抛光浆料生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2021/4/27
(1001803-0008-0001) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
(技术说明) 公开了一种包括：磨料、氧化剂、配合剂、成膜剂和有机氨化合物的第一种化学机械抛光浆料；和包括磨料、氧化剂和乙酸且其中氧化剂与乙酸的比例至少为10的第二种抛光浆料还公开了用第一和第二种抛光浆料顺序抛光含铜和含钽或氮化钽或钽和氮化钽两种的基材的方法。 ， (1001803-0049-0002) 用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物
(技术说明) 本发明涉及一种用于浅沟隔离的化学机械抛光浆料，更具体地，涉及一种如下组成的化学机械抛光浆料，其包含由去离子水、抛光粒和抛光粒分散剂组成的含水磨料溶液；由羧酸高分子化合物、含氮有机环化合物和胺基化合物组成的含水添加剂溶液。通过在丙烯酸高分子化合物中加入含氮有机环化合物显著地降低氮化物膜的抛光速度，并且通过添加胺基化合物增大氧化硅膜的去除速度，从而可改善该浆料的去除选择性，其中该胺基化合物是一种氧化硅膜的水解促进剂。 ， (1001803-0031-0003) 磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
(技术说明) 本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D-RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within-wafer-nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。 ， (1001803-0048-0004) 抛光浆料
(技术说明) 本发明公开了一种抛光浆料，其包括载体和功能化氧化铝颗粒。本发明的含功能化氧化铝颗粒的抛光浆料稳定性好，功能化氧化铝颗粒易分散；该抛光浆料可降低衬底表面缺陷率提高表面质量，减少总金属损失率，扩大了工艺参数变化范围。 ， (1001803-0024-0005) 用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料
(技术说明) 一种不附聚的氧化铈含水浆料，其具有良好的分散稳定性和优异的抛光生产率并产生较少的划痕，其包含体积平均颗粒尺寸为0.1到0.2μm的氧化铈颗粒，且其特征在于当在1970g0 ， (1001803-0063-0006) 用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
(技术说明) 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。 ， (1001803-0045-0007) 抛光浆料及其用途
(技术说明) 本发明公开了一种抛光浆料和该抛光浆料在抛光含金属的衬底中的用途，该抛光浆料包括研磨颗粒、载体、Cu2+ ， (1001803-0036-0008) 浆料组合物、制备浆料组合物的方法以及使用浆料组合物抛光物体的方法
(技术说明) 一种包括酸性水溶液，以及两性表面活性剂和*化合物的一种或两种的浆料组合物。两性表面活性剂的例子包括甜菜碱化合物和氨基酸化合物，以及氨基酸化合物的例子包括赖氨酸、脯氨酸和精氨酸。*化合物的例子包括二甘醇、*以及聚*。 ， (1001803-0038-0009) 可调控的去除阻隔物的抛光浆料
(技术说明) 一种用来对半导体基材进行化学机械平坦化的水性浆料。所述浆液包括按重量百分数计0.1-25的氧化剂、0.1-20的平均粒径小于200nm的二氧化硅颗粒、0.005-0.8的用于包覆二氧化硅颗粒的聚乙烯基吡咯烷酮、0.01-10的抑制剂、0.001-10的络合剂和余量的水以及随附杂质，所述水性浆料的pH至少为7。 ， (1001803-0042-0010) 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
(技术说明) 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。 ， (1001803-0035-0011) 抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法
(1001803-0037-0012) 基于氧化铈的抛光工艺和氧化铈基浆料
(1001803-0028-0013) 改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法
(1001803-0002-0014) 一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料
(1001803-0029-0015) 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法
(1001803-0009-0016) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
(1001803-0007-0017) 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
(1001803-0056-0018) 用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法
(1001803-0026-0019) 用于金属的化学机械抛光（CMP）的浆料及其使用
(1001803-0054-0020) 用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料
(1001803-0033-0021) 一种化学-机械抛光铜镶嵌结构所用的浆料
(1001803-0025-0022) 铜的化学机械抛光所用的浆料和方法
(1001803-0053-0023) 钽阻挡层用化学机械抛光浆料
(1001803-0003-0024) 化学机械抛光浆料和使用该浆料的化学机械抛光方法
(1001803-0051-0025) 用于阻挡层的化学机械抛光浆料
(1001803-0027-0026) 铈基抛光料和铈基抛光浆料
(1001803-0018-0027) 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
(1001803-0052-0028) 铜的化学机械抛光浆料
(1001803-0001-0029) 不用磨料泥浆的玻璃抛光材料及其使用方法
(1001803-0006-0030) 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
(1001803-0014-0031) 抛光浆料
(1001803-0030-0032) CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
(1001803-0011-0033) 用于铜基材的化学机械抛光浆料
(1001803-0039-0034) 浆料、化学机械抛光方法及用浆料形成电容器表面的方法
(1001803-0012-0035) 半导体晶片抛光浆料供应量的控制
(1001803-0021-0036) 一种化学-机械抛光浆料和方法
(1001803-0057-0037) 用于化学机械抛光浆料的辅助剂
(1001803-0019-0038) 用于金属化学机械抛光的新型浆料
(1001803-0017-0039) 用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
(1001803-0043-0040) 抛光浆料及其用途和使用方法
(1001803-0032-0041) 化学机械抛光浆料及抛光基板的方法
(1001803-0055-0042) 抛光浆料，用于信息记录介质的玻璃基材的制造方法和信息记录介质的制造方法
(1001803-0047-0043) 抛光浆料
(1001803-0022-0044) 一种利用瓷质砖抛光废浆制备的墙体材料
(1001803-0004-0045) 改进的抛光浆料和其使用方法
(1001803-0034-0046) 浆料、使用该浆料的化学机械抛光方法以及使用该浆料形成金属布线的方法
(1001803-0020-0047) CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
(1001803-0058-0048) 适用于化学机械抛光的浆料及方法
(1001803-0062-0049) 氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法
(1001803-0061-0050) 抛光浆料及其使用方法
(1001803-0040-0051) 化学机械抛光用的选择性浆料
(1001803-0013-0052) 用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆
(1001803-0005-0053) 用于化学机械抛光的多氧化剂浆料
(1001803-0060-0054) 磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
(1001803-0059-0055) 抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法
(1001803-0041-0056) 制备具有高分散稳定性的抛光浆料的方法
(1001803-0015-0057) 钌-阻挡层抛光浆料
(1001803-0016-0058) 具有用来将浆料保留在抛光垫构造上的凹槽的抛光垫
(1001803-0046-0059) 抛光浆料
(1001803-0050-0060) 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法
(1001803-0044-0061) 抛光浆料
(1001803-0010-0062) 化学机械抛光浆料和其使用方法
(1001803-0023-0063) 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法
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(技术说明) 公开了一种包括：磨料、氧化剂、配合剂、成膜剂和有机氨化合物的第一种化学机械抛光浆料；和包括磨料、氧化剂和乙酸且其中氧化剂与乙酸的比例至少为10的第二种抛光浆料还公开了用第一和第二种抛光浆料顺序抛光含铜和含钽或氮化钽或钽和氮化钽两种的基材的方法。 ， (1001803-0049-0002) 用于半导体浅沟隔离加工的化学机械抛光浆料组合物
(技术说明) 本发明涉及一种用于浅沟隔离的化学机械抛光浆料，更具体地，涉及一种如下组成的化学机械抛光浆料，其包含由去离子水、抛光粒和抛光粒分散剂组成的含水磨料溶液；由羧酸高分子化合物、含氮有机环化合物和胺基化合物组成的含水添加剂溶液。通过在丙烯酸高分子化合物中加入含氮有机环化合物显著地降低氮化物膜的抛光速度，并且通过添加胺基化合物增大氧化硅膜的去除速度，从而可改善该浆料的去除选择性，其中该胺基化合物是一种氧化硅膜的水解促进剂。 ， (1001803-0031-0003) 磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
(技术说明) 本发明揭示一种用于STI CMP(浅槽隔离化学机械抛光)制程的抛光浆料，其为制造256M(mega)D-RAM或更大的超高集成半导体(设计标准为小于或等于0.13μm)所必需，该抛光浆料可以较高移除速率对晶圆进行抛光，与氮化物相比而言，该抛光浆料具有优异的氧化物移除选择性。该抛光浆料可应用于制造超高集成半导体制程中所需的各种图案，因此可确保优异的移除速率、移除选择性和晶圆内不均匀性(within-wafer-nonuniformity，WIWNU)，其表明移除均匀性，并且可将微划痕的发生最小化。 ， (1001803-0048-0004) 抛光浆料
(技术说明) 本发明公开了一种抛光浆料，其包括载体和功能化氧化铝颗粒。本发明的含功能化氧化铝颗粒的抛光浆料稳定性好，功能化氧化铝颗粒易分散；该抛光浆料可降低衬底表面缺陷率提高表面质量，减少总金属损失率，扩大了工艺参数变化范围。 ， (1001803-0024-0005) 用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料
(技术说明) 一种不附聚的氧化铈含水浆料，其具有良好的分散稳定性和优异的抛光生产率并产生较少的划痕，其包含体积平均颗粒尺寸为0.1到0.2μm的氧化铈颗粒，且其特征在于当在1970g0 ， (1001803-0063-0006) 用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光浆料组合物及其制备方法
(技术说明) 本发明公开了一种用于对多晶硅膜进行抛光的化学机械抛光(CMP)浆料组合物以及制备该浆料的方法。所述CMP浆料组合物含有在超纯水中的金属氧化物研磨颗粒和添加剂的混合物，所述添加剂包括非离子氟类表面活性剂和季铵碱。所述CMP浆料能够提供优异的晶片内不均匀性和较高的选择性，并且解决凹陷问题。 ， (1001803-0045-0007) 抛光浆料及其用途
(技术说明) 本发明公开了一种抛光浆料和该抛光浆料在抛光含金属的衬底中的用途，该抛光浆料包括研磨颗粒、载体、Cu2+ ， (1001803-0036-0008) 浆料组合物、制备浆料组合物的方法以及使用浆料组合物抛光物体的方法
(技术说明) 一种包括酸性水溶液，以及两性表面活性剂和*化合物的一种或两种的浆料组合物。两性表面活性剂的例子包括甜菜碱化合物和氨基酸化合物，以及氨基酸化合物的例子包括赖氨酸、脯氨酸和精氨酸。*化合物的例子包括二甘醇、*以及聚*。 ， (1001803-0038-0009) 可调控的去除阻隔物的抛光浆料
(技术说明) 一种用来对半导体基材进行化学机械平坦化的水性浆料。所述浆液包括按重量百分数计0.1-25的氧化剂、0.1-20的平均粒径小于200nm的二氧化硅颗粒、0.005-0.8的用于包覆二氧化硅颗粒的聚乙烯基吡咯烷酮、0.01-10的抑制剂、0.001-10的络合剂和余量的水以及随附杂质，所述水性浆料的pH至少为7。 ， (1001803-0042-0010) 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
(技术说明) 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。 ， (1001803-0035-0011) 抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法
(1001803-0037-0012) 基于氧化铈的抛光工艺和氧化铈基浆料
(1001803-0028-0013) 改变浆料中氧化剂的浓度进行化学机械抛光(CMP)的方法
(1001803-0002-0014) 一种用于存储器硬盘的磁盘基片抛光浆料
(1001803-0029-0015) 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法
(1001803-0009-0016) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
(1001803-0007-0017) 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
(1001803-0056-0018) 用于化学机械抛光的二氧化铈粉末的制备方法及使用该粉末制备化学机械抛光浆料的方法
(1001803-0026-0019) 用于金属的化学机械抛光（CMP）的浆料及其使用
(1001803-0054-0020) 用于钽阻挡层的化学机械抛光浆料
(1001803-0033-0021) 一种化学-机械抛光铜镶嵌结构所用的浆料
(1001803-0025-0022) 铜的化学机械抛光所用的浆料和方法
(1001803-0053-0023) 钽阻挡层用化学机械抛光浆料
(1001803-0003-0024) 化学机械抛光浆料和使用该浆料的化学机械抛光方法
(1001803-0051-0025) 用于阻挡层的化学机械抛光浆料
(1001803-0027-0026) 铈基抛光料和铈基抛光浆料
(1001803-0018-0027) 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
(1001803-0052-0028) 铜的化学机械抛光浆料
(1001803-0001-0029) 不用磨料泥浆的玻璃抛光材料及其使用方法
(1001803-0006-0030) 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
(1001803-0014-0031) 抛光浆料
(1001803-0030-0032) CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
(1001803-0011-0033) 用于铜基材的化学机械抛光浆料
(1001803-0039-0034) 浆料、化学机械抛光方法及用浆料形成电容器表面的方法
(1001803-0012-0035) 半导体晶片抛光浆料供应量的控制
(1001803-0021-0036) 一种化学-机械抛光浆料和方法
(1001803-0057-0037) 用于化学机械抛光浆料的辅助剂
(1001803-0019-0038) 用于金属化学机械抛光的新型浆料
(1001803-0017-0039) 用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
(1001803-0043-0040) 抛光浆料及其用途和使用方法
(1001803-0032-0041) 化学机械抛光浆料及抛光基板的方法
(1001803-0055-0042) 抛光浆料，用于信息记录介质的玻璃基材的制造方法和信息记录介质的制造方法
(1001803-0047-0043) 抛光浆料
(1001803-0022-0044) 一种利用瓷质砖抛光废浆制备的墙体材料
(1001803-0004-0045) 改进的抛光浆料和其使用方法
(1001803-0034-0046) 浆料、使用该浆料的化学机械抛光方法以及使用该浆料形成金属布线的方法
(1001803-0020-0047) CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
(1001803-0058-0048) 适用于化学机械抛光的浆料及方法
(1001803-0062-0049) 氧化铈浆料、氧化铈抛光液以及使用其抛光衬底的方法
(1001803-0061-0050) 抛光浆料及其使用方法
(1001803-0040-0051) 化学机械抛光用的选择性浆料
(1001803-0013-0052) 用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆
(1001803-0005-0053) 用于化学机械抛光的多氧化剂浆料
(1001803-0060-0054) 磨料颗粒、抛光浆料及其制造方法
(1001803-0059-0055) 抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法
(1001803-0041-0056) 制备具有高分散稳定性的抛光浆料的方法
(1001803-0015-0057) 钌-阻挡层抛光浆料
(1001803-0016-0058) 具有用来将浆料保留在抛光垫构造上的凹槽的抛光垫
(1001803-0046-0059) 抛光浆料
(1001803-0050-0060) 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法
(1001803-0044-0061) 抛光浆料
(1001803-0010-0062) 化学机械抛光浆料和其使用方法
(1001803-0023-0063) 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法
制作方法 ，抛光浆料生产加工工艺制备技术大全 制作工艺，抛光浆料生产加工工艺制备技术大全
配方比例， 抛光浆料生产加工工艺制备技术大全 技术研究应用参考，抛光浆料生产加工工艺制备技术大全
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