硅单晶,硅单晶生长,锑硅单晶,制取硅单晶类技术资料
硅单晶硅单晶生长，锑硅单晶，制取硅单晶类技术资料
SY5790-0153-0001、 氧化锌晶须的制备方法及其装置
摘要、 本发明涉及一种氧化锌晶须的制备方法及其装置属陶瓷材料技术领域。该制备方法是将*放入一端开口的反应管中，反应管伸入加热炉内，管子开口的一端通大气，然后以一定升温速度将管内温度升至５００～８５０℃，保温０．５～２小时即可制得氧化锌晶须。该制备装置包括加热炉、反应管、热电偶和反应舟。反应管一端开口，封口端伸入加热炉内，开口端伸出炉外，用热电偶和控温装置控制炉温。用本发明方法制备的两种氧化锌晶须即四角状晶须或单一纤维状晶须。
SY5790-0063-0002、 四硼酸锂（ＬＢＯ）单晶的坩埚下降法生长
摘要、 四硼酸锂单晶(Li2B4O7∶LBO、的坩埚下降法（Bridgman）生长，属于单晶生长领域。本发明的特征是：横截面积Ｐ（＝Ｓ晶种／Ｓ晶体）≥１５％的ＬＢＯ晶种和密度为０．９～１．４克／厘米3的ＬＢＯ压块，放入壁厚为０．０８～０．１５毫米的铂金坩埚中，在９５０～１１００℃炉温下熔化压块和晶种顶部，再将铂坩埚以≤０．３毫米小时的速度下降，即可生长出无色透明，完整性好，不易开裂的ＬＢＯ单晶体。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将多只坩埚放入Ｂｒｉｄｇｍａｎ单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。
SY5790-0183-0003、 苯基及取代苯基酰亚胺系有机电子晶体及其制备方法
本发明给出了一类新型有机电子晶体材料，它采用邻苯二甲酸酐与*或取代*合成苯基或取代苯基邻苯二甲酰亚胺化合物，其取代*是用烃基、卤族元素来取代*中苯环里的一个或几个氢（Ｈ）元素后生成的。将该类化合物经晶体生长和极化处理后就可制成高度有序、定向、纯净的无色的相对应的酰亚胺系有机电子晶体。该系列有机晶体具有优良的介电、压电、铁电、驻极体、敏感和换能等电子学与光学性能，在电子科学领域有广阔的应用前景。
SY5790-0120-0004、 硅红外滤光片的热处理工艺
摘要、 一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺其特征是将硅片在４００－１０００℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至８５０℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在９μｍ处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平，用热处理后的廉价直拉硅单晶片制造的红外滤光片，可满足红外仪器设备所需红外滤光片的要求，大大降低了滤光片的成本。
SY5790-0103-0005、 钛酸钡锶晶体光折变器件及其制造方法
摘要、 本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ｂａ1-XＳｒXＴｉＯ3单晶，其中０．０１≤Ｘ≤０．１。该器件具有良好的光折变性能，用来作为自泵浦位相共轭器件时，其反射率达４０％以上。$&____该器件的制造方法包括：用熔体提拉法生长#O&Ｂａ1-XＳｒXＴｉＯ3单晶，在氧化性气氛下退火；加工成具有抛光表面的长方体晶块；用机械加压和升温加直流电场联合的办法使晶体单畴化。它可以是经上述方法加工的一块晶体，也可以是一个包含有至少一块这种晶体的光电子学系统。$本发明所使用的Ｂａ1-XＳｒXＴｉＯ3晶体具有生长周期短，工艺简单，成品率高，易于得到尺寸较大的晶块以及四方——正交相变点较低等优点。
SY5790-0059-0006、 *化镓／磷化铟异质气相外延技术
摘要、 本发明为一种在ＩｎＰ衬底上生长ＧａＡｓ单晶薄膜的氯化物ＶＰＥ技术。$通过对衬底非生长区域的介质膜保护，分步预热与低温快速生长，抑制了ＩｎＰ衬底的热损伤。对衬底温度与载气Ｈ2流量耦合调制，形成多界面应力释放层，使３．７％的晶格失配应力引起的斜位错终止于界面，降低外延层的位错密度，提高晶体质量。其优点是设备简单、操作方便，ＧａＡｓ外延层具有良好的结晶学特性、电学特性与光谱学特性。
SY5790-0101-0007、 透明的多晶石榴石
摘要、 能用作激光材料、发光的Ｘ射线闪烁体材料和其它应用的具有所需性能的透明多晶石榴石体，是经将所需阳离子的氯化物原料溶液同碱性的铵溶液混合以产生具有大体均匀组分的沉淀得到的，进一步加工能得到所需透明体。将此沉淀物同该溶液分离、干燥、在７００至１０００℃的温度下加热分解、模压形成压坯、在高达６００００磅／英寸２的压力下均压，以提供密度约为理论密度５５％的绿色未烧结压坯。再在１４００℃至１７００℃温度下将其于氧中烧结，以产生所需透明体。另一方法是，在约１４００℃至约１６００℃温度下，在氧中将此压坯烧结至孔隙闭合状态，然后在高压下加热均压以产生所需的透明体。
SY5790-0064-0008、 制取硅单晶的设备
摘要、 一种硅单晶的制取设备，其中在旋转石英坩锅内配置具有至少一个穿过其下部的小孔的成形挡板使其环绕着大圆柱形硅单晶，该硅单晶被旋转并被拉出。挡板的全部或一部份由泡沫石英玻璃制成，该泡沫石英玻璃的气泡含量（体积百分比）为０．０１－１５％，或者小于０．０１％，但此时通过用于熔化硅原料的热量使其增加到０．０１－１５％。因此防止了与挡板内侧接触的熔融物料温度的降低，并且防止了熔融物料在此部位的凝固。
SY5790-0028-0009、 仿猫眼红宝石的生长方法
摘要、 本发明是关于直接从熔体中生长具有仿猫眼效果的高级装饰红宝石的润湿导模法技术获得的红宝石棒内具有一平行于生长轴的深红色带，色彩鲜明，晶体质密紧硬，比重３．０９，莫氏硬度９，透明度好，折射率为１．７６５，该材料是一种新颖的高级装饰宝石，适用于制造加工成具有奇特仿猫眼效果的戒指面等装饰品。
SY5790-0083-0010、 制造硅单晶设备
摘要、 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为３ｍｍ或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热权包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
SY5790-0125-0011、 硅酸铋(BSO、单晶的坩埚下降法生长
SY5790-0054-0012、 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
SY5790-0052-0013、 中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
SY5790-0005-0014、 ＫＴＰ单晶的熔盐生长方法
SY5790-0156-0015、 改进的生长硅晶的方法
SY5790-0057-0016、 单晶硅的制造方法和设备
SY5790-0146-0017、 无缺陷氮化硅晶须的制备
SY5790-0194-0018、 一种有序排列的碳纳米管及其制备方法和专用装置
SY5790-0045-0019、 生长管状结晶体用的控制设备系统
SY5790-0177-0020、 热处理前的清洗方法
SY5790-0040-0021、 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
SY5790-0190-0022、 一种金属材料单晶的制备技术
SY5790-0003-0023、 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
SY5790-0106-0024、 提高锗酸铋(BGO、晶体抗辐照损伤技术
SY5790-0060-0025、 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
SY5790-0047-0026、 钨酸锌晶体的掺杂去色工艺
SY5790-0023-0027、 助熔剂法生长钛氧磷酸钾晶体的工艺和装置
SY5790-0098-0028、 边缘限定薄层供料生长法的设备所用湿尖导模
SY5790-0087-0029、 高性能α相碳化硅晶须的制造方法
SY5790-0173-0030、 磁性光学元件
SY5790-0056-0031、 改性热释电单晶体的合成方法
SY5790-0152-0032、 生长多个单晶体的方法和设备
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SY5790-0076-0037、 碳化硅单晶纤维及其制法
SY5790-0157-0038、 采用籽晶使多晶氧化铝到蓝宝石的固态热转换
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摘要、 本发明涉及一种氧化锌晶须的制备方法及其装置属陶瓷材料技术领域。该制备方法是将*放入一端开口的反应管中，反应管伸入加热炉内，管子开口的一端通大气，然后以一定升温速度将管内温度升至５００～８５０℃，保温０．５～２小时即可制得氧化锌晶须。该制备装置包括加热炉、反应管、热电偶和反应舟。反应管一端开口，封口端伸入加热炉内，开口端伸出炉外，用热电偶和控温装置控制炉温。用本发明方法制备的两种氧化锌晶须即四角状晶须或单一纤维状晶须。
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本发明给出了一类新型有机电子晶体材料，它采用邻苯二甲酸酐与*或取代*合成苯基或取代苯基邻苯二甲酰亚胺化合物，其取代*是用烃基、卤族元素来取代*中苯环里的一个或几个氢（Ｈ）元素后生成的。将该类化合物经晶体生长和极化处理后就可制成高度有序、定向、纯净的无色的相对应的酰亚胺系有机电子晶体。该系列有机晶体具有优良的介电、压电、铁电、驻极体、敏感和换能等电子学与光学性能，在电子科学领域有广阔的应用前景。
SY5790-0120-0004、 硅红外滤光片的热处理工艺
摘要、 一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺其特征是将硅片在４００－１０００℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至８５０℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在９μｍ处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平，用热处理后的廉价直拉硅单晶片制造的红外滤光片，可满足红外仪器设备所需红外滤光片的要求，大大降低了滤光片的成本。
SY5790-0103-0005、 钛酸钡锶晶体光折变器件及其制造方法
摘要、 本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ｂａ1-XＳｒXＴｉＯ3单晶，其中０．０１≤Ｘ≤０．１。该器件具有良好的光折变性能，用来作为自泵浦位相共轭器件时，其反射率达４０％以上。$&____该器件的制造方法包括：用熔体提拉法生长#O&Ｂａ1-XＳｒXＴｉＯ3单晶，在氧化性气氛下退火；加工成具有抛光表面的长方体晶块；用机械加压和升温加直流电场联合的办法使晶体单畴化。它可以是经上述方法加工的一块晶体，也可以是一个包含有至少一块这种晶体的光电子学系统。$本发明所使用的Ｂａ1-XＳｒXＴｉＯ3晶体具有生长周期短，工艺简单，成品率高，易于得到尺寸较大的晶块以及四方——正交相变点较低等优点。
SY5790-0059-0006、 *化镓／磷化铟异质气相外延技术
摘要、 本发明为一种在ＩｎＰ衬底上生长ＧａＡｓ单晶薄膜的氯化物ＶＰＥ技术。$通过对衬底非生长区域的介质膜保护，分步预热与低温快速生长，抑制了ＩｎＰ衬底的热损伤。对衬底温度与载气Ｈ2流量耦合调制，形成多界面应力释放层，使３．７％的晶格失配应力引起的斜位错终止于界面，降低外延层的位错密度，提高晶体质量。其优点是设备简单、操作方便，ＧａＡｓ外延层具有良好的结晶学特性、电学特性与光谱学特性。
SY5790-0101-0007、 透明的多晶石榴石
摘要、 能用作激光材料、发光的Ｘ射线闪烁体材料和其它应用的具有所需性能的透明多晶石榴石体，是经将所需阳离子的氯化物原料溶液同碱性的铵溶液混合以产生具有大体均匀组分的沉淀得到的，进一步加工能得到所需透明体。将此沉淀物同该溶液分离、干燥、在７００至１０００℃的温度下加热分解、模压形成压坯、在高达６００００磅／英寸２的压力下均压，以提供密度约为理论密度５５％的绿色未烧结压坯。再在１４００℃至１７００℃温度下将其于氧中烧结，以产生所需透明体。另一方法是，在约１４００℃至约１６００℃温度下，在氧中将此压坯烧结至孔隙闭合状态，然后在高压下加热均压以产生所需的透明体。
SY5790-0064-0008、 制取硅单晶的设备
摘要、 一种硅单晶的制取设备，其中在旋转石英坩锅内配置具有至少一个穿过其下部的小孔的成形挡板使其环绕着大圆柱形硅单晶，该硅单晶被旋转并被拉出。挡板的全部或一部份由泡沫石英玻璃制成，该泡沫石英玻璃的气泡含量（体积百分比）为０．０１－１５％，或者小于０．０１％，但此时通过用于熔化硅原料的热量使其增加到０．０１－１５％。因此防止了与挡板内侧接触的熔融物料温度的降低，并且防止了熔融物料在此部位的凝固。
SY5790-0028-0009、 仿猫眼红宝石的生长方法
摘要、 本发明是关于直接从熔体中生长具有仿猫眼效果的高级装饰红宝石的润湿导模法技术获得的红宝石棒内具有一平行于生长轴的深红色带，色彩鲜明，晶体质密紧硬，比重３．０９，莫氏硬度９，透明度好，折射率为１．７６５，该材料是一种新颖的高级装饰宝石，适用于制造加工成具有奇特仿猫眼效果的戒指面等装饰品。
SY5790-0083-0010、 制造硅单晶设备
摘要、 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为３ｍｍ或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热权包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
SY5790-0125-0011、 硅酸铋(BSO、单晶的坩埚下降法生长
SY5790-0054-0012、 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
SY5790-0052-0013、 中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺
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SY5790-0177-0020、 热处理前的清洗方法
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SY5790-0087-0029、 高性能α相碳化硅晶须的制造方法
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