单晶,碳化硅单晶,单晶生长,氧化物单晶类技术资料
SY5789-0036-0001、 基于碘化铯的闪烁材料及其制备方法
摘要、 本发明涉及基于碘化铯的闪烁物料它具有低余辉和高辐射强度；以及其制备方法。由碘化铊掺杂的碘化铯基的闪烁物料含有具有通式Ｍｅｘ（ＣＯ３）ｙ化合物的另外掺和物，其中Ｍｅ是阳离子混和物，１≤ｘ≤２、１≤ｙ≤５。在其吸收光谱中，该材料具有约７μｍ的ＣＯ３２－－离子的拉伸振动带和约１１．４μｍ的弯曲振动带，后者的吸收系数为１．４·１０－３到２·１０－２ｃｍ－１。这种闪烁物料的制备方法包括熔化原材料碘化铯，加入活化碘化铊掺杂物及其后的结晶。根据本方法加入碳酸铯（３·１０－４到５·１０－３％重量）和钠盐（３·１０－４到７．５·１０－３％重量钠）到所述原材料和／或熔体中。，
SY5789-0180-0002、 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
摘要、 于制造一种碳化硅(SiC、单晶体(10、的装置具有一个坩埚(20、，它包括一个用于容纳固态SiC贮存物(31、的贮存区(30、和一个用于容纳SiC晶核(11、的结晶区(12、。在坩埚(20、内设有一个由格拉斯煤制成的部件(51、。在用于制造一种碳化硅(SiC、单晶体(10、的方法中，通过加热贮存物(31、，使固态SiC升华并形成气相SiC。气相SiC被输往SiC晶核(11、并在那里生长成SiC单晶体(10、。通过由格拉斯煤制成的部件(51、，可对热量流(61、进行控制。，
SY5789-0152-0003、 单晶制造方法及单晶制造装置
本发明揭示一种单晶制造方法和单晶制造装置是关于通过使原料熔融的熔液成为过冷却状态的粒状熔液、在微重力环境中降低悬浮状态熔液部分表面的自由能、生长单晶，从而制造粒状单晶的技术。单晶制造装置（３１）具有金聚焦炉（３５），室（３３），原料供给保持机构（３８），落下管道（３６、３７），转动板（３９），回收槽（４０）等。加热半导体材料组成的原料（３２a）使之熔融，然后使其在落下管道（３６、３７）的真空中自由落体，在落下途中，使过冷却状态的球状熔液（３２b）的部分表面与转动板（３９）的固体表面接触，生成晶核，其后，由晶核生长单晶，成为球状单晶（３２c），回收于回收槽（４０）内。
SY5789-0181-0004、 基本无生长缺陷的外延硅片
摘要、 本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底，该衬底含有一个以硅自－填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区；还包含一层外延层，该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自－填隙原子缺陷而形成的生长缺陷。
SY5789-0096-0005、 单晶SiC及其制造方法
摘要、 本发明是在α－ＳiＣ单晶基体材料（１）的表面上通过ＰＶＤ法或热ＣＶＤ法层叠厚度为１０μm以上的β－ＳiＣ多晶片（２）构成复合体（Ｍ），然后对所形成的复合体（Ｍ）在１６５０～２４００℃的温度范围内热处理，使β－ＳiＣ多晶片（２）的多晶体相变成为单晶体，生成与α－ＳiＣ单晶基体材料（１）的晶轴同方位取向的单晶体。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷及因受其影响而产生的缺陷的高质量单晶ＳiＣ。
SY5789-0109-0006、 生产多晶半导体晶锭的工艺和设备
摘要、 一种生产多晶半导体晶锭的工艺和设备。把半导体原料（１５）装入由外坩埚（１）和内坩埚（２）组成的双层坩埚内。坩埚从上面加热，以便使硅半导体原料熔化。坩埚（１）的底部固定在用冷却水冷却的支撑台（４）上。硅半导体材料（１５）在内坩埚（２）中熔化，并从其底部开始固化。硅半导体材料（１５）在固化时发生体积膨胀。但是，由于在内坩埚（２）和外坩埚（１）之间形成间隙，内坩埚（２）随着半导体材料的向外扩展减少了固化时产生的应变。因此，改善了多晶半导体晶锭的质量。
SY5789-0105-0007、 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
摘要、 本发明是一种ＭＯＣＶＤ法制备高荧光效率的铟镓氮单晶薄膜的生长技术在高温下生长铟镓氮单晶薄膜，同时进行Ｓi和Ｚn共掺杂，实现高效蓝光发射。ＧaＮ和ＩnＧaＮ可在相同温度下生长；避免了在器件结构生长过程中的升降温过程，减少了生长工艺上的困难；简化了工艺；提高了生长的可控性和重复性；生长的ＩnＧaＮ材料发光强度强；具有高的生长速率，缩短了生长时间，从而提高了材料的利用率。可适用于含ＩnＧaＮ的光发射二极管和激光器等光电器件的制备技术领域。
SY5789-0168-0008、 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
摘要、 本发明涉及利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法。本发明通过选择对氮化镓有一定溶解度的助熔剂即锂单质或含锂化合物，与原料按一定比例混合，即可在较低温度（680—900℃）及常压（0．5—10个大气压）下按常规方法（如缓慢降温法）进行GaN单晶的生长。本发明设备简单、原料价廉，成本低，可进行大规模生产。
SY5789-0184-0009、 晶体生长设备及晶体生长方法
摘要、 晶体生长设备，包括一个装有供晶体从其中生长的熔融材料的坩埚，和接收沿入射光路直射的光束并将其反射到第二个反射装置的第一个反射装置借此第二个反射装置沿射出光路反射射出光束。第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处，使在晶体生长过程中，它们相对熔融材料表面的位置基本上保持不变。该设备可以包括支承第一和第二个反射装置的支承装置所置配的支承装置浮在熔融的材料上。该设备可以是单坩埚设备或双坩埚设备。在双坩埚设备中，支承装置可以是装有熔融材料的第二个内坩埚，它与第一个坩埚中的熔融材料是流体相通的，内坩埚浮在第一个坩埚中的熔融材料上，第一和第二个反射装置支承在内坩埚上。该设备还可包括图象处理装置用于形成晶体或生长界面区的任何部位的图象，并在生长过程中测定晶体的直径或弯液面的直径。该设备还可包括根据测定的晶体或弯液面区的直径，控制晶体生长的装置。本发明还涉及用于生长晶体和晶体生长方法中使用的坩埚。
SY5789-0195-0010、 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
摘要、 本发明涉及一种掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术属于单晶生长领域。特征是：初始原料按NdxGd1－xCa4O(BO3、3(x=4－10％摩尔、均匀混合，在950～1100℃下预烧，再次混匀置于壁厚0.1～0.3mm的铂金坩埚中，在1480～1600℃下熔化原料及籽晶顶部，坩埚以每小时≤3毫米的速度下降。本方法温场稳定，可将多只坩埚放入单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。
SY5789-0159-0011、 供拉晶用的装置
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SY5789-0203-0203、 供晶体生长装置内电阻加热器用的电极装配
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摘要、 本发明涉及基于碘化铯的闪烁物料它具有低余辉和高辐射强度；以及其制备方法。由碘化铊掺杂的碘化铯基的闪烁物料含有具有通式Ｍｅｘ（ＣＯ３）ｙ化合物的另外掺和物，其中Ｍｅ是阳离子混和物，１≤ｘ≤２、１≤ｙ≤５。在其吸收光谱中，该材料具有约７μｍ的ＣＯ３２－－离子的拉伸振动带和约１１．４μｍ的弯曲振动带，后者的吸收系数为１．４·１０－３到２·１０－２ｃｍ－１。这种闪烁物料的制备方法包括熔化原材料碘化铯，加入活化碘化铊掺杂物及其后的结晶。根据本方法加入碳酸铯（３·１０－４到５·１０－３％重量）和钠盐（３·１０－４到７．５·１０－３％重量钠）到所述原材料和／或熔体中。，
SY5789-0180-0002、 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
摘要、 于制造一种碳化硅(SiC、单晶体(10、的装置具有一个坩埚(20、，它包括一个用于容纳固态SiC贮存物(31、的贮存区(30、和一个用于容纳SiC晶核(11、的结晶区(12、。在坩埚(20、内设有一个由格拉斯煤制成的部件(51、。在用于制造一种碳化硅(SiC、单晶体(10、的方法中，通过加热贮存物(31、，使固态SiC升华并形成气相SiC。气相SiC被输往SiC晶核(11、并在那里生长成SiC单晶体(10、。通过由格拉斯煤制成的部件(51、，可对热量流(61、进行控制。，
SY5789-0152-0003、 单晶制造方法及单晶制造装置
本发明揭示一种单晶制造方法和单晶制造装置是关于通过使原料熔融的熔液成为过冷却状态的粒状熔液、在微重力环境中降低悬浮状态熔液部分表面的自由能、生长单晶，从而制造粒状单晶的技术。单晶制造装置（３１）具有金聚焦炉（３５），室（３３），原料供给保持机构（３８），落下管道（３６、３７），转动板（３９），回收槽（４０）等。加热半导体材料组成的原料（３２a）使之熔融，然后使其在落下管道（３６、３７）的真空中自由落体，在落下途中，使过冷却状态的球状熔液（３２b）的部分表面与转动板（３９）的固体表面接触，生成晶核，其后，由晶核生长单晶，成为球状单晶（３２c），回收于回收槽（４０）内。
SY5789-0181-0004、 基本无生长缺陷的外延硅片
摘要、 本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底，该衬底含有一个以硅自－填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区；还包含一层外延层，该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自－填隙原子缺陷而形成的生长缺陷。
SY5789-0096-0005、 单晶SiC及其制造方法
摘要、 本发明是在α－ＳiＣ单晶基体材料（１）的表面上通过ＰＶＤ法或热ＣＶＤ法层叠厚度为１０μm以上的β－ＳiＣ多晶片（２）构成复合体（Ｍ），然后对所形成的复合体（Ｍ）在１６５０～２４００℃的温度范围内热处理，使β－ＳiＣ多晶片（２）的多晶体相变成为单晶体，生成与α－ＳiＣ单晶基体材料（１）的晶轴同方位取向的单晶体。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷及因受其影响而产生的缺陷的高质量单晶ＳiＣ。
SY5789-0109-0006、 生产多晶半导体晶锭的工艺和设备
摘要、 一种生产多晶半导体晶锭的工艺和设备。把半导体原料（１５）装入由外坩埚（１）和内坩埚（２）组成的双层坩埚内。坩埚从上面加热，以便使硅半导体原料熔化。坩埚（１）的底部固定在用冷却水冷却的支撑台（４）上。硅半导体材料（１５）在内坩埚（２）中熔化，并从其底部开始固化。硅半导体材料（１５）在固化时发生体积膨胀。但是，由于在内坩埚（２）和外坩埚（１）之间形成间隙，内坩埚（２）随着半导体材料的向外扩展减少了固化时产生的应变。因此，改善了多晶半导体晶锭的质量。
SY5789-0105-0007、 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
摘要、 本发明是一种ＭＯＣＶＤ法制备高荧光效率的铟镓氮单晶薄膜的生长技术在高温下生长铟镓氮单晶薄膜，同时进行Ｓi和Ｚn共掺杂，实现高效蓝光发射。ＧaＮ和ＩnＧaＮ可在相同温度下生长；避免了在器件结构生长过程中的升降温过程，减少了生长工艺上的困难；简化了工艺；提高了生长的可控性和重复性；生长的ＩnＧaＮ材料发光强度强；具有高的生长速率，缩短了生长时间，从而提高了材料的利用率。可适用于含ＩnＧaＮ的光发射二极管和激光器等光电器件的制备技术领域。
SY5789-0168-0008、 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
摘要、 本发明涉及利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法。本发明通过选择对氮化镓有一定溶解度的助熔剂即锂单质或含锂化合物，与原料按一定比例混合，即可在较低温度（680—900℃）及常压（0．5—10个大气压）下按常规方法（如缓慢降温法）进行GaN单晶的生长。本发明设备简单、原料价廉，成本低，可进行大规模生产。
SY5789-0184-0009、 晶体生长设备及晶体生长方法
摘要、 晶体生长设备，包括一个装有供晶体从其中生长的熔融材料的坩埚，和接收沿入射光路直射的光束并将其反射到第二个反射装置的第一个反射装置借此第二个反射装置沿射出光路反射射出光束。第一和第二个反射装置配置在熔融材料的表面或靠近表面处，使在晶体生长过程中，它们相对熔融材料表面的位置基本上保持不变。该设备可以包括支承第一和第二个反射装置的支承装置所置配的支承装置浮在熔融的材料上。该设备可以是单坩埚设备或双坩埚设备。在双坩埚设备中，支承装置可以是装有熔融材料的第二个内坩埚，它与第一个坩埚中的熔融材料是流体相通的，内坩埚浮在第一个坩埚中的熔融材料上，第一和第二个反射装置支承在内坩埚上。该设备还可包括图象处理装置用于形成晶体或生长界面区的任何部位的图象，并在生长过程中测定晶体的直径或弯液面的直径。该设备还可包括根据测定的晶体或弯液面区的直径，控制晶体生长的装置。本发明还涉及用于生长晶体和晶体生长方法中使用的坩埚。
SY5789-0195-0010、 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
摘要、 本发明涉及一种掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术属于单晶生长领域。特征是：初始原料按NdxGd1－xCa4O(BO3、3(x=4－10％摩尔、均匀混合，在950～1100℃下预烧，再次混匀置于壁厚0.1～0.3mm的铂金坩埚中，在1480～1600℃下熔化原料及籽晶顶部，坩埚以每小时≤3毫米的速度下降。本方法温场稳定，可将多只坩埚放入单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。
SY5789-0159-0011、 供拉晶用的装置
SY5789-0055-0012、 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
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