩埚
SY5787-0136-0012、 用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗
SY5787-0143-0013、 生长碲锰汞晶体的方法
SY5787-0065-0014、 一种用于*化镓单晶生长光学测径的方法
SY5787-0090-0015、 经电解精炼的高纯度石英坩埚及其制造方法和拉制方法
SY5787-0168-0016、 一种制取氧化锌晶须的方法
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SY5787-0024-0021、 铝酸镁尖晶石晶体的生长方法
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摘要、 本发明涉及一种根据左科拉斯基法自保持在转动坩埚内的熔体中抽拉出单晶以生产硅单晶的方法该单晶在一生长结晶面处生长，并通过一流向生长结晶面的热通量将热量特意地供给至生长结晶面的中心。本发明还涉及硅单晶，该硅单晶的氧含量为4×1017厘米-3至7.2×1017厘米-3、硼或磷的径向浓度变化低于5％并无聚集的固有点缺陷，并涉及由该硅单晶分离出来的半导体晶片、以聚集的空位缺陷(COPs、作为唯一的固有点缺陷类型的半导体晶片、以及具有特定其它缺陷分布的半导体晶片。
SY5787-0115-0002、 采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置
摘要、 本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置经该方法沉积出的ZnO一维晶须材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征；与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是，该技术采用沿基片法向方向垂直沉积金属有机物，在垂直于基片的方向上形成一定的浓度梯度和温度梯度，使得材料在此方向上的生长速度较快有利于一维晶须的形成和生长；制备得到的ZnO晶须阵列为圆柱状晶须阵列、长锥状晶须阵列、板条状晶须阵列；该装置中喷嘴装置可以同时进行三种不同的金属有机物掺混沉积，用来进行精确的组分掺杂或多组分体系化合物晶须的生长。
SY5787-0099-0003、 制造埋入的绝缘层型的单晶碳化晶基体用的方法和设备
本发明的目的是提供一种制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体用的方法和一种用于实现该方法的制造设备，用于制造在绝缘层接触的界面内具有一较高平面度的一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体。一制造设备A是在一薄膜形成室200内放置一具有一位于一硅基体110上的埋入的绝缘层120和一在这埋入的绝缘层120上形成的一表面硅层130的SOI基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体之后制造一埋入的绝缘层型单晶碳化硅基体的一设备，它包括：其中放置SOI基体100的薄膜形成室200；用于供应制造一埋入的绝缘层型半导体碳化硅基体所要求的多种气体进入薄膜形成室200的一气体供应装置300；用红外线I辐射SOI基体100的表面硅层130的一红外线辐射装置400；以及，用于控制气体供应装置300和红外线辐射装置400的一控制部分500。
SY5787-0145-0004、 氧化物高温超导体及其制备方法
摘要、 本发明公开了在介电常数低的晶体基质上形成结晶完整度高、结晶取向性优良的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体，以及制备这样的氧化物高温超导体的方法。在制造在晶体基质上形成有含有Ba作为其构成元素的氧化物高温超导体薄膜的氧化物高温超导体的过程中，在蓝宝石R(1，-10，2、晶面基质上形成由CeO3组成的、用于减少蓝宝石R(1，-10，2、晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层，在由CeO3制成的第一缓冲层上形成由其中的Ba被Sr取代的所述氧化物高温超导材料组成的第二缓冲层，以便在第二缓冲层上形成氧化物高温超导体薄膜。这样，即便用于减少蓝宝石R(1，-10，2、晶面基质与氧化物高温超导体薄膜之间的晶格失配的第一缓冲层容易与氧化物高温超导体薄膜中的Ba发生界面反应，第二缓冲层也能防止该界面反应，由此能够外延生长出结晶完整度和结晶取向性均优良的氧化物高温超导体薄膜。
SY5787-0008-0005、 由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置
摘要、 用于在拉晶装置中由多晶硅制备熔化的硅熔体的方法和装置要求装入坩埚中的多晶硅装置少于要熔化的预定的多晶硅总量。将坩埚加热，以便在坩埚中形成具有暴露于熔化的硅的上表面之上的未熔化的多晶硅岛的部分熔化的装料。从加料器将粒状多晶硅加到未熔化的多晶硅岛上，直至已将预定的多晶硅总量装入坩埚为止。随着将粒状多晶硅加到上述岛上，用电子学方法确定该岛相对于坩埚侧壁的位置。根据所确定的该岛相对于坩埚侧壁的位置控制从加料器将粒状多晶加到未熔化的多晶硅岛上的加料速率。
SY5787-0078-0006、 掺铈铝酸钇晶体的生长方法
摘要、 一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法包括下列步骤：按反应方程式Al2O3+(1-x-y、Y2O3+2xCeO2+ySc2O3＝2Y1-x-yCexScyAlO3+x，2O2其中0.2％≤x≤2.0％，x≤y≤3x。先选定x和y，再按相应的摩尔百分比称取原料Y2O3Sc2O3，Al2O3，CeO2；将原料机械混合均匀后，用压料机在20kg，cm2的压力下压制成块，然后在1000℃下烧结10小时，装炉，抽真空，充高纯氮气，升温熔化，生长晶体。生长晶体后，缓慢降至室温，取出晶体。晶体无色透明完整，晶体的位错密度为102-104，cm2，晶体的闪烁性能提高5-15％。
SY5787-0109-0007、 一种碳化硅晶体生长装置
摘要、 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置该装置包括真空室、石墨生长室、感应线圈，石墨生长室外部包覆有具有适当厚度的绝热材料，感应线圈设置在绝热材料外部，石墨生长室连同其外部的绝热材料层及感应线圈一起固定在真空室内，真空室上带有能够开启的密封盖，其上还设置有供与真空泵相连的抽气口。将晶体生长室及其绝热材料层和感应线圈一同设置在由金属制成的真空室中后，消除了真空室壁夹在感应线圈和晶体生长室之间所带来的缺陷，可以方便地通过调整保温材料的厚度，改变石墨生长室的尺寸来达到改变生长晶体尺寸的目的；同时由于感应线圈和石墨生长室之间没有双层石英管，从而无需进行大的设备改造，即可生长大尺寸SiC晶体。
SY5787-0116-0008、 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
摘要、 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。
SY5787-0153-0009、 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法
摘要、 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体，属于晶体材料技术领域。原料摩尔比为Li2CO3、，Nb2O5、＝48～58∶42～50，可掺杂钙、钡、锶、锌、铟、铁、钴、铜、锰、铈、镱、铬、钕或铒的氧化物中的一种或几种，在熔融状态下，利用提拉法生长。本发明的铌酸锂晶体所制作的电光Q开关具有良好的温度稳定性，即在环境温度-40℃和50℃的条件下及温度变化情况下，晶体的椭圆度系数、对比度系数及电光系数均不发生明显变化，在-40℃～50℃的温度区间均能实现稳定开关。本发明的方法易于得到大块优质单晶体。
SY5787-0040-0010、 通过化学汽相沉积在晶片上生长外延层的无基座式反应器
摘要、 本发明描述了一种在固体衬底上进行沉积的CVD反应器以及一种在晶片上沉积外延层的相关方法。在本发明的反应器中，晶片托架(110、在装载位置(L、和沉积位置(D、之间进行迁移。在沉积位置晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴(120、的顶端上，而不设置中间基座。本发明的反应器可以处理单个晶片或者同时处理多个晶片。本发明同样描述了本发明的几个实施例和变型。本发明的一个变型使了晶片支撑组件通过主轴(500、的热损耗降低并且为此提供了一新颖的加热结构。本发明的优点包括更短的反应器周期、更低的成本和部件更长的寿命，还有更好的温度控制。
SY5787-0020-0011、 生长球冠形异型晶体用组合式坩埚
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