单晶,单晶生长,单晶膜,硅单晶炉类技术资料
SY5788-0054-0001、 掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法
摘要、 一种掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法采用射频感应加热提拉法。使用炉体上带有氮气进口阀、氧气进口阀和气体出口阀的中频感应加热提拉炉。在铱坩埚的外表面上喷涂铱粉和氧化*混合粉的保护层。在升温、下种、缩颈、放肩的过程中，炉体内只充入氮气，而且保持在流动状态下。在开始等径生长前，打开氧气进口阀，按氧和氮两种气体的体积百分比混合气体输进炉体内，并保持在流动状态下。在等径生长完成后，关闭氧气进口阀。在收尾过程中仍然保持在流动的氮气气氛下。收尾结束后开始降温，炉体内是保持在真空下直至降到室温。本发明与在先技术相比，铱坩埚的保护层更牢固，减少炉体内含氧时间，也就减少了铱坩埚在高温中的氧化挥发。铱坩埚的单次生长损耗只有3克。
SY5788-0062-0002、 氮化铝外延生长法及所用生长室
摘要、 本发明涉及一种由氮和铝的蒸气混合物外延生长氮化铝单晶的方法所述方法包括如下步骤：外延生长基体(4、和铝源(5、置于生长室(3、内彼此相对的位置上；所述外延生长基体加热到一定温度，确保氮化铝单晶的生长，而且保持该温度。在生长室(3、内保持氮和铝蒸气混合物的压力，且所述压力超过低限不大于400mbar，该低限是源物质(5、蒸发形成的化学计量的氮和铝蒸气混合物在密闭空间产生的压力。本发明也涉及一种生长室(3、，所述生长室接触源物质和铝蒸气的内表面，其材质是碳化钽在碳化物(原文如此、中的固溶体。
SY5788-0188-0003、 基本上没有氧化诱生堆垛层错的掺氮硅
本发明涉及锭状或片状单晶硅，及一种用于制备单晶硅的方法上述单晶硅含有一个其中空位是主要本征点缺陷的轴向对称区域，并且基本上没有氧化诱生堆垛层错和掺入氮以便使其中氧沉淀核稳定。
SY5788-0065-0004、 稀土碱式碳酸盐晶体膜及其水热制备方法
摘要、 本发明稀土碱式碳酸盐晶体膜及其水热制备方法将稀土*盐、或将稀土氧化物用*溶解后，与硫脲的水溶液一起，注入预先放置好衬底的密闭耐压反应器中，在150－200℃反应不少于3小时；本发明通过一步水热反应制备稀土碱式碳酸盐晶体膜，产物的物相可控；衬底的选择范围宽；产物因物相不同而具有不同的微结构与性质，从而具有不同的用途。
SY5788-0086-0005、 人工晶体称重装置
摘要、 本发明是一种人工晶体生长直径控制系统的称重装置。旋转杆为柔性钢丝绳和刚性杆复合而成。在柔性钢丝绳和刚性杆之间有转矩传递套进行转速传递，刚性杆下端安装有旋转陀螺，从而实现旋转杆旋转时的稳定性和旋转杆的铅垂性。本发明具有结构简单，制造安装方便无振动传递无速度丢失，使得籽晶始终处于铅垂状态广泛应用于硅单晶、锗单晶、*化镓单晶、蓝宝石、白宝石、钒酸钇、钽酸锂、铌酸锂等各类人工晶体的自动生长控制。
SY5788-0117-0006、 带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡（BaF2）晶体
摘要、 带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡(BaF2、晶体，涉及氟化钡晶体的镀膜和改善晶体性能技术适用于高能物理、核医学、γ射线天文学、物理勘探。通过在氟化钡(BaF2、晶体表面镀覆光谱选择性多层膜系，将多层光学滤光膜系直接镀制在氟化钡(BaF2、晶体表面，镀膜系总厚度仅为1μm左右，结构紧凑，不增加任何体积，并使得晶体的闪烁光快慢成分比例由0.16提高到12.8，即多层光学膜系统对氟化钡(BaF2、晶体的闪烁光快慢成分的抑制比达到80倍。本发明晶体具有很好的使用前景。
SY5788-0076-0007、 红外非线性光学晶体材料及其制备方法
摘要、 本发明公开了一类新型红外波段二阶非线性光学晶体材料ACdI3·xH2O(A＝Rb，X＝1；A＝Cs，X＝0.25、及其制备方法。此类无机材料在可见光区和红外光区有很大的透光窗口有较大的二阶非线性光学系数，并能得到较大尺寸的单晶，因此可用作红外波段的二阶非线性光学材料。
SY5788-0198-0008、 两端无掺杂激光棒的制备工艺
摘要、 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。
SY5788-0030-0009、 采用类金刚石修饰人工晶体的方法
摘要、 采用类金刚石修饰人工晶体的方法是在高真空等离子体加速气相沉积的条件下，在低温5～80℃，载能离子束辅助沉积的作用下，使碳原子的SP2向SP3转化而形成类金刚石结构。结构测定证实SP3成分的存在。结果证实各项测定指标均与PMMA IOL有显著性差异，生物相容性优于PMMA IOI，表面硬度是PMMA IOL的10倍，且亲水、颜色微黄至微褐色。加工成本低。
SY5788-0197-0010、 掺杂镁的III-V氮化物及其制法
摘要、 掺杂镁的咧柿縄II-V氮化物层及其制法。一种P型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延(HVPE、方法在兰宝石基片上生产，HVPE过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和III族金属(Ga，In，Al、。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可从兰宝石基片上取下以提供一种掺杂镁的P型III-V氮化物基片，后者具有低位密度并适用于制造，例如，发光器件。
SY5788-0190-0011、 MgB2单晶体和其制造方法以及含有MgB...
SY5788-0008-0012、 异型加热片区熔生长晶体的方法
SY5788-0100-0013、 单晶制造方法
SY5788-0126-0014、 掺钛蓝宝石和蓝宝石复合激光晶体的生长方法
SY5788-0153-0015、 熔体法生长的碲镉汞材料中的复合缺陷消除方法
SY5788-0069-0016、 一种硼磷酸镁锌固溶体及其制备方法
SY5788-0120-0017、 碲锌镉晶体退火改性方法
SY5788-0116-0018、 氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法
SY5788-0177-0019、 制备磷酸稀土单晶纳米线的方法
SY5788-0192-0020、 氮化镓的块状单结晶的制造方法
SY5788-0002-0021、 提拉工艺装料时测量多晶块大小和分布的方法和设备
SY5788-0169-0022、 用于紫外与兰绿光通带滤波器的十二水硫酸镍铁晶体
SY5788-0066-0023、 晶体生长和退火方法以及装置
SY5788-0127-0024、 遥控晶体生长装置及其控制方法
SY5788-0096-0025、 氢气氛中使用感应加热钼坩埚提拉法生长蓝宝石晶体
SY5788-0034-0026、 用于汽相沉积的截头衬托器
SY5788-0165-0027、 用离子注入和退火制备铌酸锂晶体波导的方法
SY5788-0174-0028、 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
SY5788-0051-0029、 用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法
SY5788-0161-0030、 制造高掺杂硅单晶的方法
SY5788-0181-0031、 铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
SY5788-0032-0032、 在晶体生长过程中使用的硅熔体的锶掺杂
SY5788-0020-0033、 在硅衬底上制备结晶碱土金属氧化物的方法
SY5788-0152-0034、 在化学汽相淀积工艺中使用的改进的基座
SY5788-0007-0035、 包覆有金属层的氧化锌晶须
SY5788-0104-0036、 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
SY5788-0105-0037、 石英玻璃坩埚的表面改质方法和表面改质坩埚
SY5788-0011-0038、 容许工艺条件变动而制备无缺陷硅晶体的工艺
SY5788-0043-0039、 开管式碲镉汞外延材料热处理方法
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SY5788-0195-0043、 具有可替换内壁的反应器的冷却系统
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SY5788-0155-0047、 熔盐提拉法生长BBO晶体
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SY5788-0203-0203、 稀土钡铜氧大畴超导块材的后处理方法及其使用装置
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摘要、 一种掺四价铬硅酸镁晶体的生长方法采用射频感应加热提拉法。使用炉体上带有氮气进口阀、氧气进口阀和气体出口阀的中频感应加热提拉炉。在铱坩埚的外表面上喷涂铱粉和氧化*混合粉的保护层。在升温、下种、缩颈、放肩的过程中，炉体内只充入氮气，而且保持在流动状态下。在开始等径生长前，打开氧气进口阀，按氧和氮两种气体的体积百分比混合气体输进炉体内，并保持在流动状态下。在等径生长完成后，关闭氧气进口阀。在收尾过程中仍然保持在流动的氮气气氛下。收尾结束后开始降温，炉体内是保持在真空下直至降到室温。本发明与在先技术相比，铱坩埚的保护层更牢固，减少炉体内含氧时间，也就减少了铱坩埚在高温中的氧化挥发。铱坩埚的单次生长损耗只有3克。
SY5788-0062-0002、 氮化铝外延生长法及所用生长室
摘要、 本发明涉及一种由氮和铝的蒸气混合物外延生长氮化铝单晶的方法所述方法包括如下步骤：外延生长基体(4、和铝源(5、置于生长室(3、内彼此相对的位置上；所述外延生长基体加热到一定温度，确保氮化铝单晶的生长，而且保持该温度。在生长室(3、内保持氮和铝蒸气混合物的压力，且所述压力超过低限不大于400mbar，该低限是源物质(5、蒸发形成的化学计量的氮和铝蒸气混合物在密闭空间产生的压力。本发明也涉及一种生长室(3、，所述生长室接触源物质和铝蒸气的内表面，其材质是碳化钽在碳化物(原文如此、中的固溶体。
SY5788-0188-0003、 基本上没有氧化诱生堆垛层错的掺氮硅
本发明涉及锭状或片状单晶硅，及一种用于制备单晶硅的方法上述单晶硅含有一个其中空位是主要本征点缺陷的轴向对称区域，并且基本上没有氧化诱生堆垛层错和掺入氮以便使其中氧沉淀核稳定。
SY5788-0065-0004、 稀土碱式碳酸盐晶体膜及其水热制备方法
摘要、 本发明稀土碱式碳酸盐晶体膜及其水热制备方法将稀土*盐、或将稀土氧化物用*溶解后，与硫脲的水溶液一起，注入预先放置好衬底的密闭耐压反应器中，在150－200℃反应不少于3小时；本发明通过一步水热反应制备稀土碱式碳酸盐晶体膜，产物的物相可控；衬底的选择范围宽；产物因物相不同而具有不同的微结构与性质，从而具有不同的用途。
SY5788-0086-0005、 人工晶体称重装置
摘要、 本发明是一种人工晶体生长直径控制系统的称重装置。旋转杆为柔性钢丝绳和刚性杆复合而成。在柔性钢丝绳和刚性杆之间有转矩传递套进行转速传递，刚性杆下端安装有旋转陀螺，从而实现旋转杆旋转时的稳定性和旋转杆的铅垂性。本发明具有结构简单，制造安装方便无振动传递无速度丢失，使得籽晶始终处于铅垂状态广泛应用于硅单晶、锗单晶、*化镓单晶、蓝宝石、白宝石、钒酸钇、钽酸锂、铌酸锂等各类人工晶体的自动生长控制。
SY5788-0117-0006、 带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡（BaF2）晶体
摘要、 带有闪烁光慢成分抑制滤光片的氟化钡(BaF2、晶体，涉及氟化钡晶体的镀膜和改善晶体性能技术适用于高能物理、核医学、γ射线天文学、物理勘探。通过在氟化钡(BaF2、晶体表面镀覆光谱选择性多层膜系，将多层光学滤光膜系直接镀制在氟化钡(BaF2、晶体表面，镀膜系总厚度仅为1μm左右，结构紧凑，不增加任何体积，并使得晶体的闪烁光快慢成分比例由0.16提高到12.8，即多层光学膜系统对氟化钡(BaF2、晶体的闪烁光快慢成分的抑制比达到80倍。本发明晶体具有很好的使用前景。
SY5788-0076-0007、 红外非线性光学晶体材料及其制备方法
摘要、 本发明公开了一类新型红外波段二阶非线性光学晶体材料ACdI3·xH2O(A＝Rb，X＝1；A＝Cs，X＝0.25、及其制备方法。此类无机材料在可见光区和红外光区有很大的透光窗口有较大的二阶非线性光学系数，并能得到较大尺寸的单晶，因此可用作红外波段的二阶非线性光学材料。
SY5788-0198-0008、 两端无掺杂激光棒的制备工艺
摘要、 一种两端无掺杂激光棒的单晶生长工艺属于单晶生长技术领域，涉及两端无掺杂激光棒的制备工艺。本发明提供的工艺包括以下步骤：常规加工好激光棒；将激光棒从顶部放入与激光基质相同介质的熔融液体中，激光棒边缘微熔后，以常规的单晶生长工艺生长出所需长度的无掺杂单晶；倒转激光棒重复上述过程，即可制得两端无掺杂的单晶激光棒。本发明解决了激光棒端面不能冷却问题，使激光工作介质达到全方位冷却，提高了冷却效果；由于直接生长两端无掺杂激光棒，在激光棒掺杂部分与无掺杂部分之间无任何接缝，避免了粘接法产生的各种缺陷，改善了激光光束质量，提高了效率，能有效延长激光晶体的使用寿命，增大了激光的平均输出功率和激光脉冲重复频率。
SY5788-0030-0009、 采用类金刚石修饰人工晶体的方法
摘要、 采用类金刚石修饰人工晶体的方法是在高真空等离子体加速气相沉积的条件下，在低温5～80℃，载能离子束辅助沉积的作用下，使碳原子的SP2向SP3转化而形成类金刚石结构。结构测定证实SP3成分的存在。结果证实各项测定指标均与PMMA IOL有显著性差异，生物相容性优于PMMA IOI，表面硬度是PMMA IOL的10倍，且亲水、颜色微黄至微褐色。加工成本低。
SY5788-0197-0010、 掺杂镁的III-V氮化物及其制法
摘要、 掺杂镁的咧柿縄II-V氮化物层及其制法。一种P型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延(HVPE、方法在兰宝石基片上生产，HVPE过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和III族金属(Ga，In，Al、。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可从兰宝石基片上取下以提供一种掺杂镁的P型III-V氮化物基片，后者具有低位密度并适用于制造，例如，发光器件。
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