(1001479-0745-0001) 防震防静电注塑包装垫板
(技术说明) 本实用新型是一种防震防静电注塑包装垫板。所述防震防静电注塑包装垫板由实心注塑板构成,实心注塑板正面设有多个凹槽,每个凹槽里面设有支撑结构;所述支撑结构为球形支撑点;所述多个凹槽整齐排列连成一片,但彼此互不连通,每个凹槽内都设有四个球形支撑点;所述多个凹槽整齐排列连成一片,每个凹槽彼此连通,每个凹槽内都设有四个的球形支撑点;由于包装垫板上设有多个凹槽,所以包装时不会出现产品与包装材料大面积接触的情况,使产品表面洁净度不受到被破坏;由于凹槽内设有球形支撑点,所以在包装时,触球形支撑点起到对产品的支撑作用,这种点接触结构可以控制产品在运输过程中的震动范围,起到保护产品的作用。
, (1001479-0509-0002) 用于非织造工艺的防静电传送带
(技术说明) 在用于生产非织造织物(12)、结构或制品的装置中,组合使用非织造法和含有导电材料(22)的传送带(18),以消散静电荷同时保持理想的透气性。
, (1001479-0646-0003) 一种防静电玻璃钢模压活动地板砖
(技术说明) 本实用新型公开了一种防静电玻璃钢模压活动地板砖,其目的是提供一种承载大且防静电效果好,适用于计算机房、电路原件生产车间、电子程控机房等有超洁净及防静电要求场所的活动地板砖。采用技术方案为:一种防静电玻璃钢模压活动地板砖,其特征为:它包含有由防腐蚀阻燃面层(1)、中间层(2)与底面设有加强筋(31)的加强层(3)依次由上而下铺设叠落且模压为一体构成。该地板砖具有高承载、防静电、阻燃及耐磨性能,即荷载在20KN时单板挠度小于2.5mm;极限载荷达到35KN不破坏;阻燃效果达到FV0级国家标准要求、耐磨性能符合SJ/T11236-2001要求;其安装方便且不需专业人员操作,易于推广应用。
, (1001479-0620-0004) 静电放电防护的传感器与电路
(技术说明) 一种用于静电放电防护的传感器,该传感器包括一分压电路及一耦接至该分压电路的组件。该传感器是耦接至该传感器的输入端,其中,当静电放电脉冲施于传感器的输入端时,一电压会跨降于分压电路上,且会在传感器的输出端产生一高态电压。当静电放电脉冲施于传感器的输入端时,该组件可维持传感器的输出端的高态电压。
, (1001479-0079-0005) 防静电电位放电的电接头
(技术说明) 一种电接头(10)在一个壳体(12)中有一排接触件(14),并包括添加到壳体上的一个导电件(50),不接合地邻近接触件,沿着导电件(50)的本体段(52)在导电件之间比如在突起(58)处形成放电间隙(80)。板安装段(56)由该导电件伸展,并被容纳进电路件(30)的安装孔(36)中,以便建立与底板地线的连接,从而建立一个持续的静电电位放电装置,用来当一台电子仪器在一个输入/输出口上连接到另一台仪器上时,甚至当未被配合时保护该电子仪器的电路和部件。
, (1001479-0430-0006) 防静电钱包
(技术说明) 本发明防静电钱包,在钱包里用防静电材料制成防静电仓,用来放置需要保护的电子小配件,如手机SIM卡、各种闪存卡、内存条等。本发明与已有技术相比,构造简单,形式多样,适用面广有利于保护易受静电破坏的电子小配件。
(1001479-0636-0008) 防静电紧密纺纱用吸聚圈
(技术说明) 本实用新型涉及纺纱行业,具体地说是一种防静电紧密纺纱用吸聚圈。按照本实用新型所提供的设计方案,由经线与纬线编织成管状,其特征是:在经线或/和纬线中,至少有1根是导电纤维。在管状吸聚圈的两端部设置起传动作用的传动区,在吸聚圈的中部设置起吸聚作用的吸聚区,在吸聚区密布由经纬线交织成的孔。由于在吸聚圈上设置了起吸聚作用的吸聚区与起传动作用的传动区,从而避免了吸聚圈与传动轮间不同步问题。由于在吸聚圈上织入了导电纤维,从而消除了吸聚圈与棉、毛织物间产生的静电,避免了堵塞吸聚圈气孔的问题。
, (1001479-0403-0009) 电子发射装置和防止静电电荷积聚的方法
(技术说明) 本发明公开一种具有导电层的电子发射装置,该导电层用于防止在该装置的绝缘层上积聚静电荷,该装置不需独立的驱动电路。该装置包括阴极电极,该阴极电极形成于基板上且通过形成于阴极电极上的绝缘层与栅极电极分开。阴极和栅极电极的交点形成显示区域,而在易受静电荷积聚影响的绝缘层的非显示区形成导电层,平行于阴极或栅极电极,一般通过绝缘层与这些电极分开。在装置的真空室外,导电层电连接于它们对应的电极。由此形成和连接的导电层将装置内部绝缘层上的静电荷释放至外部电路。
, (1001479-0036-0010) 具有静电防护能力的输出缓冲器
(技术说明) 一种具有静电防护能力的输出缓冲器,其是在横向控整流器结构中插入一个短通道薄氧化层P__MOS元件构成的PTLSCR元件,和一个在横向硅控整流器结构中插入一个短通道薄氧化层NMOS元件构成的NT__LSCR元件构成;这些元件将横向硅控整流器的导通电压由原来的开关电压降低至这些金氧半导体元件的快反向击穿电压;电路还包括两个寄生二极管;即在输出缓冲器和VDD之间的二极管,和在输出缓冲器和VSS之间的二极管。
, (1001479-0334-0011) 静电放电防护电路及静电放电防护方法
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