铜抛光生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2021/4/27
(1001235-0009-0001) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
(技术说明) 公开了一种包括：磨料、氧化剂、配合剂、成膜剂和有机氨化合物的第一种化学机械抛光浆料；和包括磨料、氧化剂和乙酸且其中氧化剂与乙酸的比例至少为10的第二种抛光浆料还公开了用第一和第二种抛光浆料顺序抛光含铜和含钽或氮化钽或钽和氮化钽两种的基材的方法。 ， (1001235-0014-0002) 铜制品抛光剂的制造方法
(技术说明) 本发明公开了一种铜制品抛光剂的制造方法，克服了现有技术的缺点提供一种防锈效果好、价廉的铜材的抛光剂的制造方法。本发明通过下述技术方案予以实现；按重量份：硫酸氢钠140、硫酸钙224、粘土448、粉状石英168、水适量。首先将上述各原材料研成粉末，然后按配方量将各原材料混合，搅拌均匀后加水，继续搅拌，加水的量以混合物生成面团似的粘状物为准。停止加水，把面团状粘状物压进模子成型，并置于空气中干燥，也可稍稍加热干燥。将上述制成的干燥混合物，直接在铜材及铜制品表面擦拭。也可以在湿布或海绵上蘸一些抛光剂，在铜及铜制品觉得表面擦拭，直至擦亮为止。擦毕，再用洁净的干布，把多余的抛光剂擦掉。 ， (1001235-0016-0003) 铜纯化的化学机械抛光后清洗组合物及使用方法
(技术说明) 本发明公开了用于从其上具有化学机械抛光后(CMP)残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的碱性水性清洗组合物和方法。所述碱性水性清洗组合物包括胺、钝化剂和水。所述组合物实现了从所述微电子器件上对所述残留物和污染物材料的高效清洗，同时使金属互连材料钝化。 ， (1001235-0021-0004) 用于铜的低下压力抛光的组合物和方法
(技术说明) 本发明提供了适用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂0.1至1wt％的非铁金属抑制剂0.05至3wt％该非铁金属的配位剂0.01至5wt％的羧酸聚合物0.01至5wt％的改性纤维素0.05至10wt％的含磷化合物和0至10wt％的研磨剂，其中该含磷化合物可增加铜的去除。 ， (1001235-0036-0005) ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法
(技术说明) 本发明涉及一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法，其特征是：在碱性条件下选取高浓度的SiO2 (1001235-0012-0006) 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
(技术说明) 本发明叙述了用于清洁处理经过化学机械抛光后的半导体衬底的溶液，方法和设备。本发明包括了一种清洁溶液，为去离子水、有机化合物以及铵化合物的混合，产生酸性pH条件，用于清洁处理经过抛光铜层的半导体衬底表面。所述的清洁处理经过铜化学机械抛光后的半导体衬底的方法，缓解了有关刷子载物及表面和表面下污染的问题。 (1001235-0031-0007) 抛光和/或清洁铜互连和/或薄膜的方法及所用组合物
(技术说明) 本发明提供了使用磺酸组合物抛光和/或清洁铜互连的方法。 (1001235-0039-0008) H62黄铜抛光液及其制备方法
(技术说明) H62黄铜专用抛光液及其制备方法属于精密机械抛光领域。普通抛光液不能很好地满足塑性金属材料精密镜面加工而开发的一种专用的抛光液。抛光液由粒径为0.5～1.0μm的Al2 (1001235-0040-0009) 用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物
(技术说明) 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5-氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu2+ (1001235-0038-0010) 铜的化学机械抛光浆料
(技术说明) 本发明公开了一种铜的化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其共聚物、氧化剂和载体。本发明的化学机械抛光浆料可以防止金属材料的局部和整体腐蚀，减少衬底表面污染物，降低研磨颗粒的含量提高钽的去除速率和降低铜的去除速率，从而获得不同基底的抛光选择性。 (1001235-0005-0011) 铜锌合金表面的电抛光方法
(1001235-0026-0012) 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法
(1001235-0027-0013) 化学机械抛光铜表面用的腐蚀延迟抛光浆液
(1001235-0013-0014) 抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
(1001235-0025-0015) 铜的化学机械抛光所用的浆料和方法
(1001235-0035-0016) ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法
(1001235-0002-0017) 研磨无机氧化物颗粒的浆液以及含铜表面的抛光方法
(1001235-0010-0018) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
(1001235-0008-0019) 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
(1001235-0017-0020) 用于铜布线化学机械抛光的清洗液提供装置
(1001235-0030-0021) 抛光和/或清洁铜互连和/或薄膜的方法及所用的组合物
(1001235-0028-0022) 一种化学-机械抛光铜镶嵌结构所用的浆料
(1001235-0024-0023) 用于抛光铜基金属的浆
(1001235-0023-0024) 铜和阻障层之整合化学机械抛光的方法和设备
(1001235-0011-0025) 用于铜基材的化学机械抛光浆料
(1001235-0001-0026) 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
(1001235-0032-0027) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
(1001235-0019-0028) 铜-氧化物大马士革结构的化学机械抛光
(1001235-0006-0029) 用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
(1001235-0018-0030) 在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法
(1001235-0029-0031) 使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
(1001235-0034-0032) 用于铜和相关材料的改进的化学机械抛光组合物及其使用方法
(1001235-0015-0033) 铜片衬底的半固着磨粒抛光方法
(1001235-0041-0034) 铜/钌基板的化学机械抛光
(1001235-0022-0035) 用于抛光铜的组合物和方法
(1001235-0004-0036) 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
(1001235-0003-0037) 铜化学－机械抛光工艺用抛光液
(1001235-0037-0038) ULSI多层铜布线化学机械抛光中粗糙度的控制方法
(1001235-0007-0039) 铜基材料表层的机械化学抛光方法
(1001235-0033-0040) 用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物
(1001235-0020-0041) 用于铜的受控抛光的组合物和方法
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(技术说明) 公开了一种包括：磨料、氧化剂、配合剂、成膜剂和有机氨化合物的第一种化学机械抛光浆料；和包括磨料、氧化剂和乙酸且其中氧化剂与乙酸的比例至少为10的第二种抛光浆料还公开了用第一和第二种抛光浆料顺序抛光含铜和含钽或氮化钽或钽和氮化钽两种的基材的方法。 ， (1001235-0014-0002) 铜制品抛光剂的制造方法
(技术说明) 本发明公开了一种铜制品抛光剂的制造方法，克服了现有技术的缺点提供一种防锈效果好、价廉的铜材的抛光剂的制造方法。本发明通过下述技术方案予以实现；按重量份：硫酸氢钠140、硫酸钙224、粘土448、粉状石英168、水适量。首先将上述各原材料研成粉末，然后按配方量将各原材料混合，搅拌均匀后加水，继续搅拌，加水的量以混合物生成面团似的粘状物为准。停止加水，把面团状粘状物压进模子成型，并置于空气中干燥，也可稍稍加热干燥。将上述制成的干燥混合物，直接在铜材及铜制品表面擦拭。也可以在湿布或海绵上蘸一些抛光剂，在铜及铜制品觉得表面擦拭，直至擦亮为止。擦毕，再用洁净的干布，把多余的抛光剂擦掉。 ， (1001235-0016-0003) 铜纯化的化学机械抛光后清洗组合物及使用方法
(技术说明) 本发明公开了用于从其上具有化学机械抛光后(CMP)残留物、蚀刻后残留物和/或污染物的微电子器件上清洗所述残留物和污染物的碱性水性清洗组合物和方法。所述碱性水性清洗组合物包括胺、钝化剂和水。所述组合物实现了从所述微电子器件上对所述残留物和污染物材料的高效清洗，同时使金属互连材料钝化。 ， (1001235-0021-0004) 用于铜的低下压力抛光的组合物和方法
(技术说明) 本发明提供了适用于在至少小于20.68kPa的下压力下抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含1至15wt％的氧化剂0.1至1wt％的非铁金属抑制剂0.05至3wt％该非铁金属的配位剂0.01至5wt％的羧酸聚合物0.01至5wt％的改性纤维素0.05至10wt％的含磷化合物和0至10wt％的研磨剂，其中该含磷化合物可增加铜的去除。 ， (1001235-0036-0005) ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法
(技术说明) 本发明涉及一种ULSI多层铜布线化学机械抛光中平整度的控制方法，其特征是：在碱性条件下选取高浓度的SiO2 (1001235-0012-0006) 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
(技术说明) 本发明叙述了用于清洁处理经过化学机械抛光后的半导体衬底的溶液，方法和设备。本发明包括了一种清洁溶液，为去离子水、有机化合物以及铵化合物的混合，产生酸性pH条件，用于清洁处理经过抛光铜层的半导体衬底表面。所述的清洁处理经过铜化学机械抛光后的半导体衬底的方法，缓解了有关刷子载物及表面和表面下污染的问题。 (1001235-0031-0007) 抛光和/或清洁铜互连和/或薄膜的方法及所用组合物
(技术说明) 本发明提供了使用磺酸组合物抛光和/或清洁铜互连的方法。 (1001235-0039-0008) H62黄铜抛光液及其制备方法
(技术说明) H62黄铜专用抛光液及其制备方法属于精密机械抛光领域。普通抛光液不能很好地满足塑性金属材料精密镜面加工而开发的一种专用的抛光液。抛光液由粒径为0.5～1.0μm的Al2 (1001235-0040-0009) 用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物
(技术说明) 本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5-氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu2+ (1001235-0038-0010) 铜的化学机械抛光浆料
(技术说明) 本发明公开了一种铜的化学机械抛光浆料，其包括研磨颗粒、有机膦酸、聚丙烯酸类和/或其共聚物、氧化剂和载体。本发明的化学机械抛光浆料可以防止金属材料的局部和整体腐蚀，减少衬底表面污染物，降低研磨颗粒的含量提高钽的去除速率和降低铜的去除速率，从而获得不同基底的抛光选择性。 (1001235-0005-0011) 铜锌合金表面的电抛光方法
(1001235-0026-0012) 抛光包括铜和钨的半导体器件结构中使用的浆液与固定磨料型抛光垫以及抛光方法
(1001235-0027-0013) 化学机械抛光铜表面用的腐蚀延迟抛光浆液
(1001235-0013-0014) 抛光混合物和减少硅晶片中的铜混入的方法
(1001235-0025-0015) 铜的化学机械抛光所用的浆料和方法
(1001235-0035-0016) ULSI多层铜布线化学机械抛光中碟形坑的控制方法
(1001235-0002-0017) 研磨无机氧化物颗粒的浆液以及含铜表面的抛光方法
(1001235-0010-0018) 用于铜/钽基材的化学机械抛光浆料
(1001235-0008-0019) 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
(1001235-0017-0020) 用于铜布线化学机械抛光的清洗液提供装置
(1001235-0030-0021) 抛光和/或清洁铜互连和/或薄膜的方法及所用的组合物
(1001235-0028-0022) 一种化学-机械抛光铜镶嵌结构所用的浆料
(1001235-0024-0023) 用于抛光铜基金属的浆
(1001235-0023-0024) 铜和阻障层之整合化学机械抛光的方法和设备
(1001235-0011-0025) 用于铜基材的化学机械抛光浆料
(1001235-0001-0026) 超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液
(1001235-0032-0027) 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液
(1001235-0019-0028) 铜-氧化物大马士革结构的化学机械抛光
(1001235-0006-0029) 用于铜的化学机械抛光(CMP)浆液以及用于集成电路制造的方法
(1001235-0018-0030) 在铜CMP中采用不包含氧化剂的抛光流体的第二步骤抛光方法
(1001235-0029-0031) 使用磺化两性试剂的铜化学机械抛光溶液
(1001235-0034-0032) 用于铜和相关材料的改进的化学机械抛光组合物及其使用方法
(1001235-0015-0033) 铜片衬底的半固着磨粒抛光方法
(1001235-0041-0034) 铜/钌基板的化学机械抛光
(1001235-0022-0035) 用于抛光铜的组合物和方法
(1001235-0004-0036) 超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液
(1001235-0003-0037) 铜化学－机械抛光工艺用抛光液
(1001235-0037-0038) ULSI多层铜布线化学机械抛光中粗糙度的控制方法
(1001235-0007-0039) 铜基材料表层的机械化学抛光方法
(1001235-0033-0040) 用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物
(1001235-0020-0041) 用于铜的受控抛光的组合物和方法
制作方法 ，铜抛光生产加工工艺制备技术大全 制作工艺，铜抛光生产加工工艺制备技术大全
配方比例， 铜抛光生产加工工艺制备技术大全 技术研究应用参考，铜抛光生产加工工艺制备技术大全
购买以上《铜抛光生产加工工艺制备技术大全》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
