硅烷膜生产加工工艺制备技术大全
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2021/4/27
(1002329-0019-0001) 一种梯形聚硅氧烷为基体的液晶定向膜及其制备方法和用途
(技术说明) 以梯形聚有机倍半硅氧烷为基本骨架的含竖接型或侧接型取代侧链和基团的梯形高分子衍生物在玻璃基板和ＩＴＯ导电表层上形成的高分子固化膜，沿一定方向摩擦后，形成对液晶分子有定向作用的定向层。新型定向层可以从梯形高分子在通用溶剂如*，*的溶液通过旋转涂膜法（ｓｐｉｎ－ｃｏａｔｉｎｇ）制得，固定化温度为１５０—１８０℃，预倾角可在较大范围内调节，定向层的长期稳定性、重复性好。 ， (1002329-0097-0002) 玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法，采用表面经过羟基化处理的玻璃基片作为基底材料，将基片浸入氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，然后将表面组装了氨基硅烷的基片置入含有三氯氧化磷和23，5-三甲基吡啶的氰化*溶液中，静置一段时间后，薄膜表面将组装上磷酸基团，再将基片置入经稀土改性后的碳纳米管悬浮液，在20～60℃静置4～16小时，取出用大量去离子水冲洗，冲洗后用氮气吹干，这样就得到表面沉积有改性碳纳米管复合薄膜的玻璃基片。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的碳纳米管复合薄膜有明显减摩、耐磨作用。 ， (1002329-0089-0003) 玻璃基片表面自组装硅烷纳米膜的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种玻璃基片表面自组装硅烷纳米膜的制备方法，属于薄膜制备领域。首先对玻璃基片进行羟基化预处理，将玻璃基片浸入Pirahan溶液中，于室温下处理60分钟，再用去离子水超声清洗后，放在一个防尘装置内，在烘箱中干燥。将处理后的玻璃基片浸入配置好的γ-巯丙基三甲氧基硅烷溶液中，静置40～60分钟取出，清洗后在100～120℃下保温30～60分钟，在干燥器中冷却。再将玻璃基片浸入配置好的γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷溶液中，静置5～15分钟取出，清洗后用氮气吹干，即获得硅烷纳米膜。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的硅烷纳米膜有明显减摩作用和抗磨损性能。 ， (1002329-0092-0004) 剥离膜用硅氧烷组合物
(技术说明) 本发明提供一种可形成对塑料薄膜的密合性改良了的剥离层的硅氧烷组合物。该硅氧烷组合物的特征在于，在以聚有机硅氧烷为主成分的剥离膜用硅氧烷组合物中，相对于100质量份上述(A)聚有机硅氧烷，含有下述物质：0.3～3质量份(B)二苯基烷烃衍生物与具有至少一个有机氧基的聚有机硅氧烷衍生物的加成物；和0.1～2质量份(C)与氮原子键合的取代基中的至少一个具有环氧基或三烷氧基甲硅烷基的异氰脲酸酯。 ， (1002329-0059-0005) 用多面体分子倍半硅氧烷，形成半导体器件用层间电介质膜的方法
(技术说明) 此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂(微孔生成物)，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且把组合物涂敷在基板上以形成半导体器件所用的层间电介质膜。由本方法形成的层间电介质膜具有低介电常数并显示出优良的机械特性。 ， (1002329-0057-0006) 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(技术说明) 一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷-稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片放入王水中，对单晶硅片进行预处理，清洗、干燥后浸入巯基硅烷溶液中，静置8小时后取出，冲洗后用氮气吹干置于由稀土化合物、乙醇、*四乙酸、*、尿素及*组成的稀土自组装溶液中进行组装，即获得巯基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在单晶硅片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。 ， (1002329-0104-0007) 从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法
(技术说明) 从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法。本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化硅薄膜。所述的有机氨基硅烷类化合物由上图表示：二异丙基氨基硅烷的用途是形成氧化硅薄膜的优选前体。 ， (1002329-0037-0008) 处理聚硅氮烷膜的方法
(技术说明) 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。 ， (1002329-0083-0009) 玻璃基片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种玻璃基片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法，采用表面经过羟基化处理的玻璃基片作为基底材料，将基片浸入氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，最后将表面附有氨基硅烷薄膜的基片置入由乙醇、稀土化合物、*四乙酸、*、尿素、*配制的稀土自组装溶液中，获得氨基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的稀土自组装膜有明显减摩、耐磨和抗粘着作用。 ， (1002329-0073-0010) 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(技术说明) 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装法制备磺酸基硅烷，然后用溶胶-凝胶法在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜，首先将单晶硅片浸泡在王水中加热5～6小时，取出用去离子水清洗，置入羟基化溶液，室温下处理1小时，清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于*中，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将基片置入溶胶溶液，静置后提拉，放入烘箱干燥后把覆有复合薄膜的样品放入马弗炉，缓慢升温至500℃，在炉内冷却至室温即得到稀土纳米薄膜。本发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1，具有十分明显的减摩作用。 ， (1002329-0034-0011) 硅烷交联的复合的双向抗拉聚合物膜
(1002329-0050-0012) 用于含聚硅氮烷涂布膜的亲水性促进和亲水性保持剂
(1002329-0028-0013) 制备硅氧烷低聚物溶液的方法以及由该溶液形成的有机聚硅氧烷薄膜
(1002329-0091-0014) 硅氧烷离型组合物和使用该组合物的硅氧烷离型塑料膜
(1002329-0006-0015) 通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
(1002329-0007-0016) 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
(1002329-0003-0017) 透明聚硅氧烷涂覆膜形成用组合物及其固化方法
(1002329-0013-0018) 用于制备防粘附有机聚硅氧烷膜的有机聚硅氧烷混合物
(1002329-0056-0019) 聚硅氧烷薄膜及其制备方法
(1002329-0068-0020) 含磷硅氮烷组合物、含磷硅质膜、含磷硅质填料、用于生产含磷硅质膜的方法和半导体装置
(1002329-0081-0021) 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
(1002329-0041-0022) 硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
(1002329-0064-0023) 含有至少一种杂聚物和至少一种成膜硅氧烷树脂的化妆用组合物及其使用方法
(1002329-0062-0024) 利用硅氧烷水乳液脱模液生产剥离薄膜的方法
(1002329-0090-0025) 玻璃基片表面自组装硅烷稀土复合纳米膜的制备方法
(1002329-0004-0026) 在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的方法
(1002329-0009-0027) 将含低含量的功能性聚合硅氧烷和非功能性聚合硅氧烷的薄膜涂布于薄页纸的方法
(1002329-0109-0028) 二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源
(1002329-0110-0029) 亲和性的明胶-环氧基硅烷-阳极氧化铝复合膜的制备方法
(1002329-0094-0030) π电子共轭类有机硅烷化合物、功能性有机薄膜及它们的制造方法
(1002329-0049-0031) 多官能环状硅酸盐（或酯）化合物，由该化合物制得的基于硅氧烷的聚合物和使用该聚合物制备绝缘膜的方法
(1002329-0022-0032) 含成膜聚合物和聚有机硅氧烷的水分散体的化妆品组合物
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(1002329-0080-0034) 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
(1002329-0029-0035) 电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺
(1002329-0108-0036) 用于减反射聚合物膜的包含烯属硅烷的含氟聚合物涂料组合物
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(1002329-0020-0038) 一种光敏性梯形聚硅氧烷为基材的液晶定向膜及其制备方法
(1002329-0015-0039) 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法
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(1002329-0111-0041) 亲和性的明胶-氨基硅烷-阳极氧化铝复合膜的制备方法
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(1002329-0101-0081) 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
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(1002329-0023-0111) 包括成膜聚合物和氧化烯化的聚硅氧烷的粘结剂组合物
(1002329-0052-0112) 玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(1002329-0047-0113) 多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法
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(1002329-0055-0116) 用硅氧烷聚合物和成膜树脂结构化的化妆品组合物
(1002329-0085-0117) 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
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(技术说明) 以梯形聚有机倍半硅氧烷为基本骨架的含竖接型或侧接型取代侧链和基团的梯形高分子衍生物在玻璃基板和ＩＴＯ导电表层上形成的高分子固化膜，沿一定方向摩擦后，形成对液晶分子有定向作用的定向层。新型定向层可以从梯形高分子在通用溶剂如*，*的溶液通过旋转涂膜法（ｓｐｉｎ－ｃｏａｔｉｎｇ）制得，固定化温度为１５０—１８０℃，预倾角可在较大范围内调节，定向层的长期稳定性、重复性好。 ， (1002329-0097-0002) 玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种玻璃基片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法，采用表面经过羟基化处理的玻璃基片作为基底材料，将基片浸入氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，然后将表面组装了氨基硅烷的基片置入含有三氯氧化磷和23，5-三甲基吡啶的氰化*溶液中，静置一段时间后，薄膜表面将组装上磷酸基团，再将基片置入经稀土改性后的碳纳米管悬浮液，在20～60℃静置4～16小时，取出用大量去离子水冲洗，冲洗后用氮气吹干，这样就得到表面沉积有改性碳纳米管复合薄膜的玻璃基片。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的碳纳米管复合薄膜有明显减摩、耐磨作用。 ， (1002329-0089-0003) 玻璃基片表面自组装硅烷纳米膜的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种玻璃基片表面自组装硅烷纳米膜的制备方法，属于薄膜制备领域。首先对玻璃基片进行羟基化预处理，将玻璃基片浸入Pirahan溶液中，于室温下处理60分钟，再用去离子水超声清洗后，放在一个防尘装置内，在烘箱中干燥。将处理后的玻璃基片浸入配置好的γ-巯丙基三甲氧基硅烷溶液中，静置40～60分钟取出，清洗后在100～120℃下保温30～60分钟，在干燥器中冷却。再将玻璃基片浸入配置好的γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷溶液中，静置5～15分钟取出，清洗后用氮气吹干，即获得硅烷纳米膜。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的硅烷纳米膜有明显减摩作用和抗磨损性能。 ， (1002329-0092-0004) 剥离膜用硅氧烷组合物
(技术说明) 本发明提供一种可形成对塑料薄膜的密合性改良了的剥离层的硅氧烷组合物。该硅氧烷组合物的特征在于，在以聚有机硅氧烷为主成分的剥离膜用硅氧烷组合物中，相对于100质量份上述(A)聚有机硅氧烷，含有下述物质：0.3～3质量份(B)二苯基烷烃衍生物与具有至少一个有机氧基的聚有机硅氧烷衍生物的加成物；和0.1～2质量份(C)与氮原子键合的取代基中的至少一个具有环氧基或三烷氧基甲硅烷基的异氰脲酸酯。 ， (1002329-0059-0005) 用多面体分子倍半硅氧烷，形成半导体器件用层间电介质膜的方法
(技术说明) 此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂(微孔生成物)，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且把组合物涂敷在基板上以形成半导体器件所用的层间电介质膜。由本方法形成的层间电介质膜具有低介电常数并显示出优良的机械特性。 ， (1002329-0057-0006) 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(技术说明) 一种单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷-稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片放入王水中，对单晶硅片进行预处理，清洗、干燥后浸入巯基硅烷溶液中，静置8小时后取出，冲洗后用氮气吹干置于由稀土化合物、乙醇、*四乙酸、*、尿素及*组成的稀土自组装溶液中进行组装，即获得巯基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在单晶硅片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。 ， (1002329-0104-0007) 从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法
(技术说明) 从有机氨基硅烷前体制备氧化硅薄膜的方法。本发明涉及一种通过CVD在底物上沉积氧化硅层的方法。其中烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体在氧化剂存在下的反应允许形成氧化硅薄膜。所述的有机氨基硅烷类化合物由上图表示：二异丙基氨基硅烷的用途是形成氧化硅薄膜的优选前体。 ， (1002329-0037-0008) 处理聚硅氮烷膜的方法
(技术说明) 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。 ， (1002329-0083-0009) 玻璃基片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
(技术说明) 本发明涉及一种玻璃基片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法，采用表面经过羟基化处理的玻璃基片作为基底材料，将基片浸入氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，最后将表面附有氨基硅烷薄膜的基片置入由乙醇、稀土化合物、*四乙酸、*、尿素、*配制的稀土自组装溶液中，获得氨基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的稀土自组装膜有明显减摩、耐磨和抗粘着作用。 ， (1002329-0073-0010) 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(技术说明) 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装法制备磺酸基硅烷，然后用溶胶-凝胶法在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜，首先将单晶硅片浸泡在王水中加热5～6小时，取出用去离子水清洗，置入羟基化溶液，室温下处理1小时，清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于*中，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将基片置入溶胶溶液，静置后提拉，放入烘箱干燥后把覆有复合薄膜的样品放入马弗炉，缓慢升温至500℃，在炉内冷却至室温即得到稀土纳米薄膜。本发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1，具有十分明显的减摩作用。 ， (1002329-0034-0011) 硅烷交联的复合的双向抗拉聚合物膜
(1002329-0050-0012) 用于含聚硅氮烷涂布膜的亲水性促进和亲水性保持剂
(1002329-0028-0013) 制备硅氧烷低聚物溶液的方法以及由该溶液形成的有机聚硅氧烷薄膜
(1002329-0091-0014) 硅氧烷离型组合物和使用该组合物的硅氧烷离型塑料膜
(1002329-0006-0015) 通过使用三(二甲基氨基)硅烷的原子层沉积形成含硅薄膜的方法
(1002329-0007-0016) 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
(1002329-0003-0017) 透明聚硅氧烷涂覆膜形成用组合物及其固化方法
(1002329-0013-0018) 用于制备防粘附有机聚硅氧烷膜的有机聚硅氧烷混合物
(1002329-0056-0019) 聚硅氧烷薄膜及其制备方法
(1002329-0068-0020) 含磷硅氮烷组合物、含磷硅质膜、含磷硅质填料、用于生产含磷硅质膜的方法和半导体装置
(1002329-0081-0021) 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
(1002329-0041-0022) 硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
(1002329-0064-0023) 含有至少一种杂聚物和至少一种成膜硅氧烷树脂的化妆用组合物及其使用方法
(1002329-0062-0024) 利用硅氧烷水乳液脱模液生产剥离薄膜的方法
(1002329-0090-0025) 玻璃基片表面自组装硅烷稀土复合纳米膜的制备方法
(1002329-0004-0026) 在功能化有机硅烷自组装单层薄膜表面制备氧化锆陶瓷薄膜的方法
(1002329-0009-0027) 将含低含量的功能性聚合硅氧烷和非功能性聚合硅氧烷的薄膜涂布于薄页纸的方法
(1002329-0109-0028) 二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源
(1002329-0110-0029) 亲和性的明胶-环氧基硅烷-阳极氧化铝复合膜的制备方法
(1002329-0094-0030) π电子共轭类有机硅烷化合物、功能性有机薄膜及它们的制造方法
(1002329-0049-0031) 多官能环状硅酸盐（或酯）化合物，由该化合物制得的基于硅氧烷的聚合物和使用该聚合物制备绝缘膜的方法
(1002329-0022-0032) 含成膜聚合物和聚有机硅氧烷的水分散体的化妆品组合物
(1002329-0077-0033) 硅烷官能的聚乙烯醇在剥离纸及剥离膜的底漆中的用途
(1002329-0080-0034) 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
(1002329-0029-0035) 电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺
(1002329-0108-0036) 用于减反射聚合物膜的包含烯属硅烷的含氟聚合物涂料组合物
(1002329-0079-0037) 聚酰亚胺硅氧烷/聚酰亚胺两面异性复合膜的制备方法
(1002329-0020-0038) 一种光敏性梯形聚硅氧烷为基材的液晶定向膜及其制备方法
(1002329-0015-0039) 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法
(1002329-0066-0040) 由具有官能团的硅烷形成的传导膜
(1002329-0111-0041) 亲和性的明胶-氨基硅烷-阳极氧化铝复合膜的制备方法
(1002329-0046-0042) 新颖的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的间层绝缘膜
(1002329-0045-0043) 硅烷交联壳聚糖膜基的流动注射化学发光免疫检测池及制备方法
(1002329-0010-0044) 含硅氧烷树脂和粘土的聚合物薄膜
(1002329-0086-0045) 通过使用双有机硅氧烷前体制备低介电常数膜的方法
(1002329-0038-0046) 加成型聚硅氧烷系剥离剂组合物以及剥离薄膜
(1002329-0103-0047) 环氧防腐涂料组合物、防腐涂膜和有机聚硅氧烷系防污性复合涂膜以及用该复合涂膜覆盖的船舶或水中构造物
(1002329-0032-0048) 硅烷交联的拉伸定向的高强度聚合物膜
(1002329-0114-0049) 使用分离膜回收烷氧基硅烷的方法
(1002329-0035-0050) 有机聚硅氧烷类防污涂膜用粘结层、复合涂膜及以该涂膜被覆的涂装船舶、水中结构物
(1002329-0112-0051) 用于薄膜的无溶剂硅氧烷脱模剂组合物,和使用该组合物的剥离薄膜
(1002329-0024-0052) 用于制造绝缘薄膜的烷氧基硅烷/有机聚合物组合物及其用途
(1002329-0099-0053) 具有改进抗污物性和改进粘合性的具有核膜粒子的硅氧烷面漆
(1002329-0071-0054) 含确定的硅氧烷聚合物和成膜剂的化妆组合物
(1002329-0060-0055) 有机硅氧烷共聚物膜、其制造方法以及生长装置和使用该共聚物膜的半导体装置
(1002329-0084-0056) 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
(1002329-0063-0057) 硅氧烷水乳剥离液和使用它的隔离膜
(1002329-0026-0058) 封端的硅氧烷膜及其制造方法
(1002329-0102-0059) 对*芳烃敏感的单分子层聚硅烷荧光传感薄膜的制备方法
(1002329-0117-0060) 含有硅烷醇官能化聚合物的组合物和相应的亲水性涂料膜
(1002329-0025-0061) 硅烷基多纳米孔隙二氧化硅薄膜
(1002329-0088-0062) 聚硅氧烷基电介质涂层和膜在光致电压中的应用
(1002329-0070-0063) 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
(1002329-0087-0064) 包含成膜聚合物的水性分散体和硅氧烷聚醚的涂料组合物、它们制备方法和用途
(1002329-0011-0065) 含氨基官能团硅烷底涂料的可挤压涂敷的聚酯薄膜及其挤压涂敷的层合薄膜
(1002329-0018-0066) 不含硅氧烷的剥离膜
(1002329-0058-0067) 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(1002329-0105-0068) 成膜聚硅氧烷乳液组合物
(1002329-0001-0069) 感光性聚硅氮烷组合物、采用该组合物形成图案的方法及烧结其涂层膜的方法
(1002329-0043-0070) 具有硅氧烷聚合物界面的有机薄膜晶体管
(1002329-0082-0071) 玻璃基片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
(1002329-0078-0072) 正型感光性硅氧烷组合物、由其形成的固化膜、以及具备固化膜的元件
(1002329-0113-0073) 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
(1002329-0012-0074) 底层涂有氨基官能团硅烷的聚酯薄膜及其薄膜层压制品
(1002329-0027-0075) 有机氢化硅氧烷树脂介电膜
(1002329-0033-0076) 硅烷交联的聚乙烯土工膜
(1002329-0076-0077) 有机硅氧烷树脂以及使用该有机硅氧烷树脂的绝缘膜
(1002329-0008-0078) 高级硅烷组合物及使用该组合物的硅膜形成方法
(1002329-0069-0079) 硅烷聚合物及硅膜的形成方法
(1002329-0005-0080) 新的聚硅氧烷聚合物的制备方法,用该方法制备的聚硅氧烷聚合物,热固性树脂组合物,树脂膜,贴有绝缘材料的金属箔,两面贴有金属箔的绝缘膜,贴有金属的层压板,多层贴有金属的层压板和多层印刷电路布线板
(1002329-0101-0081) 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
(1002329-0075-0082) 玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
(1002329-0031-0083) 基于二氯甲硅烷的化学汽相淀积多晶硅化物膜中异常生长的控制
(1002329-0054-0084) 含至少一种采用至少一种聚硅氧烷-聚酰胺聚合物结构化的油和至少一种成膜聚合物的组合物及其方法
(1002329-0072-0085) 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
(1002329-0116-0086) 亲和性的壳聚糖-氨基硅烷-阳极氧化铝复合膜的制备方法
(1002329-0030-0087) 用烷基硅氧烷低聚物和臭氧化学气相沉积氧化硅薄膜
(1002329-0093-0088) 有机硅氧烷膜、使用它的半导体器件及平面显示器件以及原料液
(1002329-0040-0089) 以包含药物、成膜聚硅氧烷和至少一种挥发性溶剂为基础的经皮药物的控制释放
(1002329-0115-0090) 形成用于传感器应用的半渗透膜的可光聚合的聚硅氧烷材料
(1002329-0039-0091) 利用改性聚二甲基硅氧烷高分子膜提浓的纤维素乙醇工艺
(1002329-0067-0092) 具有改进粘合聚合膜的可固化硅氧烷组合物
(1002329-0044-0093) 硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜
(1002329-0107-0094) 环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
(1002329-0014-0095) 显示非线性光学效应和液晶性的梯形聚硅氧烷及功能膜
(1002329-0100-0096) 包括包含透明硅氧烷和磷光体的可图案化的膜的半导体发光器件及其制造方法
(1002329-0042-0097) 包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
(1002329-0096-0098) 含侧链型有机硅烷化合物，薄膜晶体管及其制造方法
(1002329-0098-0099) 有机硅烷化合物及其制备方法和使用该化合物的有机薄膜
(1002329-0048-0100) 环氧硅氧烷涂覆膜
(1002329-0065-0101) 有机硅氧烷膜的处理方法及装置
(1002329-0021-0102) 含有蜡、成膜聚合物和聚硅氧烷的睫毛油
(1002329-0051-0103) 玻璃基片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(1002329-0106-0104) 以六氯乙硅烷进行的含硅膜的沉积
(1002329-0002-0105) 硅烷组合物、硅膜的形成方法和太阳能电池的制造方法
(1002329-0053-0106) 硅氧烷化合物及其聚合物和用该聚合物制备介电膜的方法
(1002329-0074-0107) 玻璃基片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(1002329-0016-0108) 使用六甲基乙硅氮烷的液体源薄膜的形成
(1002329-0061-0109) 用聚二烷基硅氧烷和脂肪酸处理矿物填料的方法,如此获得的疏水填料和其在"透气"薄膜用聚合物中的用途
(1002329-0095-0110) 金属涂装前硅烷偶联预膜剂的制备方法
(1002329-0023-0111) 包括成膜聚合物和氧化烯化的聚硅氧烷的粘结剂组合物
(1002329-0052-0112) 玻璃基片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
(1002329-0047-0113) 多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法
(1002329-0036-0114) 含有聚硅烷化合物的形成光刻用下层膜的组合物
(1002329-0017-0115) 用于美容或治疗皮肤病的,含有成膜聚合物分散液与聚硅氧烷水乳剂的组合物
(1002329-0055-0116) 用硅氧烷聚合物和成膜树脂结构化的化妆品组合物
(1002329-0085-0117) 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
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